English

電気通信大学  国際教育センター

講師  中井　日佐司  ナカイ　ヒサシ  HISASHI　NAKAI

■ 学歴 東海大学  工学部  応用物理学科  1986/03  卒業  横浜国立大学  工学研究科  生産工学専攻  博士前期  1988/03  修了  横浜国立大学  工学研究科  生産工学専攻  博士後期  1991/08  単位取得満期退学    ■ 学位 工学修士  横浜国立大学  1988/03  工学博士  横浜国立大学  1995/03    ■ 学内担当授業科目 2018  基礎物理学演習第一  前期  学部(昼間)  専門科目  2018  日本の科学と技術Ａ  前期  学部(昼間)  専門科目  2018  情報処理演習第一  前期  学部(昼間)  専門科目  2018  基礎物理学演習第二  後期  学部(昼間)  専門科目  2018  情報処理演習第二  後期  学部(昼間)  詳細表示...   ■ 現在の専門分野 ナノ構造物理  薄膜・表面界面物性    ■ 研究キーワード 金属薄膜初期成長過程の漸近的性質    ■ 現在の研究課題 金属薄膜の初期成長過程  2005-現在  金属結晶サイズの速度方程式によって，ナノ結晶の成長過程を理解する．  クロム下地層を持った銅薄膜の電気的性質  クロム 銅 比抵抗    ■ 論文 一般論文  有  極小モデルに基づいた薄膜点状島初期成長のスケーリング理論  単著  中井　日佐司  電気通信大学紀要  30/ 1, 300107-  2018/02/01  URL  一般論文  有  一次元薄膜初期成長における局所累積サイズの漸近解析  単著  中井　日佐司  電気通信大学紀要  29/ 1, 290105-  2017/02/01  URL  一般論文  有  電気通信大学におけ学部留学生対象の情報処理演習  単著  中井　日佐司  多摩留学生教育研究論集  10, 31-35  2016/03  1881-2767  一般論文  有  q シフト因子の対数に関するベキ級数展開とその解析  単著  中井　日佐司  電気通信大学紀要  28/ 1, 1-9  2016/02/02  0915-0935  URL  一般論文  有  一次元薄膜初期成長における結晶核間隔の数値解とその誤差評価  単著  中井　日佐司  電気通信大学紀要  27/ 1, 37-43  2015/02/27  0915-0935  URL  詳細表示...   ■ 公開講座・講演会等 9.16電通大「模擬授業＆ガイダンス」in淑徳日本語学校  キュートジャポン  2016/09/16  学校法人 大乗淑徳学園 淑徳日本語学校(東京都板橋区前野町 5-24-8)  電気通信大学 進学ガイダンス&体験授業 @長沼スクール  キュートジャポン  2013/06/13  長沼スクール(東京日本語学校，東京都渋谷区南平台町16-26  詳細表示...   ■ 所属学協会 応用物理学会  1987-現在  日本顕微鏡学会  1997/03-2012/11  詳細表示...   ■ 社会貢献活動 地域支援等への参画  三多摩ホームビジット趣旨説明、送り出し  2012/11-現在  詳細表示...   ■ 学内委員会等 交換留学派遣学生選考面接員(2月1名)  面接員および進行  2018/02-2018/02  情報システム運用  ネットワーク部局運用責任者  2017/09-現在  交換留学派遣学生選考面接員(8月2名)  面接員および進行  2017/08-2017/08  私費留学生奨学金推薦WG  私費留学生奨学金推薦順位決定，順位決定の方針策定および確認、面接実施  2017/04-現在  私費留学生奨学金推薦WG  私費留学生奨学金推薦順位決定，順位決定の方針策定および確認、面接実施  2016/04-現在  詳細表示...   ■ その他独自活動 2017  電気通信大学オープンキャンパスにおいて、留学生に対する入試説明。2017/07/16  2017  電気通信大学大学院オープンラボにおいて、留学生に対する入試説明。2017/06/03  2017  INFOSS情報倫理 2017年受講・修了  2017  「6.9進学フェアinJCLI日本語学校」における大学紹介・私費留学生入試に関する説明。2017/06/09。  2017  「大学/大学院 進学ガイダンス in 東京ギャラクシー日本語学校」における大学紹介・私費留学生入試に関する説明。2017/06/05。  詳細表示...