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電気通信大学 
国際教育センター 

准教授 
中井 日佐司 
ナカイ ヒサシ 
HISASHI NAKAI 

 

学歴
東海大学  工学部  応用物理学科  1986/03  卒業 
横浜国立大学  工学研究科  生産工学専攻  博士前期  1988/03  修了 
横浜国立大学  工学研究科  生産工学専攻  博士後期  1991/08  単位取得満期退学 

学位
工学修士  横浜国立大学  1988/03 
博士(工学)  横浜国立大学  1995/03 

学内担当授業科目
2022  基礎物理学演習第一  前期  学部(昼間) 
2022  情報処理演習第一  前期  学部(昼間) 
2022  日本の科学と技術A  前期  学部(昼間) 
2022  基礎物理学演習第二  後期  学部(昼間) 
2022  情報処理演習第二  後期  学部(昼間) 
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現在の専門分野
ナノ構造物理 
薄膜・表面界面物性 

研究キーワード
金属薄膜初期成長過程の漸近的性質 

現在の研究課題
金属薄膜の初期成長過程  2005-現在  金属結晶サイズの速度方程式によって,ナノ結晶の成長過程を理解する. 
クロム下地層を持った銅薄膜の電気的性質  クロム 銅 比抵抗 

論文
一般論文  有  点状島初期成長におけるサイズ分布のWidom型スケーリング解析  単著  中井 日佐司  電気通信大学紀要  34/ 1, 23-31  2022/02/01  10.18952/00010047 
一般論文  有  4次元点状島初期成長における捕獲領域分布のスケーリング解  単著  中井 日佐司  電気通信大学紀要  32/ 1, 47-53  2020/02/01  10.18952/00009421 
一般論文  有  薄膜点状島初期成長における平均捕獲数の空間次元依存性  単著  中井 日佐司  電気通信大学紀要  31/ 1, 97-103  2019/02/01  0915-0935  10.18952/00008923 
一般論文  有  極小モデルに基づいた薄膜点状島初期成長のスケーリング理論  単著  中井 日佐司  電気通信大学紀要  30/ 1, 300107-  2018/02/01  URL 
一般論文  有  一次元薄膜初期成長における局所累積サイズの漸近解析  単著  中井 日佐司  電気通信大学紀要  29/ 1, 290105-  2017/02/01  URL 
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公開講座・講演会等
9.16電通大「模擬授業&ガイダンス」in淑徳日本語学校  キュートジャポン  2016/09/16  学校法人 大乗淑徳学園 淑徳日本語学校(東京都板橋区前野町 5-24-8) 
電気通信大学 進学ガイダンス&体験授業 @長沼スクール  キュートジャポン  2013/06/13  長沼スクール(東京日本語学校,東京都渋谷区南平台町16-26 
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所属学協会
応用物理学会  1987-現在 
日本顕微鏡学会  1997/03/01-2012/10/31 
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社会貢献活動
地域支援等への参画  三多摩ホームビジット趣旨説明、送り出し  2012/11-現在 
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学内委員会等
学域教育委員会  委員  2022/04-2024/03 
交換留学派遣学生選考面接員(2月3名)  面接員および進行  2022/02-2022/02 
交換留学派遣学生選考面接員(2月2名)  面接員および進行  2021/02-2021/02 
交換留学派遣学生選考面接員(8月2名)  面接員および進行  2020/08-2020/08 
学生支援センター会議  構成員  2020/04-2022/03 
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その他独自活動
2021  日本語学校における外国人学生のための進学説明会(学域)(キュートジャポン主催・長沼スクール(東京日本語学校))において進学希望外国人学生向けにオンライン説明を実施.2021/09/03. 
2020  日本語学校における外国人学生のための進学説明会(大学院・学域)(キュートジャポン主催・KCP地球市民日本語学校)において進学希望外国人学生向けにオンライン説明を実施.2020/7/20. 
2020  外国人学生のための進学説明会(大学院限定)(株式会社アクセス ネクステージ主催)において大学院・研究生に進学希望外国人学生向けにオンライン説明を実施.2020/6/19. GoogleSitesを利用して,説明用WebSitesを作成した. 
2020  オープンキャンパスにおいて、留学生に対する個別入試説明。2021/07/18 
2020  オープンキャンパスにおいて、留学生に対する入試説明。2020/07/19 
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