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電気通信大学
国際教育センター
准教授
中井 日佐司
ナカイ ヒサシ
HISASHI NAKAI
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学歴
東海大学 工学部 応用物理学科 1986/03 卒業
横浜国立大学 工学研究科 生産工学専攻 博士前期 1988/03 修了
横浜国立大学 工学研究科 生産工学専攻 博士後期 1991/08 単位取得満期退学
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学位
工学修士 横浜国立大学 1988/03
博士(工学) 横浜国立大学 1995/03
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学内担当授業科目
2022 基礎物理学演習第一 前期 学部(昼間)
2022 情報処理演習第一 前期 学部(昼間)
2022 日本の科学と技術Ａ 前期 学部(昼間)
2022 基礎物理学演習第二 後期 学部(昼間)
2022 情報処理演習第二 後期 学部(昼間)
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現在の専門分野
ナノ構造物理
薄膜・表面界面物性
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研究キーワード
金属薄膜初期成長過程の漸近的性質
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現在の研究課題
金属薄膜の初期成長過程 2005-現在 金属結晶サイズの速度方程式によって，ナノ結晶の成長過程を理解する．
クロム下地層を持った銅薄膜の電気的性質 クロム 銅 比抵抗
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論文
一般論文 有 点状島初期成長におけるサイズ分布のWidom型スケーリング解析 単著 中井 日佐司 電気通信大学紀要 34/ 1, 23-31 2022/02/01
10.18952/00010047
一般論文 有 ４次元点状島初期成長における捕獲領域分布のスケーリング解 単著 中井 日佐司 電気通信大学紀要 32/ 1, 47-53 2020/02/01
10.18952/00009421
一般論文 有 薄膜点状島初期成長における平均捕獲数の空間次元依存性 単著 中井 日佐司 電気通信大学紀要 31/ 1, 97-103 2019/02/01 0915-0935
10.18952/00008923
一般論文 有 極小モデルに基づいた薄膜点状島初期成長のスケーリング理論 単著 中井 日佐司 電気通信大学紀要 30/ 1, 300107- 2018/02/01
URL
一般論文 有 一次元薄膜初期成長における局所累積サイズの漸近解析 単著 中井 日佐司 電気通信大学紀要 29/ 1, 290105- 2017/02/01
URL
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公開講座・講演会等
9.16電通大「模擬授業＆ガイダンス」in淑徳日本語学校 キュートジャポン 2016/09/16 学校法人 大乗淑徳学園 淑徳日本語学校(東京都板橋区前野町 5-24-8)
電気通信大学 進学ガイダンス&体験授業 @長沼スクール キュートジャポン 2013/06/13 長沼スクール(東京日本語学校，東京都渋谷区南平台町16-26
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所属学協会
応用物理学会 1987-現在
日本顕微鏡学会 1997/03/01-2012/10/31
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社会貢献活動
地域支援等への参画 三多摩ホームビジット趣旨説明、送り出し 2012/11-現在
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学内委員会等
学域教育委員会 委員 2022/04-2024/03
交換留学派遣学生選考面接員(2月3名) 面接員および進行 2022/02-2022/02
交換留学派遣学生選考面接員(2月2名) 面接員および進行 2021/02-2021/02
交換留学派遣学生選考面接員(8月2名) 面接員および進行 2020/08-2020/08
学生支援センター会議 構成員 2020/04-2022/03
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その他独自活動
2021 日本語学校における外国人学生のための進学説明会(学域)(キュートジャポン主催・長沼スクール（東京日本語学校）)において進学希望外国人学生向けにオンライン説明を実施．2021/09/03．
2020 日本語学校における外国人学生のための進学説明会(大学院・学域)(キュートジャポン主催・ＫＣＰ地球市民日本語学校)において進学希望外国人学生向けにオンライン説明を実施．2020/7/20．
2020 外国人学生のための進学説明会(大学院限定)(株式会社アクセス ネクステージ主催)において大学院・研究生に進学希望外国人学生向けにオンライン説明を実施．2020/6/19． GoogleSitesを利用して，説明用WebSitesを作成した．
2020 オープンキャンパスにおいて、留学生に対する個別入試説明。2021/07/18
2020 オープンキャンパスにおいて、留学生に対する入試説明。2020/07/19
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