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電気通信大学 
国際教育センター 

講師 
中井 日佐司 
ナカイ ヒサシ 
HISASHI NAKAI 

 

学歴
東海大学  工学部  応用物理学科  1986/03  卒業 
横浜国立大学  工学研究科  生産工学専攻  博士前期  1988/03  修了 
横浜国立大学  工学研究科  生産工学専攻  博士後期  1991/08  単位取得満期退学 

学位
工学修士  横浜国立大学  1988/03 
工学博士  横浜国立大学  1995/03 

学内担当授業科目
2019  基礎物理学演習第一  前期  学部(昼間) 
2019  日本の科学と技術A  前期  学部(昼間) 
2019  情報処理演習第一  前期  学部(昼間) 
2019  基礎物理学演習第二  後期  学部(昼間) 
2019  情報処理演習第二  後期  学部(昼間) 
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現在の専門分野
ナノ構造物理 
薄膜・表面界面物性 

研究キーワード
金属薄膜初期成長過程の漸近的性質 

現在の研究課題
金属薄膜の初期成長過程  2005-現在  金属結晶サイズの速度方程式によって,ナノ結晶の成長過程を理解する. 
クロム下地層を持った銅薄膜の電気的性質  クロム 銅 比抵抗 

論文
一般論文  有  極小モデルに基づいた薄膜点状島初期成長のスケーリング理論  単著  中井 日佐司  電気通信大学紀要  30/ 1, 300107-  2018/02/01  URL 
一般論文  有  一次元薄膜初期成長における局所累積サイズの漸近解析  単著  中井 日佐司  電気通信大学紀要  29/ 1, 290105-  2017/02/01  URL 
一般論文  有  電気通信大学におけ学部留学生対象の情報処理演習  単著  中井 日佐司  多摩留学生教育研究論集  10, 31-35  2016/03  1881-2767 
一般論文  有  q シフト因子の対数に関するベキ級数展開とその解析  単著  中井 日佐司  電気通信大学紀要  28/ 1, 1-9  2016/02/02  0915-0935  URL 
一般論文  有  一次元薄膜初期成長における結晶核間隔の数値解とその誤差評価  単著  中井 日佐司  電気通信大学紀要  27/ 1, 37-43  2015/02/27  0915-0935  URL 
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公開講座・講演会等
9.16電通大「模擬授業&ガイダンス」in淑徳日本語学校  キュートジャポン  2016/09/16  学校法人 大乗淑徳学園 淑徳日本語学校(東京都板橋区前野町 5-24-8) 
電気通信大学 進学ガイダンス&体験授業 @長沼スクール  キュートジャポン  2013/06/13  長沼スクール(東京日本語学校,東京都渋谷区南平台町16-26 
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所属学協会
応用物理学会  1987-現在 
日本顕微鏡学会  1997/03-2012/11 
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社会貢献活動
地域支援等への参画  三多摩ホームビジット趣旨説明、送り出し  2012/11-現在 
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学内委員会等
交換留学派遣学生選考面接員(6月2名)  面接員および進行  2018/06-2018/06 
学生支援センター会議  委員  2018/04-現在 
交換留学派遣学生選考面接員(2月1名)  面接員および進行  2018/02-2018/02 
情報システム運用  ネットワーク部局運用責任者  2017/10-現在 
交換留学派遣学生選考面接員(8月2名)  面接員および進行  2017/08-2017/08 
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その他独自活動
2018  電気通信大学大学院オープンラボにおいて、留学生に対する入試説明。2018/06/02 
2018  「平成30年度外国人学生のための進学説明会」における大学紹介・私費留学生入試に関する説明。2018/07/08。 
2018  平成30年度日本留学フェア(韓国)において、留学希望者への大学紹介、および、事後質問への回答。2018/09/09。 
2018  「国・効率大学・大学院進学フェア at 長沼スクール」における大学紹介・私費留学生入試に関する説明。2018/08/22。 
2018  6.11大学・大学院フェア@東京中央日本語学院において、進学希望留学生に対し、学域・研究科の入試について情報提供し、類や専攻選択について相談を受けた。また、オープンキャンパス開催を広報し、来場するように勧めた。 
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