知的財産権
公開件数:50件
No. 種別 名称 出願番号 出願日 公開番号 公開日 公表番号 公表日 登録番号 登録日 出願状況
1 特許
発光素子、およびその製造方法
特願2006-213878
2006/08/04






出願
2 特許
SiOx粒子の製造法
PCT/JP2005/17466
2005/09/22






出願
3 特許
白色発光ダイオード
特許出願2004-319954
2004/11/02






出願
4 特許
結晶質シリコン内在SiOx成形体の製造方法とその用途
特許出願2004-280053
2004/09/27






出願
5 特許
発光素子
PCT/JP02/00633,PCT/JP02/00633
2003/01/29






出願
6 特許
発光素子及びその製造方法
特願2002-308951
2002/10/23






出願
7 特許
発光素子及びその製造方法
特願2002-308940
2002/10/23






出願
8 特許
Light-EmittingDevice and Method for Manufacturing the Same
10/255,000,10/255,000
2002/09/26






出願
9 特許
発光素子
特願2001-297927
2002/09/03






出願
10 特許
発光素子
特許出願2003-080935
2002/03/24






出願
11 特許
低比誘電率SiOx膜、製造方法、それを用いた半導体装置
国際出願番号PCT/JP01/03822
2001/05/07






出願
12 特許
シリコン基板上における高抵抗ガリウム砒素の製造法
特願平1-165134
1989/06/27






出願
13 特許
SiOx粒子、その製造方法及び用途
特許出願2003-132866
2003/05/12
特許公開2004-331480





公開
14 特許
整流素子
PCT/JP2013/067564
2013/06/26
WO2014/207853
2014/12/31




出願
15 特許
発光ダイオードおよびその製造方法、発光ダイオードアレイ
2008-27725
2008/02/07
2009-188249
2009/08/20




公開
16 特許
白色LED装置及びその製造方法
特願2007-300744
2007/11/20
2009-147312
2009/07/02




公開
17 特許
酸化膜形成方法、MOSデバイス製造方法、MOSトランジスタ製造方法、SiOx粉末、及びSiOx粉末製造方法
特願2007-208641
2007/08/09
2009-41080
2009/02/26




公開
18 特許
発光素子およびその製造方法
2007-170557
2007/06/28
2009-10191
2009/01/15




公開
19 特許
SiOx粒子の製造法


WO 2006/035663 A1
2006/04/06




公開
20 特許
バイポーラトランジスタ、マルチフィンガーバイポーラトランジスタ、バイポーラトランジスタ製造用エピタキシャル基板、及びバイポーラトランジスタの製造法
特許出願2003-283995
2003/07/31
特許公開2005-51164
2005/02/24




公開
21 特許
発光素子及び発光素子の製造方法
特許出願2003-23480
2003/01/31
特許公開2004-235509
2004/08/19




公開
22 特許
発光素子
特願2003-025006
2003/01/31
特許公開2004-235107
2004/08/19




公開
23 特許
発光素子及び発光素子の製造方法
特願2003-023480
2003/01/31
特許公開2004-235509
2004/08/19




公開
24 特許
発光素子及び発光素子の製造方法
特許出願2002-378578
2002/12/26
特許公開2004-214232
2004/07/29




公開
25 特許
発光素子及びその製造方法
特許出願2002-349259
2002/11/29
特許公開2004-200184
2004/07/15




公開
26 特許
発光素子及びその製造方法
特願2002-349205
2002/11/29
特許公開2004-200183
2004/07/15




公開
27 特許
発光素子
特願2002-349240
2002/11/29
特許公開2004-186268
2004/07/02




公開
28 特許
発光素子及びその製造方法
特許出願2003-363363
2003/10/23
特許公開2004-165654
2004/06/10




公開
29 特許
発光素子の製造方法及び発光素子
特許出願2002-308956
2002/10/23
特許公開2004-146537
2004/05/20




公開
30 特許
発光素子及び発光素子の製造方法
特許出願2002-308989
2002/10/23
特許公開2004-146541
2004/05/20




公開
31 特許
発光素子の製造方法及び発光素子
特願2002-308970
2002/10/23
特許公開2002-146539
2004/05/20




公開
32 特許
発光素子の製造方法及び発光素子
特許出願2002-230343
2002/08/07
特許公開2004-071896
2004/03/04




公開
33 特許
バイポーラトランジスタ、マルチフィンガーバイポーラトランジスタ、バイポーラトランジスタ製造用エピタキシャル基板、及びバイポーラトランジスタの製造方法
特願2002-229132
2002/08/06
特許公開2004-71835
2004/03/04




公開
34 特許
量子ドットデバイスの製造方法および製造装置
特願2002-04457
2002/02/21
特許公開2003-243647
2003/08/29




公開
35 特許
発光素子及び発光素子の製造方法
特許出願2002-259396
2002/09/04
特許公開2003-174197
2003/06/20




公開
36 特許
半導体装置の製造方法
特許出願2001-191783
2001/06/25
特許公開2003-007696
2003/01/10




公開
37 特許
発光素子
特願2001-024946
2001/01/31
特許公開2002-232005
2002/08/16




公開
38 特許
有機アミン化合物を用いた窒素化物半導体薄膜作製法


特開2000-277436
2000




公開
39 特許
窒化物半導体製造方法
特許出願平11-79548
1999/03/24
特許公開2000-277436
2000/10/06




公開
40 特許
「半導体装置およびその製造法」平成10年度特許願第103967
特願平10-103967
1998/03/31
特許公開平11-289013
1999/10/19




公開
41 特許
整流素子
2012-094148
2012/04/17




5607676
2014/09/05
登録
42 特許
酸化膜形成方法、MOSデバイス製造方法、MOSトランジスタ製造方法、SiOx粉末、及びSiOx粉末製造方法
特願2007-208641
2007/08/09
特開2009-41080
2009/02/26


特許第5221075号
2013/03/15
登録
43 特許
発光素子の製造方法
特願2007-203446
2007/08/03
2008-60561
2008/03/13


特許第5196224号
2013/02/15
公開
44 特許
結晶質シリコン内在SiOx成形体の製造方法とその用途
特願2004-280053
2004/09/27
特開2006-89356
2006/04/06


特許第4966486号
2012/04/06
登録
45 特許
Process for producing SiOx particles
PCT/JP2005/017466 11/663,586(USfiling)
2005/09/22
WO2006/035663
2006/04/06


US 7,803,340
2010/09/28
登録
46 特許
透明導電性成形物およびその製造方法
特願2005-160930
2005/06/01




特許第4570152号
2010/08/20
出願
47 特許
バイポーラトランジスタ、マルチフィンガーバイポーラトランジスタ、バイポーラトランジスタ製造用エピタキシャル基板、及びバイポーラトランジスタの製造方法






特許第3942984号
2007/04/13
登録
48 特許
発光素子






特許第3872398号
2006/10/27
登録
49 特許
SiOx粉末の製造方法、SiOx粉末からなる膜






特許第3868396号
2006/10/20
登録
50 特許
発光素子






特許第3814151号
2006/06/09
登録