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電気通信大学
国際教育センター
講師
中井 日佐司
ナカイ ヒサシ
HISASHI NAKAI
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学歴
東海大学 工学部 応用物理学科 1986/03 卒業
横浜国立大学 工学研究科 生産工学専攻 博士前期 1988/03 修了
横浜国立大学 工学研究科 生産工学専攻 博士後期 1991/08 単位取得満期退学
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学位
工学修士 横浜国立大学 1988/03
工学博士 横浜国立大学 1995/03
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学内担当授業科目
2018 基礎物理学演習第一 前期 学部(昼間) 専門科目
2018 日本の科学と技術A 前期 学部(昼間) 専門科目
2018 情報処理演習第一 前期 学部(昼間) 専門科目
2018 基礎物理学演習第二 後期 学部(昼間) 専門科目
2018 情報処理演習第二 後期 学部(昼間)
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現在の専門分野
ナノ構造物理
薄膜・表面界面物性
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研究キーワード
金属薄膜初期成長過程の漸近的性質
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現在の研究課題
金属薄膜の初期成長過程 2005-現在 金属結晶サイズの速度方程式によって,ナノ結晶の成長過程を理解する.
クロム下地層を持った銅薄膜の電気的性質 クロム 銅 比抵抗
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論文
一般論文 有 極小モデルに基づいた薄膜点状島初期成長のスケーリング理論 単著 中井 日佐司 電気通信大学紀要 30/ 1, 300107- 2018/02/01
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一般論文 有 一次元薄膜初期成長における局所累積サイズの漸近解析 単著 中井 日佐司 電気通信大学紀要 29/ 1, 290105- 2017/02/01
URL
一般論文 有 電気通信大学におけ学部留学生対象の情報処理演習 単著 中井 日佐司 多摩留学生教育研究論集 10, 31-35 2016/03 1881-2767
一般論文 有 q シフト因子の対数に関するベキ級数展開とその解析 単著 中井 日佐司 電気通信大学紀要 28/ 1, 1-9 2016/02/02 0915-0935
URL
一般論文 有 一次元薄膜初期成長における結晶核間隔の数値解とその誤差評価 単著 中井 日佐司 電気通信大学紀要 27/ 1, 37-43 2015/02/27 0915-0935
URL
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公開講座・講演会等
9.16電通大「模擬授業&ガイダンス」in淑徳日本語学校 キュートジャポン 2016/09/16 学校法人 大乗淑徳学園 淑徳日本語学校(東京都板橋区前野町 5-24-8)
電気通信大学 進学ガイダンス&体験授業 @長沼スクール キュートジャポン 2013/06/13 長沼スクール(東京日本語学校,東京都渋谷区南平台町16-26
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所属学協会
応用物理学会 1987-現在
日本顕微鏡学会 1997/03-2012/11
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社会貢献活動
地域支援等への参画 三多摩ホームビジット趣旨説明、送り出し 2012/11-現在
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学内委員会等
交換留学派遣学生選考面接員(2月1名) 面接員および進行 2018/02-2018/02
情報システム運用 ネットワーク部局運用責任者 2017/09-現在
交換留学派遣学生選考面接員(8月2名) 面接員および進行 2017/08-2017/08
私費留学生奨学金推薦WG 私費留学生奨学金推薦順位決定,順位決定の方針策定および確認、面接実施 2017/04-現在
私費留学生奨学金推薦WG 私費留学生奨学金推薦順位決定,順位決定の方針策定および確認、面接実施 2016/04-現在
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その他独自活動
2017 電気通信大学オープンキャンパスにおいて、留学生に対する入試説明。2017/07/16
2017 電気通信大学大学院オープンラボにおいて、留学生に対する入試説明。2017/06/03
2017 INFOSS情報倫理 2017年受講・修了
2017 「6.9進学フェアinJCLI日本語学校」における大学紹介・私費留学生入試に関する説明。2017/06/09。
2017 「大学/大学院 進学ガイダンス in 東京ギャラクシー日本語学校」における大学紹介・私費留学生入試に関する説明。2017/06/05。
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