研究発表
公開件数:317件
No. 研究発表種別 タイトル 会議名/掲載誌名 巻号頁
または発表番号
査読の有無 講演者 開催年月日 URL
1 学会口頭発表
「高密度InAs量子ドット層における欠陥起因の励起子発光マッピング
2019年(令和元年)第80回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集
20p-E302-11 (2019).

立木 象,杉山 涼,山口浩一
2019

2 学会口頭発表
InP基板上のInAs/GaAsSb type-Ⅱ超格子構造を用いた中赤外LEDの作製
2019年(令和元年)第80回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集
19p-PB5-14 (2019).

宇野江,飯嶋直人,山口浩一
2019

3 学会口頭発表
面内超高密度InAs量子ドット層を導入した量子ドットレーザの作製
第66回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集
11p-PA4-3

田中元幸, 馬場慶一郎,山口浩一
2019

4 学会口頭発表
面内超高密度InAs量子ドット層を導入した量子ドット太陽電池の集光特性(2)
第66回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集
10a-PB3-2

戸川匠,鈴木亮介,寺田圭佑,坂本克好,曽我部東馬,山口浩一
2019

5 学会口頭発表
イオンビーム堆積法によるInP/ZnS CQD薄膜作製とキャラクタリゼーション
第66回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集
11p-S223-13

池田侑矢,山口浩一,坂本克好,小林哲
2019

6 学会口頭発表
分子線堆積法によるSiOx膜上へのInAs量子ドットの自己形成(3)
第66回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集
10a-PB3-2

佐々木一夢,馬飼野彰宜,坂本克好,山口浩一
2019

7 学会口頭発表
面内超高密度InAs量子ドット層の面内PLマッピング解析(2)
第66回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集
11p-S422-8

立木 象,杉山 涼,山口浩一
2019

8 学会口頭発表
エレクトロスプレーイオン源による薄膜のキャラクタリゼーション
第28回インテリジェント・ナノ材料シンポジウム
B2-3

池田侑矢,山口浩一,坂本克好,小林 哲
2019

9 学会口頭発表
面内超高密度InAs量子ドット層のPLマッピング解
第79回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集
18p-234B-11

立木象, 杉山涼,山口浩一
2018

10 学会口頭発表
分子線堆積法によるSiOx/半導体基板上へのInAs量子ドットの自己形成(2)
第79回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集
18p-234B-12

馬飼野彰宜, 坂本克好,曽我部東馬,山口浩一
2018

11 学会口頭発表
InP基板上への中赤外発光InAs/GaAsSb type-II超格子構造のMBE成長
第79回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集
19p-PB6-3

外川開人, 宇野江,山口浩一
2018

12 学会口頭発表
面内超高密度InAs量子ドット層を導入した量子ドットレーザの作製
第79回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集
19p-PB6-6

田中元幸, 山口浩一
2018

13 学会口頭発表
面内超高密度InAs量子ドット層を導入した量子ドット太陽電池の集光特性
第79回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集
20a-136-3

鈴木亮介, 坂本克好,曽我部東馬,山口浩一
2018

14 学会口頭発表
量子ドット太陽電池用Type-II型InAs/GaAsSb量子ドット層の発光特性
第79回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集
20a-136-2

杉山涼, 立木象,山口浩一
2018

15 学会口頭発表
酸化膜上へのⅢ-Ⅴ族半導体量子ドットの成長
第14回量子ナノ材料セミナー
第14回

山口浩一
2018/09/25

16 学会口頭発表
「GaAsSb/GaAs(001)上の高密度InAs量子ドットの層の発光特性(3)」
2018年(平成30年)第65回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集
17p-F214-10 (2018).

杉山 涼,立木 象,山口浩一
2018/03

17 学会口頭発表
「面内超高密度InAs量子ドット層の面内PLマッピング測定評価」
2018年(平成30年)第65回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集
18p-P8-11

立木 象,杉山 涼,加藤智恵,山口浩一
2018/03

18 学会口頭発表
「面内超高密度InAs量子ドット層を導入した太陽電池のドリフト・拡散モデルによる特性解析」
2018年(平成30年)第65回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集
18p-P13-13

寺田圭佑,鈴木亮介,坂本克好,曽我部東馬,山口浩一
2018/03

19 学会口頭発表
「分子線堆積法によるSiO2/半導体上へのInAs量子ドットの自己形成」
2018年(平成30年)第65回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集
18p-P8-5

ウイクラマナヤカ・ラシミ・プラビーン,馬飼野彰宜,坂本克好,山口浩一
2018/03

20 学会口頭発表
面内超高密度量子ドット層の太陽電池応用
第13回量子ナノ材料セミナー,東大先端研
第13回

山口浩一
2018/01/10

21 学会口頭発表
面内超高密度InAs量子ドット層を導入した太陽電池におけるUrback tailの影響
2017年(平成29年)第78回応用物理学会秋季学術講演会
講演予稿集

鈴木亮介, 杉山涼,加藤智恵,曽我部東馬,山口浩一
2017/09

22 学会口頭発表
GaAsSb/GaAs(001)上の高密度InAs量子ドットの層の発光特性(2)
2017年(平成29年)第78回応用物理学会秋季学術講演会
講演予稿集

杉山涼, 立木象,曽我部東馬,山口浩一
2017/09

23 学会口頭発表
Sb照射熱処理によるInAs量子ドット層の構造変化
2017年(平成29年)第64回応用物理学会春季学術講演会
講演予稿集

馬飼野彰宜,及川信吾,坂本克好,山口浩一
2017/03

24 学会口頭発表
「GaAsSb/GaAs(001)上の高密度InAs量子ドット層の発光特性」
2017年(平成29年)第64回応用物理学会春季学術講演会
講演予稿集

杉山涼, 秋元直己 ,曽我部東馬,山口浩一
2017/03

25 学会口頭発表
InP基板上への3μm帯発光InAsSb量子ナノ構造のMBE成長
2016年(平成28年)第77回応用物理学会秋季学術講演会
16a-B9-9 (2016)

永井大嗣,外川開斗,山口浩一
2016/09

26 学会口頭発表
InAs/GaAs量子ドット太陽電池におけるホットキャリア輸送ダイナミクス
2016年(平成28年)第77回応用物理学会秋季学術講演会
14p-P21-27 (2016)

仁井皓大, 南裕太,坂本克好,曽我部東馬,山口浩一,岡田至崇
2016/09

27 学会口頭発表
InAsSb/GaAs(001)上へのInAs3次元島成長とその発光特性
2016年(平成28年)第77回応用物理学会秋季学術講演会
15p-P11-4 (2016).

及川信吾, 馬飼野彰宜,曽我部東馬,山口浩一
2016/09

28 学会口頭発表
InAsSb/GaAs(001)上のInAs成長における3次元核形成機構
2016年(平成28年)第63回応用物理学会春季学術講演会
21a-H112-5 (2016)12-222

及川信吾, 鮫島一樹, 山口浩一
2016/03

29 学会口頭発表
面内超高密度InAs量子ドット層における熱処理効果
2016年(平成28年)第63回応用物理学会春季学術講演会
20p-P16-8 (2016)12-184

南裕太, 秋元直己, 鮫島一樹, 山口浩一
2016/03

30 学会口頭発表
面内超高密度InAs量子ドット層を導入した太陽電池の熱処理効果
2016年(平成28年)第63回応用物理学会春季学術講演会
20a-S011-5 (2016)11-144

秋元直己, 仁井皓大, 南裕太, 遠藤航介, 山口浩一
2016/03

31 学会口頭発表
InAsSb/GaAs 層上の面内超高密度 InAs 量子ドットの発光特性
2015年(平成27年)第76回応用物理学会秋季学術講演会
14p-2W-3 (2015)13-171

鮫島一樹, 山口浩一
2015/09

32 学会口頭発表
面内高密度 InAs/GaAsSb 量子ドット層における光励起キャリア効果
2015年(平成27年)第76回応用物理学会秋季学術講演会
15p-PB1-3 (2015)

秋元直己, 山口浩一
2015/09

33 学会口頭発表
面内超高密度InAs量子ドット層おける光伝導特性
第62回応用物理学会春季学術講演会、第62回応用物理学会春季学術講演会予稿集
19p-P19-19

秋元直己, 内田俊介, 山口浩一
2015/03

34 学会口頭発表
面内高密度InAs量子ドット層の発光特性のInAs成長量依存性
第62回応用物理学会春季学術講演会、第62回応用物理学会春季学術講演会予稿集
13a-p15-7

佐藤祐介, 秋元直己, 内田俊介, 山口浩一
2015/03

35 学会口頭発表
InAsSb 層上への面内超高密度InAs 量子ドット(1012 cm-2)の自己形成(3)
第62回応用物理学会春季学術講演会、第62回応用物理学会春季学術講演会予稿集
14p-D4-3

鮫島一樹, 山口浩一
2015/03

36 学会口頭発表
In断続供給によるInAs量子ドット形成のSTMBE観察
第62回応用物理学会春季学術講演会、第62回応用物理学会春季学術講演会予稿集
14p-D4-7

東條孝志, 山口浩一, 塚本史郎
2015/03

37 学会口頭発表
InAs/GaAsSb量子ドットを用いた中間バンド太陽電池の集光特性の計算
第75回応用物理学会秋季学術講演会予稿集、第75回応用物理学会秋季学術講演会
17p-A28-11(2014)14-219

内田圭祐,坂本克好,山口浩一
2014/09

38 学会口頭発表
InAsウエッティング層上ステップ構造近傍での量子ドット形成STMBE観察
第75回応用物理学会秋季学術講演会予稿集、第75回応用物理学会秋季学術講演会
18p-A20-6(2014)15-280

東條孝志,山口浩一,塚本史郎
2014/09

39 学会口頭発表
低密度InAs量子ドットを内蔵したマイクロピラー共振器の作製とPL発光特性
第75回応用物理学会秋季学術講演会予稿集、第75回応用物理学会秋季学術講演会
18p-A20-12(2014)15-039.

山下博幸,山口浩一
2014/09

40 学会口頭発表
面内超高密度InAs量子ドット層の特異なPL特性
第75回応用物理学会秋季学術講演会予行集、第75回応用物理学会秋季学術講演会
19p-PB5-2(2014)15-050

内田俊介,山口浩一
2014/09

41 学会口頭発表
InAsSb層上への面内超高密度InAs量子ドット(1012 cm-2)の自己形成(2)
第61回応用物理学会春季学術講演会予稿集、第61回応用物理学会春季学術講演会
18p-PG6-15(2014)15-071

鮫島一樹,佐野琢哉,山口浩一
2014/03

42 学会口頭発表
高密度InAs量子ドット層の広帯域発光特性
第61回応用物理学会春季学術講演会予稿集、第61回応用物理学会春季学術講演会
18p-pG6-14(2014)15-070

山田和寛,山本雅人,山口浩一
2014/03

43 学会口頭発表
自己形成GaAsナノホールを用いた近接積層InAs量子ドットの発光特性
第61回応用物理学会春季学術講演会予稿集、第61回応用物理学会春季学術講演会
17p-E11-4 (2014) 15-037

山下博幸,高橋佑太,山口浩一
2014/03

44 学会口頭発表
面内超高密度InAs量子ドット層における長い蛍光寿命特性
第61回応用物理学会春季学術講演会予稿集、第61回応用物理学会春季学術講演会
17p-E11-3 (2014) 15-036

内田俊介,塩川美雪,山口浩一
2014/03

45 学会口頭発表
STMBE法によるGaAs(001)上InAs3D島構造成長その場観察
第61回応用物理学会春季学術講演会予稿集、第61回応用物理学会春季学術講演会
17a-E11-5(2014)15-263

東條孝志,山口浩一,塚本史郎
2014/03

46 学会口頭発表
GaAsSbバッファ層上の面内超高密度InAs量子ドットの選択励起PL特性
第74回応用物理学会秋季学術講演会予稿集、第74回応用物理学会秋季学術講演会
19p-D3-16 (2013) 15-055.

塩川美雪,山口浩一
2013/09

47 学会口頭発表
ナノホールGaAs歪緩和埋め込み層によるInAs量子ドットの1.5μm面発光(2)
第74回応用物理学会秋季学術講演会予稿集、第74回応用物理学会秋季学術講演会
19p-D3-13 (2013) 14-045.

山下博幸,高橋佑太,山口浩一
2013/09

48 学会口頭発表
InAsSb層上への面内超高密度InAs量子ドット(1012 cm-2)の自己形成
第60回応用物理学会春季学術講演会予稿集,第60回応用物理学会春季学術講演会
29a-PB7-7, 15-051

佐野琢哉,山口浩一
2013/03

49 学会口頭発表
面内超高密度InAs量子ドットの時間分解PL特性
第60回応用物理学会春季学術講演会予稿集,第60回応用物理学会春季学術講演会
29a-PB6-1~13, 14-044

塩川美雪,エデス サプトラ,山口浩一
2013/03

50 学会口頭発表
中間バンド型太陽電池特性の量子ドット密度依存性
第60回応用物理学会春季学術講演会予稿集,第60回応用物理学会春季学術講演会
28p-G4-18(2013)14-219

内田圭祐,坂本克好,山口浩一
2013/03

51 学会口頭発表
GaAsSbバッファ層上の面内超高密度InAs量子ドットの時間分解PL特性
2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会,2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
12p-J-2

エデス サプトラ,佐野琢哉,山口浩一
2012/09

52 学会口頭発表
ナノホールGaAs歪緩和埋込み層によるInAs量子ドットの1.5μm面発光
2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会,2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
12p-J-1

河本憲幸,高橋佑太,山口浩一
2012/09

53 学会口頭発表
面内超高密度InAs量子ドットシートを用いた中間バンド型太陽電池の作製評価
2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会,2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
12a-H8-8

塩川美雪,江口陽亮,坂本克好,山口浩一
2012/09

54 学会口頭発表
単層高均一InAs量子ドットの面内異方性の観測
2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会,2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
11a-F1-11

上村光典,太田 潤,山口 亮,山口浩一,竹内 淳
2012/09

55 学会口頭発表
GaAsSb/GaAs層上の高密度InAs量子ドットの広帯域発光
2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会,2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会
17p-DP3-16

田邊宏行,尾坂祐治,山口浩一
2012/03

56 学会口頭発表
InAsSb/GaAs層上への面内超高密度InAs量子ドットの自己形成
2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会,2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会
16p-A8-14

佐野琢哉,太田 潤,山口浩一
2012/03

57 学会口頭発表
GaAsSb/GaAs層上への面内超高密度InAs量子ドットの自己形成(2)
2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会,2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会
16p-A8-13

エデス サプトラ,太田 潤,山口浩一
2012/03

58 学会口頭発表
面内超高密度InAs量子ドットの太陽電池応用(3)
2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会,2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会
18a-C1-10

江口陽亮,山口浩一,藤田浩輝,塩川美雪
2012/03

59 学会口頭発表
単層高均一InAs量子ドットのスピン緩和時間の温度依存性
2011年(平成23年)秋季第72回応用物理学会学術講演会予稿集,2011年(平成23年)秋季第72回応用物理学会学術講演会予稿集
1p-K-6, 14-068

笹山和俊,太田潤,中西奏太,小柳慶継,山口亮,山口浩一,竹内淳
2011/08

60 学会口頭発表
面内超高密度GaAsSb/InAs type-II量子ドットへのGaAsスペーサ層導入効果
2011年(平成23年)秋季第72回応用物理学会学術講演会予稿集,2011年(平成23年)秋季第72回応用物理学会学術講演会予稿集
1a-ZA-7, 15-100

太田潤,山口浩一
2011/08

61 学会口頭発表
GaAsSb/GaAs(001)層上への面内超高密度InAs量子ドットの自己形成
2011年(平成23年)秋季第72回応用物理学会学術講演会予稿集,2011年(平成23年)秋季第72回応用物理学会学術講演会予稿集
1a-ZA-6, 15-099

サプトラエデス,太田潤,山口浩一
2011/08

62 学会口頭発表
面内超高密度InAs量子ドットの太陽電池への応用(2)
2011年(平成23年)秋季第72回応用物理学会学術講演会予稿集,2011年(平成23年)秋季第72回応用物理学会学術講演会予稿集
31p-H-7,14-264

江口陽亮,藤田浩輝,山口浩一
2011/08

63 学会口頭発表
断続供給法による低密度InAs量子ドットの自己形成制御(5)
2010年(平成22年)秋季第71回応用物理学会学術講演会予稿集,2010年(平成22年)秋季第71回応用物理学会学術講演会予稿集
15p-ZV-3, 15-068

小川善秀,柳澤拓弥,山口浩一
2010

64 学会口頭発表
自己形成InAs量子ドットの高密度・高均一化
2010年(平成22年)秋季第71回応用物理学会学術講演会予稿集,2010年(平成22年)秋季第71回応用物理学会学術講演会予稿集
15p-ZV-2, 15-067

金丸豊,角田直輝,山口浩一
2010

65 学会口頭発表
面内超高密度InAs量子ドットの自己形成とそのキャリア寿命時間測定
2010年(平成22年)秋季第71回応用物理学会学術講演会予稿集,2010年(平成22年)秋季第71回応用物理学会学術講演会予稿集
15p-ZV-1, 15-066

太田潤,山口浩一
2010

66 学会口頭発表
高密度InAs量子ドットのSb照射成長中断における時間分解X線回折測定(3)
2010年(平成22年)秋季第71回応用物理学会学術講演会予稿集,2010年(平成22年)秋季第71回応用物理学会学術講演会予稿集
14a-ZQ-11, 15-319

山本和輝,角田直輝,海津利行(物材機構・東大先端研),高橋正光(原子力機構),藤川誠司(原子力機構),山口浩一
2010

67 学会口頭発表
断続供給法による低密度InAs量子ドットの自己形成制御(4)
2010年(平成22年)春季第57回応用物理学関係連合講演会予稿集,2010年(平成22年)春季第57回応用物理学関係連合講演会予稿集
17p-TW-2, 15-050

柳澤拓弥,小川善秀,山口浩一
2010

68 学会口頭発表
InAs量子ドット面内超格子構造の自己形成
2010年(平成22年)春季第57回応用物理学関係連合講演会予稿集,2010年(平成22年)春季第57回応用物理学関係連合講演会予稿集
17p-TW-4, 15-052

太田 潤,角田直輝,山口浩一
2010

69 学会口頭発表
InAs量子ドット面内超格子構造の積層成長
2010年(平成22年)春季第57回応用物理学関係連合講演会予稿集,2010年(平成22年)春季第57回応用物理学関係連合講演会予稿集
17p-TW-5, 15-053

稲次敏彦,関口修司,太田 潤,山口浩一
2010

70 学会口頭発表
高密度InAs量子ドットのSb照射成長中断における時間分解X線回折測定(2)
2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会予稿集
11a-Q-10 p.398

角田直輝, 海津利行,高橋正光,藤川誠司,山口浩一
2009/09

71 学会口頭発表
Ge(001)基板上へのInAs/GaAs系量子ドットのMBE成長(2)
2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会予稿集
10a-C-6 p.308

瀬尾崇志,平野和浩,山口浩一
2009/09

72 学会口頭発表
積層InAs量子ドットの熱処理効果
2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会予稿集
10p-C-3 p.311

廣瀬真幸,山口浩一
2009/09

73 学会口頭発表
InAs量子ドット上の自己形成GaAsナノホールのモンテカルロシミュレ-ション
2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会予稿集
10p-C-10 p.313

関口修司,山口浩一
2009/09

74 学会口頭発表
自己形成GaAsナノホールを用いた近接積層InAs量子ドットの発光特性
2009年(平成21年)秋季第70回応用物理学会学術講演会予稿集
10a-C-11p.314

築地伸和,山口浩一
2009/09

75 学会口頭発表
InAs量子ドットのSb導入MBE成長過程における時間分解X線回折測定
文部科学省ナノテクノロジー・ネットワーク/重点ナノテクノロジー支援放射光利用研究成果報告会「ナノテクノロジー放射光利用研究の最前線2008」
pp.5-6

山口浩一,角田直輝,海津利行,高橋正光,藤川誠司
2009/05

76 学会口頭発表
高密度InAs量子ドットのSb照射成長中断における時間分解X線回折測定
2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会予稿集
2a-D-9 (p.450

角田直輝,海津利行,高橋正光,山口浩一
2009/03

77 学会口頭発表
Ge(001)基板上へのInAs/GaAs系量子ドットのMBE成長
2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会予稿集
1a-J-7 p.359

瀬尾崇志,平野和浩,山口浩一
2009/03

78 学会口頭発表
断続供給法による低密度InAs量子ドットの自己形成制御
2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会予稿集
1p-J-2 p.361

パッチャカパットポンラチェット,関口修司,山口浩一
2009/03

79 学会口頭発表
高密度InAs量子ドットのcoarsening過程
2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会予稿集
1p-J-10 p.364

金丸豊,角田直輝,山口浩一
2009/03

80 学会口頭発表
自己形成InAs量子ドットの成長中断におけるAs-Sb照射交換の影響
2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会予稿集
1p-J-13 p.365

山本和輝,山口浩一
2009/03

81 学会口頭発表
GaAsSb/GaAs層上高密度InAs量子ドットのcoarsening過程
2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会予稿集
4a-CE-4 p.363

角田直輝, 山口浩一
2008/09

82 学会口頭発表
Sb照射InAs量子ドット上のGaAs薄膜成長
2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会予稿集
2a-CF-14 p.278

村脇史敏, 山口浩一
2008/09

83 学会口頭発表
自己形成GaAsナノホールを用いたGaSb/GaAs層上近接積層InAs量子ドットの発光特性改善
2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会予稿集
2a-CF-11 p.277

関口修司, 山口浩一
2008/09

84 学会口頭発表
GaAsSb/GaAs層上の高密度InAs量子ドットの熱処理効果(2)
2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会予稿集
2a-CF-12 p.277

廣瀬真幸, 山口浩一
2008/09

85 学会口頭発表
InAs量子ドットのSb導入MBE成長過程における時間分解X線回折測定
文部科学省ナノテクノロジー総合支援プロジェクト平成19年度放射光グループ研究成果報告会「放射光利用ナノテク最前線2007」


山口浩一,高橋正光,海津利行,角田直輝,水木純一郎
2008/05

86 学会口頭発表
GaAsSb/GaAs(001)層上のInAs量子ドット成長におけるSb導入効果
2008年(平成20年)春季第55回応用物理学関係連合講演会予稿集
28a-ZT-2 p.351

菅藤徹,高島理人,角田直輝,山口浩一
2008/03

87 学会口頭発表
GaAsSb/GaAs層上の高密度InAs量子ドットの熱処理効果
2008年(平成20年)春季第55回応用物理学関係連合講演会予稿集
28a-ZT-9 p.353

胡家英,廣瀬真幸,山口浩一
2008/03

88 学会口頭発表
GaSb/GaAs層上高密度InAs量子ドットの積層成長
2008年(平成20年)春季第55回応用物理学関係連合講演会予稿集
28a-ZT-3 p.351

高島理人,山口浩一
2008/03

89 学会口頭発表
自己形成GaAsナノホールを用いたGaSb/GaAs層上InAs量子ドットの近接積層成長
2008年(平成20年)春季第55回応用物理学関係連合講演会予稿集
28a-ZT-8 p.353

関口修司,山口浩一
2008/03

90 学会口頭発表
自己形成GaAsナノホールを用いた2重積層InAs量子ドットのトンネルコンダクタンス測定
応用物理学会結晶工学分科会 2007年年末講演会
P-04 p.32

武藤亜弥,佐藤峻之, 山口浩一
2007/12

91 学会口頭発表
InAs/GaAs系量子ドットのMBE成長におけるSb導入効果
応用物理学会結晶工学分科会 2007年年末講演会
P-05 p.33

高島理人,菅藤徹, 山口浩一
2007/12

92 学会口頭発表
GaSb/GaAs層上高密度InAs量子ドットの発光特性
GaSb/GaAs層上高密度InAs量子ドットの発光特性
6a-E-5 p.330

高島理人,山口浩一
2007/09

93 学会口頭発表
自己形成GaAsナノホールを用いたInAsおよびGaSb量子ドットの近接積層成長
2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会予稿集
6a-E-10 p.332

村脇史敏,築地伸和,山口浩一
2007/09

94 学会口頭発表
断続供給法による低密度InAs量子ドットの自己形成制御(2)
2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会予稿集
6p-E-11p.332.

パッチャカパットポンラチェット,山口浩一
2007/09

95 学会口頭発表
Sb導入高密度InAs量子ドットのMBE成長過程におけるドット構造変化
2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会予稿集
6a-E-6 p.430

角田直輝,山口浩一
2007/09

96 学会口頭発表
高均一InAs/GaAs量子ドットの第二励起準位のスピン緩和
2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会予稿集
6a-N-2 p.1410

宇美武彦,築地伸和,楠 紘慈,山口浩一,竹内 淳
2007/09

97 学会口頭発表
高均一InAs量子ドットの高スピン偏極発光:スピンパウリブロッキングを含むレート方程式解析
2007年(平成19年)秋季第68回応用物理学会学術講演会予稿集
6a-S-8 p.486, 1516.

楠 紘慈,築地伸和,宇美武彦,山口浩一,竹内 淳
2007/09

98 学会口頭発表
断続供給法による低密度InAs量子ドットの自己形成制御
2007年(平成19年) 春季第54回応用物理学関係連合講演会予稿集


パッチャカパットポンラチェット,山口浩一
2007/03

99 学会口頭発表
InAs量子ドットのInGaAs埋め込み成長におけるサイズ揺らぎの抑制
2007年(平成19年) 春季第54回応用物理学関係連合講演会予稿集
28p-Q-14 p.347

外村慎一,山口浩一
2007/03

100 学会口頭発表
Sb終端GaAs層上の高密度InAs量子ドットの発光特性
2007年(平成19年) 春季第54回応用物理学関係連合講演会予稿集
28p-Q-11 p.346

太田雅彦,山口浩一
2007/03

101 学会口頭発表
高密度InAs量子ドットの積層成長におけるGaAsSb埋め込み層の導入
2007年(平成19年) 春季第54回応用物理学関係連合講演会予稿集
28p-Q-17 p.348.

吉田剛之,角田直輝,山口浩一
2007/03

102 学会口頭発表
GaAs上のInAs量子ドット成長におけるInAsSb濡れ層の導入効果
2007年(平成19年) 春季第54回応用物理学関係連合講演会予稿集
28a-Q-8 p.448

角田直輝,山口浩一
2007/03

103 学会口頭発表
高均一InAs/GaAs量子ドットによる高スピン偏極円偏光の発生
2007年(平成19年) 春季第54回応用物理学関係連合講演会予稿集
30a-ZS-10 p.529, 1581

宇美武彦,築地伸和,楠紘慈,山口浩一,竹内淳
2007/03

104 学会口頭発表
高均一InAs/GaAs量子ドットによる高スピン偏極円偏光の時間分解測定
年(平成19年) 春季第54回応用物理学関係連合講演会予稿集
29a-T-4 p.1464

楠紘慈,築地伸和,宇美武彦,山口浩一,竹内淳
2007/03

105 学会口頭発表
Sb照射GaAs(001)表面のその場X線回折測定
2007年(平成19年) 春季第54回応用物理学関係連合講演会予稿集
28a-Q-9 p.448

海津利行,高橋正光,菅藤徹,築地伸和,外村慎一,山口浩一,水木純一郎
2007/03

106 学会口頭発表
InAs Quantum Dots Formation on Sb Irradiated GaAs(001) Observed by in-situ STM inside MBE Growth Chamber
公開シンポジウム「ナノ光・電子デバイスと量子情報エレクトロニクス」
P-1 pp.39-40.

N.Kakuda, S.Tsukamoto, K.Yamaguchi and Y.Arakawa
2007/03

107 学会口頭発表
MBE Growth of InAs Quantum Dots on InAsSb Wetting Layers
公開シンポジウム「ナノ光・電子デバイスと量子情報エレクトロニクス」
P-2 pp.41-42

N.Kakuda and K.Yamaguchi
2007/03

108 学会口頭発表
光通信波長帯InAs量子ドットのMBE成長その場X線回折測定
文部科学省ナノテクノロジー総合支援プロジェクト成果発表会
p.15

山口浩一
2007/02

109 学会口頭発表
高密度・高均一InAs量子ドットの自己形成制御
2006年(平成18年) 秋季第67回応用物理学会学術講演会予稿集, シンポジウム講演「ボトムアップ成長技術のマイルストーンとナノエピタキシィへの展開」
30p-B-8 p.34

山口浩一
2006/09

110 学会口頭発表
GaAsSb/GaAs(001)基板上の高密度InAs量子ドットの面内自己配列形成
2006年(平成18年) 秋季第67回応用物理学会学術講演会予稿集
31p-ZF-1 p.299

GaAsSb/GaAs(001)基板上の高密度InAs量子ドットの面内自己配列形成
2006/09

111 学会口頭発表
Sb 照射GaAs(001)表面上InAs量子ドットのMBE成長その場STM観察
2006年(平成18年) 秋季第67回応用物理学会学術講演会予稿集
29a-ZF-1 p.378

角田直輝,塚本史郎,永原靖治,磯村暢宏,山口浩一,荒川泰彦
2006/09

112 学会口頭発表
MBEによる高密度InAs量子ドットのGaAsSb埋め込み成長
2006年(平成18年) 秋季第67回応用物理学会学術講演会予稿集
31a-ZF-9 p.298

吉田剛之,山口浩一
2006/09

113 学会口頭発表
自己形成GaAsナノホールを用いた高均一InAs量子ドットの近接積層成長
2006年(平成18年) 秋季第67回応用物理学会学術講演会予稿集


築地伸和,山口浩一
2006/09

114 学会口頭発表
Sb/GaAs層上高密度InAs量子ドットのInGaAs埋め込み成長による高均一化
2006年(平成18年) 秋季第67回応用物理学会学術講演会予稿集
31p-ZF-13 p.303

外村慎一,山口浩一
2006/09

115 学会口頭発表
高密度・高均一InAs量子ドットの自己形成とその場時間分解X線回折測定
文部科学省ナノテクノロジー総合支援プロジェクト平成17年度放射光グループ研究成果報告会「放射光利用ナノテク最前線2006」
pp.35-38

山口浩一,海津利行,菅藤徹,吉田剛之,太田雅彦,高橋正光,水木純一郎
2006/06

116 学会口頭発表
高密度・高均一InAs量子ドットの自己形成制御
ナノ光・電子デバイスシンポジウム「量子ドットとフォトニック結晶」
pp.17-18

山口浩一
2006/05

117 学会口頭発表
Sb/GaAs(001)バッファ層上への高密度InAs量子ドットのMBE成長
ナノ光・電子デバイスシンポジウム「量子ドットとフォトニック結晶」
P-2, pp.43-44

吉田剛之,太田雅彦,山口浩一
2006/05

118 学会口頭発表
MBEによるGaAsSb/GaAs(001)バッファ層上への高密度InAs量子ドットの面内自己配列
ナノ光・電子デバイスシンポジウム「量子ドットとフォトニック結晶」
P-4, pp.47-48

菅藤徹,山口浩一
2006/05

119 学会口頭発表
自己形成GaAsナノホールを用いた高均一InAs量子ドットの近接積層成長
ナノ光・電子デバイスシンポジウム「量子ドットとフォトニック結晶」


築地伸和,山口浩一
2006/05

120 学会口頭発表
Sb照射GaAs(001)層上InAs量子ドットのMBE成長その場STM観察
ナノ光・電子デバイスシンポジウム「量子ドットとフォトニック結晶」
P-6, pp.51-52

角田直輝,塚本史郎,山口浩一,荒川泰彦
2006/05

121 学会口頭発表
GaAsSb/GaAs(001)基板上への高密度InAs量子ドットの自己配列形成
2006年(平成18年) 春季第53回応用物理学関係連合講演会予稿集
25p-T-4 p.339

菅藤 徹,山口浩一
2006/03

122 学会口頭発表
Sb/GaAs層上への高密度・高均一InAs量子ドットのMBE成長 - Sb/GaAs成長条件依存性 -
2006年(平成18年) 春季第53回応用物理学関係連合講演会予稿集
24p-T-9 p.341

太田雅彦,山口浩一
2006/03

123 学会口頭発表
Sb照射GaAs(001)表面上InAs量子ドットMBE成長その場STM観察
2006年(平成18年) 春季第53回応用物理学関係連合講演会予稿集
22p-Q-16 p.432

角田直輝,塚本史郎,永原靖治,磯村暢宏,山口浩一,荒川泰彦
2006/03

124 学会口頭発表
Sb/GaAs層上への高密度・高均一InAs量子ドットのMBE成長
2006年(平成18年) 春季第53回応用物理学関係連合講演会予稿集
24p-T-8 p.340

外村慎一,太田雅彦,山口浩一
2006/03

125 学会口頭発表
GaAs層上の高密度・高均一InAs量子ドットのMBE成長
2006年(平成18年) 春季第53回応用物理学関係連合講演会予稿集
24p-T-13 p.342

富田充朗,山口浩一
2006/03

126 学会口頭発表
自己形成GaAsナノホールを用いたInAs量子ドットの近接積層成長
2006年(平成18年) 春季第53回応用物理学関係連合講演会予稿集
24p-B-6 p.1475

築地伸和,佐藤峻之,山口浩一
2006/03

127 学会口頭発表
高均一InAs結合量子ドットにおけるフォトルミネッセンス時間分解測定
2006年(平成18年) 春季第53回応用物理学関係連合講演会予稿集
24p-B-12 p.1477

宮田匠悟,鈴木康太,楠 紘慈,素川靖司,山口浩一,竹内 淳
2006/03

128 学会口頭発表
化合物半導体量子ドット成長のその場観察による成長機構に関する研究
第1回JAEA放射光科学研究シンポジウム(SPring-8)
P-5

山口浩一,海津利行, 菅藤 徹, 吉田剛之, 太田雅彦, 高橋正光, 水木純一郎
2006/03

129 学会口頭発表
自己形成GaAsナノホールを用いたInAs量子ドットダイオードのコンダクタンス測定
2005年(平成17年) 秋季第66回応用物理学会学術講演会予稿集
10p-W-13 p.1230

佐藤峻之,山口浩一
2005/09

130 学会口頭発表
表面交換反応制御法による高密度InAs量子ドットのGaAsSb埋め込み成長
2005年(平成17年) 秋季第66回応用物理学会学術講演会予稿集,
10p-W-10 p.1229

吉田剛之,山口浩一
2005/09

131 学会口頭発表
均一InAs量子ドットのスピン偏極率緩和時間の温度依存性
2005年(平成17年) 秋季第66回応用物理学会学術講演会予稿集
9p-W-5 p.1218.

楠 紘慈,鈴木康太,宮田匠悟,素川靖司,高河原俊秀,山口浩一,竹内 淳
2005/09

132 学会口頭発表
GaAsSbバッファ層上のInAs量子ドットの自己配列形成(3) -バッファ層成長温度依存性-
2005年(平成17年) 秋季第66回応用物理学会学術講演会予稿集
8p-ZD-21 p.226

菅藤 徹,山口浩一
2005/09

133 学会口頭発表
GaSb/GaAs層上の自己形成InAs量子ドットの密度制御
2005年(平成17年) 秋季第66回応用物理学会学術講演会予稿集
8p-ZD-17 p.224

太田雅彦,山口浩一
2005/09

134 学会口頭発表
GaAs(001)-c(4x4)上のSb照射表面その場STM観察
2005年(平成17年) 秋季第66回応用物理学会学術講演会予稿集
8p-ZD-8 p.317

角田直輝,塚本史郎,本間 剛,磯村暢宏,山口浩一,荒川泰彦
2005/09

135 学会口頭発表
Sb/GaAsバッファ層上への高密度InAs量子ドットのMBE成長
電子情報通信学会「次世代ナノ技術に関する研究専門委員会」第4回研究会 材料デバイスサマーミーティング「量子ナノ構造の作製とデバイス化」
NNN2005-3-2 pp.3-8

吉田剛之, 太田雅彦, 山口浩一
2005/03

136 学会口頭発表
量子ドットの電子スピンの振る舞いと操作:量子情報処理実現に向けて
電子情報通信学会「次世代ナノ技術に関する研究専門委員会」第4回研究会 材料デバイスサマーミーティング「量子ナノ構造の作製とデバイス化」,
NNN2005-3-4 pp.14-15

竹内淳, 黒田剛正, 山口浩一, 中田義昭, 横山直樹, 高河原俊秀
2005/03

137 学会口頭発表
GaAsSbバッファ層上のInAs量子ドットの自己配列形成(2)
2005年(平成17年) 春季第52回応用物理学関係連合講演会予稿集
30p-ZM-6p.356

菅藤 徹,山口浩一
2005/03

138 学会口頭発表
MBEによるInP基板上のGaSb量子ドットの自己形成
2005年(平成17年) 春季第52回応用物理学関係連合講演会予稿集
30a-V-5 p.1558

堀田正憲,山口浩一
2005/03

139 学会口頭発表
GaSb/GaAs層上の高密度InAs量子ドットの積層成長
2005年(平成17年) 春季第52回応用物理学関係連合講演会予稿集
30a-V-4 p.1558

吉田剛之,山口浩一
2005/03

140 学会口頭発表
GaSb/GaAs層上への高密度・高均一InAs量子ドットの自己形成 (2)
2005年(平成17年) 春季第52回応用物理学関係連合講演会予稿集
29p-ZM-12 p.349.

太田雅彦,山口浩一
2005/03

141 学会口頭発表
その場X線回折による成長中断中のInAs量子ドットの構造変化の解析
2005年(平成17年) 春季第52回応用物理学関係連合講演会予稿集
29p-ZM-9 p.348

海津利行,高橋正光,佐藤峻之,堀田正憲,山口浩一,水木純一郎
2005/03

142 学会口頭発表
高均一InAs量子ドットの第1励起準位におけるスピン偏極率緩和時間の温度依存性
2005年(平成17年) 春季第52回応用物理学関係連合講演会予稿集
29p-V-4 p.1550

宮田匠悟,鈴木康太,濱崎陽介,大嶽浩隆,村木信介,山口浩一,竹内 淳
2005/03

143 学会口頭発表
MBEによるInAs量子ドットの自己形成制御
2004年(平成16年) 秋季第65回応用物理学会学術講演会  シンポジウム講演「量子ドットの将来像と実現のためのマイルストーン」,
3p-V-1 p.70

山口浩一
2004/09

144 学会口頭発表
高均一InAs量子ドットのアニール効果(2)
2004年(平成16年) 秋季第65回応用物理学会学術講演会予稿集
1p-P2-11 p.266.

小林良幸,山口浩一
2004/09

145 学会口頭発表
GaSb/GaAs層上への高密度InAs量子ドットの自己形成
2004年(平成16年) 秋季第65回応用物理学会学術講演会予稿集
1p-P2-2p.263

太田雅彦,菅藤 徹,山口浩一
2004/09

146 学会口頭発表
GaAsSbバッファ層上へのInAs量子ドットの自己配列形成
2004年(平成16年) 秋季第65回応用物理学会学術講演会予稿集
4a-ZK-8 p.1243

菅藤 徹,山口浩一
2004/09

147 学会口頭発表
2重積層InAs量子ドットに結合したGaAsナノホールの自己形成
2004年(平成16年) 秋季第65回応用物理学会学術講演会予稿集
4a-ZK-7 p.1243

佐藤峻之,山口浩一
2004/09

148 学会口頭発表
高均一InAs量子ドットの励起フォトルミネセンス(PLE)測定
2004年(平成16年) 秋季第65回応用物理学会学術講演会予稿集
3p-ZK-2 p.1235

濱崎陽介,鈴木康太,中川裕文,山口浩一,竹内 淳
2004/09

149 学会口頭発表
高均一InAs量子ドットのアニール効果
2004年(平成16年) 春季第51回応用物理学関係連合講演会予稿集
28a-ZB-5 p.1528

小林良幸,山口浩一
2004/03

150 学会口頭発表
GaSb単分子層上への高密度InAs量子ドットの自己形成
2004年(平成16年) 春季第51回応用物理学関係連合講演会予稿集
28a-ZB-6 p.1529.

菅藤 徹,山口浩一
2004/03

151 学会口頭発表
埋め込みInAs量子ドットに結合したGaAsナノホールの自己形成制御
2004年(平成16年) 春季第51回応用物理学関係連合講演会予稿集
28a-ZB-7 p.1529

佐藤峻之,金 海燕,山口浩一
2004/03

152 学会口頭発表
GaAs/GaSb 量子井戸のMBE成長におけるSb-As交換反応のカイネティックモデル解析(2)
2004年(平成16年) 春季第51回応用物理学関係連合講演会予稿集
29a-YL-3 p.342

仲井貴紀,山口浩一
2004/03

153 学会口頭発表
GaSb/GaAs自己形成量子ドットにおける成長中断
2004年(平成16年) 春季第51回応用物理学関係連合講演会予稿集
30a-YG-10 p.348.

堀田正憲,岩崎誠樹,山口浩一
2004/03

154 学会口頭発表
自己制限InAs量子ドットの構造安定性
2004年(平成16年) 春季第51回応用物理学関係連合講演会予稿集
31a-YG-7 p.357.

岩崎誠樹,海津利行,山口浩一
2004/03

155 学会口頭発表
高均一InAs量子ドットのスピン緩和時間の温度依存性
2004年(平成16年) 春季第51回応用物理学関係連合講演会予稿集
29a-ZE-3 p.1536

村山雅洋,鈴木康太,大嶽浩隆,北村崇光,黒田剛正,高河原俊秀,山口浩一,竹内 淳
2004/03

156 学会口頭発表
高均一InAs量子ドットにおけるキャリア緩和機構―ウェッティングレーヤーからのキャリア緩和
2004年(平成16年) 春季第51回応用物理学関係連合講演会予稿集
29a-ZE-1 p.1536

濱崎陽介,鈴木康太,北村崇光,黒田剛正,高河原俊秀,山口浩一,竹内 淳
2004/03

157 学会口頭発表
高均一InAs量子ドットでのフォノンボトルネック現象の観測
2004年(平成16年) 春季第51回応用物理学関係連合講演会予稿集
29a-ZE-2 p.1536

北村崇光,鈴木康太,濱崎陽介,黒田剛正,山口浩一,竹内 淳
2004/03

158 学会口頭発表
GaSb/GaAsタイプⅡ量子ドットにおける2励起子状態
2004年(平成16年)春季第51回応用物理学関係連合講演会予稿集
28p-ZB-3 p.1532

松田一成,杉本義明,斎木敏治,山口浩一
2004/03

159 学会口頭発表
GaSb/GaAsタイプII量子ドットにおける2励起子状態
第14回光物性研究会, 大阪市立大学
I-B-28.

松田一成, 杉本義明, 斎木敏治, 山口浩一
2003/12

160 学会口頭発表
GaAs表面のGaSb終端化処理制御とその特性
2003 年(平成15年) 秋季第64回応用物理学会学術講演会予稿集
1p-ZC-6 p.597

三浦 健, 仲井貴紀, 山口浩一
2003/09

161 学会口頭発表
GaAs埋め込みInAs量子ドットの1.3 μm発光
2003 年(平成15年) 秋季第64回応用物理学会学術講演会予稿集
1p-ZF-4 p.1269

海津利行, 武田 宙, 山口浩一
2003/09

162 学会口頭発表
高密度・高均一InAs量子ドットの積層成長
2003年(平成 15年) 秋季第64回応用物理学会学術講演会予稿集
31p-K-4 p.268

海津利行, 山口浩一
2003/09

163 学会口頭発表
GaSb量子ドットのGaAs埋め込み成長 温度依存性
2003年(平成15年) 秋季第64回応用物理学会学術講演会予稿集
31p-ZF-11 p.1262

岩崎誠樹, 堀田正憲, 仲井貴紀, 山口浩一
2003/09

164 学会口頭発表
SK量子ドットの初期成長過程
2003年(平成15年) 秋季第64回応用物理学会学術講演会予稿集
31p-K-3 p.267.

岩崎誠樹, 山口浩一
2003/09

165 学会口頭発表
GaAs微傾斜基板上への1次元InAs量子ドット鎖の自己形成
2003年(平成15年) 秋季第64回応用物理学会学術講演会予稿集
1a-ZF-3 p.1269.

菅藤 徹, 山口浩一
2003/09

166 学会口頭発表
積層InAs量子ドットのファセット形成制御
2003年(平成 15年) 秋季第64回応用物理学会学術講演会予稿集
31p-K-7 p.269

鈴木康太, 山口浩一
2003/09

167 学会口頭発表
GaAs/GaSb量子井戸成長におけるSb-As交換反応のカイネティックモデル解析
2003年(平成15年) 秋季第64回応用物理学会学術講演会予稿集
1a-K-2 p.273

仲井貴紀, 山口浩一
2003/09

168 学会口頭発表
高均一InAs量子ド ットにおけるスピン偏極の観測4-温度依存性
2003年(平成15年) 秋季第64回 応用物理学会学術講演会予稿集
1p-ZF-17 p.1274

村山雅洋, 大坪 亮, 北村崇光, 黒田剛正, 山口浩一, 竹内 淳
2003/09

169 学会口頭発表
高均一InAs量子ド ットにおけるキャリア緩和機構2
2003年(平成15年) 秋季第64回応用物理学会学 術講演会予稿集
1p-ZF-16 p.1273

北村崇光, 大坪 亮, 村山雅洋, 黒田剛正, 山口浩一, 竹内 淳
2003/09

170 学会口頭発表
高均一InAs量子ドットにおけるスピン偏極の観測3ーキャリア濃度依存性
2003年(平成15年)春季第50回応用物理学関係連合講演会予稿集
30a-ZE-10

村山雅洋, 大坪 亮, 北村崇光, 黒田剛正, 山口浩一, 竹内 淳
2003/03

171 学会口頭発表
高均一InAs量子ドットにおけるエネルギー緩和機構
2003年(平成15年)春季第50回応用物理学関係連合講演会予稿集
29p-ZE-4

北村崇光, 大坪 亮, 村山雅洋, 黒田剛正, 山口浩一, 竹内 淳
2003/03

172 学会口頭発表
高均一 InAs量子ドットにおけるスピン偏極の観測2 - GaAs層のキャリアダイナミクス
2003年(平成15年)春季第50回応用物理学関係連合講演会予稿集
30a-ZE-9

藪下智仁, 大坪 亮, 村山雅洋, 北村崇光, 黒田剛正, 山口浩一, 竹内 淳
2003/03

173 学会口頭発表
Ni探針を用いたスピン偏極STM
2003年(平成15年)春季第50回応用物理学関係連合講演会予稿集
28p-G-15

村原大介, 小林良幸, 山口浩一
2003/03

174 学会口頭発表
InAs2次元成長層のアニ-ルによる3次元ドット形成 (2)
2003年(平成15年)春季第50回応用物理学関係連合講演会予稿集
29a-YA-4

岩崎誠樹, 山口浩一
2003/03

175 学会口頭発表
高均一InAs量子ドットの積層成長
2003年(平成15年)春季第50回応用物理学関係連合講演会予稿集
29a-YA-6

鈴木康太, 大坪 亮, 山口浩一
2003/03

176 学会口頭発表
InAs量子ドットに結合したGaAsナノホールの自己形成
2003年(平成15年)春季第50回応用物理学関係連合講演会予稿集
28a-ZE-11

金 海燕, 大坪 亮, 山口浩一
2003/03

177 学会口頭発表
GaAs/GaSb量子ドットの成長温度依存性
2003年(平成15年)春季第50回応用物理学関係連合講演会予稿集
29a-YA-9

仲井貴紀, 岩崎誠樹, 山口浩一
2003/03

178 学会口頭発表
自己制限InAs量子ドット形成過程のInAs成長条件依存性 (2)
2003年(平成15年)春季第50回応用物理学関係連合講演会予稿集
28a-ZE-9

海津利行, 山口浩一
2003/03

179 学会口頭発表
1次元InAs量子ドット鎖の自己配列(3)
2003年(平成15年)春季第50回応用物理学関係連合講演会予稿集
28a-ZE-10

菅藤 徹, 山口浩一
2003/03

180 学会口頭発表
Observation of Spin Pauli Blocking in InAs High-Uniformity Quantum Dots
The 8th Symposium on the Physics and Application of Spin Related Phenomena in Semiconductors (PASPS-8)


M.Murayama, R.Ohtsubo, K.Kitamura, T.Kuroda, K.Yamaguchi, A.Tackeuchi
2002/12

181 学会口頭発表
高均一InAs量子ドットによるフォノンボトルネック現象の直接観測
2002年(平成14年) 秋季第63回応用物理学会学術講演会予稿集
26p-P13-16

北村崇光, 大坪 亮, 村山雅洋, 黒田剛正, 山口浩一, 竹内 淳
2002/09

182 学会口頭発表
高均一InAs量子ドットにおけるスピン偏極の観測
2002年(平成14年) 秋季第63回応用物理学会学術講演会予稿集
26a-ZA-6

村山雅洋, 大坪 亮, 北村崇光, 黒田剛正, 山口浩一, 竹内 淳
2002/09

183 学会口頭発表
1次元InAs量子ドット鎖の自己配列(2)
2002年(平成14年) 秋季第63回応用物理学会学術講演会予稿集
26p-P13-19

菅藤 徹, 山口浩一
2002/09

184 学会口頭発表
In表面偏析効果を促進したInAs量子ドットのPL特性
2002年(平成14年) 秋季第63回応用物理学会学術講演会予稿集
26p-P13-6

大坪 亮, 山口浩一
2002/09

185 学会口頭発表
GaSb/GaAs量子ドットの低成長速度・低Sb圧成長
2002年(平成14年) 秋季第63回応用物理学会学術講演会予稿集
25a-YD-4

岩崎誠樹, 山口浩一
2002/09

186 学会口頭発表
自己制限InAs量子ドット形成過程のInAs成長条件依存性
2002年(平成14年) 秋季第63回応用物理学会学術講演会予稿集
25a-YD-3

海津利行, 山口浩一
2002/09

187 学会口頭発表
1次元InAs量子ドット鎖の自己配列
2002年(平成14年)春季第49回応用物理学関係連合講演会予稿集
28p-YH-6

菅藤徹, 山口浩一
2002/03

188 学会口頭発表
InAs量子ドットのInGaAs/GaAs埋め込み成長
2002年(平成14年)春季第49回応用物理学関係連合講演会予稿集
28p-YH-5

大坪 亮, 齋藤佳邦, 山口浩一
2002/03

189 学会口頭発表
InAs2次元成長層のアニ-ルによる3次元ドット形成
2002年(平成14年)春季第49回応用物理学関係連合講演会予稿集
29a-ZQ-5

岩崎誠樹, 海津利行, 山口浩一
2002/03

190 学会口頭発表
InAs量子ドットの自己制限過程
2002年(平成14年)春季第49回応用物理学関係連合講演会予稿集
29a-ZQ-6

海津利行, 山口浩一
2002/03

191 学会口頭発表
GaAs探針を用いたスピン偏極STMの開発
2001年(平成13年)春季第48回応用物理学関係連合講演会予稿集
29p-ZE-7

三浦健,廣田栄伸,山口浩一
2001

192 学会口頭発表
InAs量子ドットの埋め込み成長過程(3) –MCシミュレーション-
2001年(平成13年)秋季第62回応用物理学会学術講演会予稿集
13a-YB-5

齋藤佳邦, 山口浩一
2001/09

193 学会口頭発表
InAs量子ドットの埋め込み成長過程(2) –成長温度依存性-
2001年(平成13年) 秋季第62回応用物理学会学術講演会予稿集
13a-YB-4

大坪 亮, 齋藤佳邦, 山口浩一
2001/09

194 学会口頭発表
InAsアイランドサイズの形成サイト依存性
2001年(平成13年) 秋季第62回応用物理学会学術講演会予稿集
12p-T-11

海津利行, 山口浩一
2001/09

195 学会口頭発表
光励起GaAs探針を用いたスピン偏極STM
2001年(平成13年)秋季第62回応用物理学会学術講演会 シンポジウム講演「SPMによるナノ領域のスピン計測」
12p-D-3

山口浩一, 三浦 健
2001/09

196 学会口頭発表
自己組織化InAsドットの初期形成過程
2001年(平成13年)春季第48回応用物理学関係連合講演会予稿集
29p-YD-6

市原 純,海津利行,山口浩一
2001/03

197 学会口頭発表
自己制限InAs量子ドットの形成過程(2)
2001年(平成13年)春季第48回応用物理学関係連合講演会予稿集
29p-YD-7

海津利行,山口浩一
2001/03

198 学会口頭発表
InAs量子ドットの埋め込み成長過程
2000年(平成12年)秋季第61回応用物理学会学術講演会予稿集,
4p-ZR-2 1150

斉藤佳邦,山口浩一
2000

199 学会口頭発表
自己組織化InAs量子ドットの低成長速度形成
2000年(平成12年)秋季第61回応用物理学会学術講演会予稿集,
3a-ZA-8 252

祐乗坊邦彦,海津利行,山口浩一
2000

200 学会口頭発表
自己制限InAs量子ドットの形成過程
2000年(平成12年)秋季第61回応用物理学会学術講演会予稿集,4p-ZR-3
1150

海津利行,山口浩一
2000

201 学会口頭発表
自己組織化InAs量子ドットの1次元配列現象
2000年(平成12年)春季第47回応用物理学関係連合講演会予稿集, 30p-K-9
486

川口和寿,山口浩一
2000

202 学会口頭発表
自己組織化InAs量子ドットの低As圧成長
2000年(平成12年)春季第47回応用物理学関係連合講演会予稿集, 29a-P8-7
324

祐乗坊邦彦,海津利行,山口浩一
2000

203 学会口頭発表
自己組織化InAs量子ドットサイズの自己制限効果(2)
2000年(平成12年)春季第47回応用物理学関係連合講演会予稿集, 30p-K-8
486

海津利行,祐乗坊邦彦,山口浩一
2000

204 学会口頭発表
スピン偏極STM用GaAsマイクロ探針における表面準位の効果
2000年(平成12年)春季第47回応用物理学関係連合講演会予稿集, 29p-A-17
665

廣田栄伸,篠原亮一,山口浩一
2000

205 学会口頭発表
自己組織化InAs量子ドットの高均一化―ドットサイズの自己制限効果―
電子情報通信学会技術研究報告(レーザ量子エレクトロニクス研究会)
LQE2000-16

山口浩一,海津利行,祐乗坊邦彦
2000/06

206 学会口頭発表
GaAs微細加工STM探針を用いたGaAsナノ構造の作製
1999年(平成11年)秋季第60回応用物理学会学術講演会予稿集, 3p-D-6
1188

難波孝善,山口浩一
1999

207 学会口頭発表
自己組織化InAs量子ドットサイズの自己制限効果
1999年(平成11年)秋季第60回応用物理学会学術講演会予稿集, 2p-D-3
1178

海津利行,山口浩一
1999

208 学会口頭発表
MBE成長におけるIn表面偏析効果のモンテカルロシミュレーション
1999年(平成11年)秋季第60回応用物理学会学術講演会予稿集, 1a-P2-1
1113

安田佳克,八木修平,山口浩一
1999

209 学会口頭発表
高均一InAs自己形成量子ドットの発光特性
1999年(平成11年)春季第46回応用物理学関係連合講演会予稿集, 30p-ZL-14
540

海津利行,寺澤博雄,山口浩一
1999

210 学会口頭発表
歪InGaAsバッファ層へのInAs量子ドットのMBE選択成長(2)
1999年(平成11年)春季第46回応用物理学関係連合講演会予稿集, 30p-ZL-16
541

平池忠浩,川口和寿,山口浩一
1999

211 学会口頭発表
円偏光励起GaAs探針の表面準位とスピン偏極信号の関係
1999年(平成11年)春季第46回応用物理学関係連合講演会予稿集, 29a-H-2
707

篠原亮一,山口浩一
1999

212 学会口頭発表
歪InGaAsスピン偏極電子源の作製
1998年(平成10年)秋季第59回応用物理学術講演会予稿集
17a-A-2

飯銅 剛,篠原亮一,山口浩一
1998

213 学会口頭発表
歪制御InGaAsバッファ層へのInAsドットのMBE選択成長
1998年(平成10年)秋季第59回応用物理学術講演会予稿集
17p-YG-1

平池忠浩,川口和寿,山口浩一
1998

214 学会口頭発表
円偏光励起GaAsマイクロ探針を用いたNi表面のSTM観察(3)
1998年(平成10年)秋季第59回応用物理学会学術講演会予稿集
16a-X-7

篠原亮一,飯銅 剛,山口浩一
1998

215 学会口頭発表
GaAs探針を用いたスピン偏極STMの問題点
第22回日本応用磁気学会学術講演会, 20aF-3


鈴木義茂,ワリッド・ナブハン,佐藤俊彦,篠原亮一,山口浩一
1998/09

216 学会口頭発表
光励起GaAsマイクロ探針を用いたNi薄膜表面のSTM観察
第22回日本応用磁気学会学術講演会,シンポジウム「スピン偏極走査型トンネル顕微鏡」, 20pA-4


篠原亮一,山口浩一,橋本 満,鈴木義茂,ワリッド・ナブハン
1998/09

217 学会口頭発表
Fabrication of GaAs microtips and its application to spin-sensitive scanning tunneling microscope
Extended Abstract of the 17th Electronic Materials Symposium, Izunagaoka, J8


R. Shinohara and K. Yamaguchi
1998/07

218 シンポジウム
Enhancement of Photoluminescence of InAs Quantum Dots grown on SiOx Films by Molecular Beam Deposition
The 7th Int. Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
P-09.

Y. Tanaka, K. Sasaki, A. Makaino and K. Yamaguchi
2019/09

219 シンポジウム
Fabrication of Mid-Infrared LEDs Using InAs/InGaAsSb Superlattice Structures Grown by MBE
The 7th Int. Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
P-29

K. Uno, N. Iijima and K. Yamaguchi
2019/09

220 シンポジウム
Fabrication of In-Plane Ultrahigh-Density InAs Quantum Dots and Their Quantum-Dot Laser Applications
SPIE Photonics Optics + Photonics 2019
11089-92.

M. Tanaka, K. Banba and K. Yamaguchi
2019/08

221 シンポジウム
Sunlight Concentration Properties of InAs/InAsSb Ultrahigh-Density Quantum -Dot Solar Cells
The 46th IEEE Photovoltaic Specialists Conference
B8-776.

K. Terada, T. Togawa, F. Ozeki, K. Sakamoto, T. Sogabe and K. Yamaguchi
2019/06

222 シンポジウム
Photoluminescence Mapping Analysis of In-Plane Ultrahigh-Density InAs/GaAsSb Quantum Dot Layers
Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019)
MOP-F-5

S. Tatsugi, R. Sugiyama and K. Yamaguchi
2019/05

223 シンポジウム
Fabrication of InAs Quantum Dots on SiOx Films by Molecular Beam Deposition
The 31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference
16D-9-2

A. Makaino, Y. Tanaka and K. Yamaguchi
2018/11

224 シンポジウム
Quantum Dot Technology for Optoelectronic Device Applications
Joint International Symposium of Energy and Environment between NU, KIT and UEC


K. Yamaguchi
2018/07

225 シンポジウム
Photoluminescence Mapping of In-Plane Ultrahigh-Density InAs Quantum Dots for Solar Cell Applications
The 7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-7)


S. Tatsugi, R. Sugiyama, T. Kato, T. Sogabe and K. Yamaguchi
2018/06

226 シンポジウム
Self-Formation of InAs Quantum Dots on Oxide/Semiconductor Substrates by Molecular Beam Deposition
Compound Semiconductor Week 2018 (CSW-2018)
Fr15PP-NS.12

K. Yamaguchi, A. Makaino, K. Sakamoto and T. Sogabe
2018/05

227 シンポジウム
Optical Transition and Carrier Transport in Type-II Heterostructures of Highly Dense InAs Quantum Dots on GaAsSb/GaAs
The 27th Int. Photovotaic Sicnece and Engineering Conference (PVSEC-27)
6ThPo.183.

R. Suzuki, R. Sugiyama, T. Sogabe and K. Yamaguchi
2017/11

228 シンポジウム
Light Interfererence Integrated Device Simulation in Thin Film InAs/GaAs Quantum Dot Solar Cell
The 27th Int. Photovotaic Sicnece and Engineering Conference (PVSEC-27)
6ThPo.185.

T. Sogabe, M. Mori, K. Sakamoto, K. Yamaguchi and T. Okada
2017/11

229 シンポジウム
Study on Carrier Dyanamics in Ultrahigh-Density InAs Quantum-Dot Layer for Solar Cell Applications
Int. Symp. Novel Energy Nanomaterials, Catalysts and Surface for Future Earth (NENCS)
2P-90, p.234.

R. Sugiyama, S. Tatsuki, T. Sogabe and K. Yamaguchi
2017/10

230 シンポジウム
Influence of Urback Tail on Fundamental Properties of Solar Cells Using In-Plane Ultrahigh-Density InAs Quantum Dots
Int. Symp. Novel Energy Nanomaterials, Catalysts and Surface for Future Earth (NENCS)
2P-89, p.233.

R. Suzuki, R. Sugiyama, T. Kato, T. Sogabe and K. Yamaguchi
2017/10

231 シンポジウム
Light Interference Integrated Device Simulation in Thin Film InAs/GaAs Quantum Dot Solar Cell
Int. Symp. Novel Energy Nanomaterials, Catalysts and Surface for Future Earth (NENCS)
O-56, p.84.

T. Sogabe, M. Mori, K. Sakamoto, K. Yamaguchi and Y. Okada
2017/10

232 シンポジウム
Photoluminescence Properties of In-Plane Ultrahigh-Density InAs Quantum Dots on GaAsSb/GaAs(001) for Solar Cell Applications
The 44th IEEE Photovoltaic Specialists Conference
A25.

R. Sugiyama, N. Akimoto, T. Sogabe and K. Yamaguchi
2017/06

233 シンポジウム
Self-Formation of In-Plane Ultrahigh-Density InAs Quantum Dots and Their Photoluminescence Properties
Compound Semiconductor Week 2017 (CSW-2017)
P2-22.

S. Oikawa, A. Makaino, T. Sogabe and K. Yamaguchi
2017/05

234 シンポジウム
Investigation of Hot Carrier Transportation Dynamics in InAs/GaAs Quantum Dot Solar Cell
The 26th Photovotaic Sicnece and Engineering Conference (PVSEC-26)
1.2.3f

T. Sogabe, K. Nii, Y. Minami, K. Sakamoto, K. Yamaguchi
2016/10

235 シンポジウム
Photoluminescence and Photovoltaic Properties of Ultrahigh Density InAs Quantum Dots on InAsSb/GaAs(001)
The 26th Photovotaic Sicnece and Engineering Conference (PVSEC-26)
1_1-0017

K. Nii, Y. Minami, K. Sakamoto, T. Sogabe, K. Yamaguchi
2016/10

236 シンポジウム
Photo-Conductance Properties of Ultrahigh-Density InAs/GaAsSb Quantum Dots
The 42nd IEEE Photovoltaic Specialists Conference
A3-731

N.Akimoto, S.Uchida and K.Yamaguchi
2015/06

237 シンポジウム
Sun-Concentration Properties and Two-Step Photoexcitation Effects of In-Plane High-Density InAs/GaAsSb Quantum Dot Layers
The 7th International Symposium on Innovative Solar Cells


K. Uchida, S. Uchida, K. Sakamoto and K. Yamaguchi
2015/01

238 シンポジウム
Intermediate-Band Formation of Ultrahigh-Density InAs/GaAsSb Quantum Dots
The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6)


S. Uchida, K. Uchida, K. Sakamoto and K. Yamaguchi
2014/11

239 シンポジウム
Fabrication of GaAs/AlAs Micro-Pillar Cavities Including Low-Density InAs Quantum Dots and Their Photoluminescence Properties
27th International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC2014)
6A-6-4

H.Yamashita, Y.Takahashi and K.Yamaguchi
2014/11

240 シンポジウム
Long Photoluminescence Decay Time of In-Plane Ultrahigh-Density InAs Quantum Dots on GaAsSb/GaAs(001)
The 8th International Conference on Semiconductor Quantum Dots(QD-2014)
M-140

M.Shiokawa, S.Uchida, and K.Yamaguchi
2014/05

241 シンポジウム
Self Formation of In-Plane Ultrahigh-Density InAs(Sb)/GaAs(Sb) Quantum Dots and Their Solar Cell Applications
The 6th International Symposium on Innovative Solar Cells


H. Hoshino, M. Shiokawa, K. Uchida, K. Sakamoto and K. Yamaguchi
2014/01

242 シンポジウム
Quantum-Dot Density Dependences of Power Conversion Efficiency for Intermediate-Band Solar Cells
2013 JSAP-MRS Joint Symposia


K. Uchida, K. Sakamoto and K. Yamaguchi
2013/09

243 シンポジウム
Long Carrier Lifetime in Ultrahigh-Density InAs Quantum-Dot Sheet of Intermediate Band Solar Cells
39th IEEE Photovoltaic Specialists Conference
B21-101

M. Shiokawa, K. Sakamoto and K. Yamaguchi
2013/06

244 シンポジウム
Self-Formation of Ultrahigh Density InAs Quantum Dots on InAsSb/GaAs Layers
The 40th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS2013)


Takuya Sano, Edes Saputra, and Koichi Yamaguchi
2013/05

245 シンポジウム
1.5-μm Surface Emission of InAs Quantum Dots with GaAs-Nanohole Capping Layers
The 40th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS2013)


Yuta Takahashi, Noriyuki Kawamoto, Hiroyuki Yamashita, and Koichi Yamaguchi
2013/05

246 シンポジウム
Self-formation of In-plane ultrahigh-density InAs quantum dots for intermediate-band solar cells
The 5th International Symposium on Innovative Solar Cells


M. Shiokawa, T. Sano, K. Uchida, K. Sakamoto, and K. Yamaguchi
2013/01

247 シンポジウム
Wideband Luminescence from High-Density InAs QDs on GaAsSb/Gaas Layers
17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2012)
Th-57, 311

Y. Osaka, H. Tanabe, K. Yamada and K. Yamaguchi
2012/09

248 シンポジウム
Self-Formation of Ultrahigh Density InAs Quantum Dots on GaAs(001) Substrates by Sb-Mediated MBE Growth
The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2012)
TuP-39, 170

E. Saputra, T. Sano, J. Ohta and K. Yamaguchi
2012/09

249 シンポジウム
Intermediate-Band Solar Cells Using In-Plane Ultrahigh Density InAs/GaAsSb Quantum Dot Sheets
38th IEEE Photovoltaic Specialists Conference
B13-20

Y. Eguchi, M. Shiokawa, K. Sakamoto and K. Yamaguchi
2012/06

250 シンポジウム
Solar Cell Applications of In-Plane Ultrahigh Density InAs/GaAsSb Quantum Dots
The 4th International Symposium on Innovative Solar Cells


Y.Eguchi, H.Fujita, J.Ohta, M.Shiokawa, K.Samoto and K.Yamaguchi
2012/03

251 シンポジウム
In-Plane High Density InAs Quantum Dots on GaAs/Ge(001) for Solar Cell Applications
The 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference
2D-4P-08, 458

S. Matsuzaki, H. Hirano, Y. Sakamoto and K. Yamaguchi
2011/11

252 シンポジウム
面内超高密度InAs量子ドットの太陽電池への応用
2011年(平成23年)第8回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム


江口陽亮,藤田浩輝,太田潤,山口浩一
2011/06

253 シンポジウム
ナノフォトニクス半導体量子ドットの自己形成制御
2010年(平成22年)春季第57回応用物理学関係連合講演会 シンポジウム講演「ナノフォトニクスを支えるナノ加工」,2010年(平成22年)春季第57回応用物理学関係連合講演会 シンポジウム講演「ナノフォトニクスを支えるナノ加工」
18p-N-5, 180

山口浩一
2010

254 シンポジウム
超低密度InAs量子ドットの自己形成制御
2010年(平成22年)東京京農工大学・電気通信大学 第7回合同シンポジウム 「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」 合同シンポジウム


柳澤拓弥,小川善秀,山口浩一
2010/12

255 シンポジウム
半導体ナノ構造の最近の展開 -量子ドットの自己形成-



山口浩一
2010/01

256 シンポジウム
半導体量子ドットの自己形成制御
「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」 合同シンポジウム


山口浩一
2009/12

257 シンポジウム
高密度InAs量子ドットの時間分解X線回折測定とSb照射成長中断法による高品質化
電気通信大学・東京京農工大学 第6回合同シンポジウム 「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」 合同シンポジウム


角田直輝 ,山口浩一,海津利行,高橋正光,藤川誠司
2009/12

258 シンポジウム
太陽電池用高密度InAs量子ドットのGe基板上への成長
2009年(平成21年)電気通信大学・東京京農工大学 第6回合同シンポジウム


瀬尾崇志,平野和浩,山口浩一
2009/12

259 シンポジウム
断続供給法による低密度InAs量子ドットの自己形成制御
2008年(平成20年)東京農工大学・電気通信大学 合同シンポジウム 「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」 第5回合同シンポジウム予稿集
P76 p.86

P. Ponlachet, 山口浩一
2008/12

260 シンポジウム
自己形成GaAsナノホールを用いたGaSb/GaAs層上高密度InAs量子ドットの近接積層成長
2008年(平成20年)東京農工大学・電気通信大学 合同シンポジウム 「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」 第5回合同シンポジウム予稿集
P75 p.85

関口修司, 山口浩一
2008/12

261 シンポジウム
Self-Formation Control of Low-Density InAs Quantum Dots by Intermittent Supply and Anneal Method
公開シンポジウム「ナノ光・電子デバイスと量子情報エレクトロニクス」
P-4 pp.45-46

P.Patchakapat and K.Yamaguchi
2007/03

262 シンポジウム
Self-Formation of High-Density InAs Quantum Dots on GaSb/GaAs by Molecular Beam Epitaxy
公開シンポジウム「ナノ光・電子デバイスと量子情報エレクトロニクス」
P-3 pp.43-44

R.Takashima and K.Yamaguchi
2007/03

263 国際会議招待講演
Fabrication of III-V Compound Semiconductor Quantum Dots and Their Device Applications
Silver Jubilee Advanced Functional Materials Congress (AFMC-25)


K. Yamaguchi
2019/03

264 国際会議招待講演
Fabrication of Ultrahigh-Density GaAsSb/InAsSb Quantum Dots and Their Photovoltaic Applications
Collaborative Conference on 3D & Materials Research (CC3DMR) 2016


K. Yamaguchi
2016/06

265 国際会議招待講演
Self-Formation of Ultrahigh-Density InAs Quantum Dots for Intermediate-Band Solar Cell Applications
SPIE Photonics West 2016 [invited]


K. Yamaguchi, K. Sameshima, K. Sakamoto, K. Nii
2016/02

266 国際会議招待講演
Fabrication of Ultrahigh-Density InAs Quantum Dot Layers and Their In-Plane Carrier Transport Properties
The 5th Int. Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures [invited]


K.Yamaguchi
2015/09

267 国際会議招待講演
Self-Formation of In-Plane Ultrahigh Density InAs Quantum Dots for Solar Cell Applications
4th International Workshop on Quantum Nanostructure Solar Cells/8th Seminar on Quantum Nanostructure Materials


Koichi Yamaguchi
2012/12

268 国際会議招待講演
Self-Formation of In-Plane Ultrahigh-Density InAs Quantum Dots and Their Solar Cell Applications
2012 EMN Meeting


Koichi Yamaguchi
2012/04

269 国際会議招待講演
Self-Formation Control of GaAs/InAs Quantum Dots for Solar Cells with Intermediate Bands"
The Japan-China Workshop on Sensitized Solar Cells


K.Yamaguchi, N.Tsukiji, S.Sekiguchi, T.Seo, J.Ohta and T.Inaji
2010/02

270 国際会議招待講演
Invited) Density Control of Self-Assembled InAs/GaAs Quantum Dots



K.Yamaguchi, N.Kakuda, S.Sekiguchi and Y.Kanemaru
2009/08

271 国際会議招待講演
Progress in Size Uniformity and Density Control of Self-Assembled InAs Quantum Dots
Joint Conferences on Interaction Among Nanostrcutures (VC-IAN 2008)


K.Yamaguchi, T.Kanto, N.Kakuda, N.Tsukiji and P.Polachet
2008/02

272 国際会議招待講演
Sb-Mediated Growth of Self-Assembled InAs Quantum Dots by Molecular Beam Epitaxy
5th Int. Workshop on Semiconductor Surface Passivation (SSP-2007)


K.Yamaguchi, T.Kanto and N.Kakuda
2007/09

273 国際会議招待講演
Self-Formation of High-Density and High-Uniformity InAs Quantum Dots for Optical Communication Devices
SPIE Optics East 2007, Next-Generation Photonic Sensor Technologies Conference


Koichi Yamaguchi, Naoki Kakuda, Toru Kanto and Masahiko Ohta
2007/09

274 国際会議招待講演
Sb-Mediated Stranski-Krastanov Growth of High-Density InAs Quantum Dots on GaAs(001)
Int. Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures


K.Yamaguchi
2006

275 国際会議招待講演
Spin Relaxation and Antiferromagnetic Coupling in Semiconductor Quantum Dots
12th Int. Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-12)


A.Takeuchi, T.Kuroda, K.Yamaguchi, Y.Nakata, N.Yokoyama and T.Takagahara
2005/07

276 国際会議招待講演
(Invited) Self-Formation of InAs Quantum Nanostructures – Uniform Quantum Dots, Quantum-Dot Chains and Nanoholes -
8 th IUMRS Int.Conference on Advanced Materials 2003 (IUMRS-ICAM 2003)


K.Yamaguchi, T.Kaizu, T.Kanto and Y.Suzuki
2003/10

277 国際会議招待講演
(Invited) Self Formation of Uniform Quantum Dots and One-Dimensional Quantum-Dot Chains



Koichi Yamaguchi
2002/10

278 国際会議招待講演
(Invited) Self Size-Limiting Growth of Uniform InAs Quantum Dots by Molecular Beam Epitaxy

F-7-1

Koichi Yamaguchi, Toshiyuki Kaizu, Ryou Ohtsubo, Seiki Iwasaki
2002/09

279 国際会議招待講演
(Invited)Facet Formation of InAs Quantum Dots grown by Molecular Beam Epitaxy



T.Kaizu and K.Yamaguchi
2001/03

280 国際会議招待講演
(invited)Spin-Polarized Scanning Tunneling Microscope Using Optically Pumped GaAs Microtip



K. Yamaguchi, R. Shinohara and M. Hashimoto
1998/09

281 国際会議招待講演
(Invited) Spin-Sensitive Scanning Tunneling Microscope Using GaAs Optically Pumped Tips
3rd Int. Symposium on Metallic Multilayers


Y.Suzuki, W.Nabhan, K.Yamaguchi and T.Katayama
1998/06

282 国際会議招待講演
(Invited) Selective Epitaxial Growth of AlGaAs by MOCVD Using Dialkylmetalchloride
2nd Int. Meeting on Advanced Processing and characterization Technologies (APCT-2)


K.Yamaguchi and K.Okamoto
1991/05

283 国内会議招待講演
量子現象利用デバイス技術動向
平成29年度 JEITA 先端電子材料・デバイス技術フォーラム~材料科学の視点から見えてくる実現可能な世界~


山口浩一
2017

284 国内会議招待講演
自己形成量子ドットの進展
2017年(平成29年)第78回応用物理学会秋季学術講演会 シンポジウム講演「革新デバイスを支えるⅢ-Ⅴ族半導体の成長技術」【招待講演】


山口浩一
2017/09

285 国内会議招待講演
量子ドットのデバイス応用
太陽光発電プロジェクト講演会(宮崎大)


山口浩一
2017/03

286 国内会議招待講演
自己形成量子ドットの作製技術とデバイス応用
第49回基礎科学部会セミナー「低次元形態セラミックスの機能と構造制御」


山口浩一
2015/07

287 国内会議招待講演
自己形成量子ドットはどこまで制御できるか
2013年(平成25年)春季第60回応用物理学関係連合講演会 シンポジウム講演「半導体量子ドット成長技術・物性評価の最前線【招待講演】


山口浩一
2015/03

288 国内会議招待講演
半導体量子ドットの結晶成長技術と光デバイス応用の展開
日本セラミックス協会ガラス部会フォトニクス分科会【招待講演】


山口浩一
2015/01

289 国内会議招待講演
面内超高密度InAs量子ドットの自己形成とその特性評価
第9回量子ナノ材料セミナー


山口浩一
2013/11

290 国内会議招待講演
ナノひずみ制御による超高密度InAs 量子ドットの自己形成
とそのデバイス応用
2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会


山口浩一
2012/03

291 国内会議招待講演
光デバイス応用に向けたInAs量子ドットの高密度・高均一成長
応用物理学会結晶工学分科会第132回研究会


山口浩一,角田直輝,築地伸和,関口修司,太田潤,海津利行,高橋正光
2010

292 国内会議招待講演
量子ドット型太陽電池へ向けた量子ドットの面内超高密度化と長キャリア寿命化
第6回量子ナノ材料セミナー


山口浩一
2010/10

293 国内会議招待講演
自己形成量子ドットの精密制御法の展開



山口浩一
2009/10

294 国内会議招待講演
Sb導入InAs/GaAs系量子ドットの自己形成制御 -均一性、サイズ、密度はどこまで制御できるか-



山口浩一
2009/07

295 国内会議招待講演
高密度InAs量子ドットの自己形成



山口浩一
2005/10

296 国内会議招待講演
高均一量子ドットの成長条件とその物理的起源



山口浩一
2003/09

297 国内会議招待講演
光励起GaAs探針を用いたスピン偏極STM

12p-D-3

山口浩一, 三浦 健
2001/09

298 その他講演
「 InP基板上のInAs/InGaAsSb type-Ⅱ超格子構造の中赤外LED の作製(2)」
2020年第67回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集13p-PA5-9(2020)


飯嶋 直人,宇野 江,坂本 克好,山口 浩一
2020

299 その他講演
「Si(111)基板上へのGaAsSb/InAsコアシェル・ナノワイヤのMBE成長」
2020年第67回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集13p-PA5-5(2020)


柿澤 俊太,田中 広也,坂本 克好,山口 浩一
2020

300 その他講演
「面内超高密度InAs量子ドット層を導入した量子ドットレーザの作製」
2020年第67回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集13p-PA5-1(2020)


馬場 慶一郎,田中 元幸,山口 浩一
2020

301 その他講演
「面内超高密度InAs 量子ドット層における中間バンド形成」
2020年第67回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集14a-PA5-2(2020)


加藤 彬紘,立木 象,山口 浩一
2020

302 その他講演
「分子線堆積法によるガラス基板上へのInAs量子ドットの自己形成」
2020年第67回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集12p-D215-6(2020)


田中 優太,佐々木 一夢,山口 浩一
2020

303 その他講演
量子ドット太陽電池の開発 超高密度量子ドットセル
革新的太陽光発電カンファレンス2011(NEDO)


山口浩一,太田潤,藤田浩輝,江口陽亮
2011/11

304 その他講演
時間分解ポンププローブ反射計測による高均一InAs量子ドットのスピン緩和の観測
2011年(平成23年)春季第58回応用物理学関係連合講演会予稿集,2011年(平成23年)春季第58回応用物理学関係連合講演会


笹山和俊,太田潤,貫井貴夫,中西奏太,山口浩一,竹内淳
2011/03

305 その他講演
InAs/GaAs量子ドットの自己形成過程におけるGa導入効果
2011年(平成23年)春季第58回応用物理学関係連合講演会予稿集,2011年(平成23年)春季第58回応用物理学関係連合講演会


エデスサプトラ,山口浩一
2011/03

306 その他講演
面内超高密度InAs量子ドット構造におけるキャリアの空間分離とその長寿命化
2011年(平成23年)春季第58回応用物理学関係連合講演会予稿集,2011年(平成23年)春季第58回応用物理学関係連合講演会


太田潤,山口浩一
2011/03

307 その他講演
GaAsSbバッファ層上のInAs量子ドット成長における面内超高密度化
2011年(平成23年)春季第58回応用物理学関係連合講演会予稿集,2011年(平成23年)春季第58回応用物理学関係連合講演会


船原一祥,太田潤,山口浩一
2011/03

308 その他講演
面内超高密度InAs量子ドットの太陽電池への応用
2011年(平成23年)春季第58回応用物理学関係連合講演会予稿集,2011年(平成23年)春季第58回応用物理学関係連合講演会


藤田浩輝,山本和輝,江口陽亮,山口浩一
2011/03

309 その他講演
量子ドット超格子構造太陽電池の研究開発(量子ドットの高均一・高密度化技術)
NEDO新エネルギー技術開発成果報告会2010


太田潤, 山口浩一
2010/07

310 その他講演
InAs wetting layer formation on Sb irradiated GaAs(001) observed by in-situ STM inside MBE growth chamber



N.Kakuda, S.Tsukamoto, K.Yamaguchi, Y.Arakawa
2006/07

311 その他講演
接場光学顕微鏡によるタイプIIGaSb/GaAs量子ドットイメージング・分光



松田一成, 金光義彦, 杉本義明, 斎木敏治, 山口浩一, S. Nair
2005/07

312 その他講演
半導体量子ドットの自己形成制御 -高均一量子ドット, 量子ドット鎖, 量子ドットに結合したナノホール-



山口浩一
2003/12

313 その他講演
Observation of Spin Relaxation, Tunneling, Anti-ferromagnetic coupling and Pauli Blocking in Quantum Dots



A.Takeuchi, R.Ohtsubo, M.Murayama, K.Kitamura, T.Kuroda, Y.Nakata, N.Yokoyama and K.Yamaguchi
2003/06

314 その他委員会報告等
量子ドット利用デバイス技術動向
平成27年度 JEITA 先端電子材料・デバイス技術フォーラム~IT・エレクトロニクスが支える将来~


山口浩一
2015/07

315 その他委員会報告等
金属および半導体探針を用いた磁性体表面のSTS及びSP-STM
科研費補助金創成的基礎研究費研究会(表面・界面,異なる対称性の接点の物性)


川越毅,鈴木義茂,篠原亮一,山口浩一
2001/01

316 その他委員会報告等
GaAsおよび強磁性探針を用いたスピン偏極STMの研究
科研費補助金創成的基礎研究費研究会(表面・界面―異なる対称性の接点の物性)


鈴木義茂,川越 毅,Walid NABHAN,山口浩一,篠原亮一
2000/01

317 その他委員会報告等
GaAs微細加工探針を用いたスピン偏極STMの試みと問題点
科研費研究会(表面・界面-異なる対称性の接点の物性)


鈴木義茂,篠原亮一,山口浩一,W. Nabhan,佐藤俊彦
1999/01