研究発表
公開件数:448件
No. 研究発表種別 タイトル 会議名/掲載誌名 巻号頁
または発表番号
査読の有無 講演者 開催年月日 URL
1 学会口頭発表
Se 処理された GaAs(111)B 表面の構造安定性
第65回応用物理学会春季学術講演会


後藤俊治、大竹晃浩、赤石暁、中村淳
2018/03/17

2 学会口頭発表
酸素還元反応における窒素ドープグラフェンナノクラスターの触媒性:窒素配位依存性
第78回応用物理学会秋季学術講演会


松山治薫、赤石暁、中村淳
2017/09/07

3 学会口頭発表
Two- to Three-dimensional Transition of Confined Water between Freestanding Graphene Sheets
第78回応用物理学会秋季学術講演会


Rifan Agustian, Akira Akaishi, Jun Nakamura
2017/09/07

4 学会口頭発表
グラフェンナノフレークの構造安定性と芳香族性
第78回応用物理学会秋季学術講演会


赤石暁、後迫真人、松山治薫、中村淳
2017/09/07

5 学会口頭発表
Se処理GaAs(111)B表面の安定化機構
第78回応用物理学会秋季学術講演会


大竹晃浩、後藤俊治、中村淳
2017/09/05

6 学会口頭発表
二軸性歪み下におけるGaSbの電気伝導率の面方位依存性
第64回応用物理学会春季学術講演会


岸本秀輝、赤石暁、中村淳
2017/03/17

7 学会口頭発表
酸素還元反応における窒素ドープグラフェンナノクラスターの触媒性
2016年真空・表面科学合同講演会


松山治薫、田中崇太郎、赤石暁、中村淳
2016/11/29

8 学会口頭発表
窒素ドープグラフェンナノリボンの酸素還元反応における触媒性
2016年真空・表面科学合同講演会


五味駿一、松山治薫、赤石暁、中村淳
2016/11/29

9 学会口頭発表
GaSbの電気伝導率の二軸性歪み依存性
第77回応用物理学会秋季学術講演会


岸本秀輝、畑山拓也、赤石暁、中村淳
2016/09/16

10 学会口頭発表
窒素ドープグラフェンナノクラスター上の酸素還元反応
第77回応用物理学会秋季学術講演会


松山治薫、田中崇太郎、赤石暁、中村淳
2016/09/15

11 学会口頭発表
グラフェンの大気由来吸着物
第63回応用物理学会春季学術講演会


日比野浩樹、小川友以、高村真琴、Wang Shengnan、関根佳明、赤石暁、中村淳
2016/03/22

12 学会口頭発表
グラフェンナノフレークの構造安定性
第25回日本MRS年次大会


後迫真人、赤石暁、中村淳
2015/12/08

13 学会口頭発表
窒素ドープグラフェン上の酸素還元触媒の第一原理計算
第25回日本MRS年次大会


松山治薫、市川諒英、赤石暁、中村淳
2015/12/08

14 学会口頭発表
不純物ドープグラフェンナノリボンの安定化機構
第25回日本MRS年次大会


内田優希、赤石暁、中村淳
2015/12/08

15 学会口頭発表
グラフェン表面の水の二重層構造
第25回日本MRS年次大会


赤石暁、中村淳
2015/12/08

16 学会口頭発表
グラフェンのエッジ状態がもたらす不純物の安定化機構
第35回表面科学学術講演会


内田優希、赤石暁、中村淳
2015/12/01

17 学会口頭発表
グラフェン表面における水分子層の構造化
第35回表面科学学術講演会


赤石暁、中村淳
2015/12/01

18 学会口頭発表
窒素ドープグラフェン表面における酸素還元反応:窒素濃度依存性
第35回表面科学学術講演会


松山治薫、市川諒英、赤石暁、中村淳
2015/12/01

19 学会口頭発表
グラフェン表面の水の層構造
第76回応用物理学会秋季学術講演会


赤石暁、中村淳
2015/09/15

20 学会口頭発表
酸素還元反応における窒素ドープグラフェンの触媒性
第76回応用物理学会秋季学術講演会


松山治薫、市川諒英、赤石暁、中村淳
2015/09/15

21 学会口頭発表
窒素ドープジグザググラフェンナノリボンの磁性
第76回応用物理学会秋季学術講演会


内田優希、赤石暁、中村淳
2015/09/15

22 学会口頭発表
GaAs(001)表面上でのMn吸着サイト
第76回応用物理学会秋季学術講演会


大竹晃浩、萩原敦、船附顕汰、中村淳
2015/09/13

23 学会口頭発表
窒素ドープグラフェン上の酸素還元反応
第62回応用物理学会春季学術講演会


市川諒英、赤石暁、中村淳
2015/03/11

24 学会口頭発表
グラフェンエッジ近傍不純物の構造安定性と電子状態
第75回応用物理学会秋季学術講演会


内田優希、赤石暁、中村淳
2014/09/19

25 学会口頭発表
グラフェン/h-BN複合ナノリボンのゼーベック係数
第75回応用物理学会秋季学術講演会


綾子陽介、赤石暁、中村淳
2014/09/18

26 学会口頭発表
窒素ドープグラフェン上の酸素分子吸着
第75回応用物理学会秋季学術講演会


市川諒英、赤石暁、中村淳
2014/09/18

27 学会口頭発表
窒素ドープグラフェンの構造安定性と電子状態
第75回応用物理学会秋季学術講演会


梅木暁図、赤石暁、中村淳
2014/09/18

28 学会口頭発表
第一原理計算によるMn吸着GaAs(001)-(nx2)の構造安定性評価
第75回応用物理学会秋季学術講演会


萩原敦、大竹晃浩、中村淳
2014/09/18

29 学会口頭発表
電気通信大学における「パスポートプログラム」の取り組みⅢ
日本物理学会2014年秋季大会


赤石暁、阿部浩二、石田尚行、岡田佳子、奥野剛史、清水崇文、白川英樹、鈴木勝、高田亨、中村淳、中村仁、細見斉子、山北佳宏
2014/09/08

30 学会口頭発表
グラフェンは疎水性か?
第61回応用物理学会春季学術講演会


米丸朋宏、中村淳
2014/03/19

31 学会口頭発表
電気通信大学における「パスポートプログラム」の取り組みII
日本物理学会,日本物理学会2013年秋季大会


赤石暁、阿部浩二、石田尚行、岡田佳子、奥野剛史、白川英樹、鈴木勝、高田亨、中村淳、中村仁、細見斉子、山北佳宏
2013/09

32 学会口頭発表
物理チャレンジ2013報告:III. 第2チャレンジ理論問題
日本物理学会,日本物理学会2013年秋季大会


荒船次郎、赤井久純、伊藤敏雄、川村清、佐貫平二、杉山忠男、鈴木亨、鈴木直、高須昌子、竹中達二、田中皓、田中忠芳、東辻浩夫、中村淳、羽田野彰、松澤通生、三間圀興、北原和夫、近藤泰洋
2013/09

33 学会口頭発表
Mn吸着GaAs(001)表面の電子状態と構造安定性評価
応用物理学会,第74回応用物理学会秋季学術講演会


萩原敦、大竹晃浩、奥北和哉、中村淳
2013/09

34 学会口頭発表
STM測定と第一原理計算によるGaAs-c(4×4)α,βの電子構造解析
応用物理学会,第60回応用物理学会春季学術講演会


加来滋、中村淳、柳生数馬、吉野淳二
2013/03

35 学会口頭発表
電気通信大学における「パスポートプログラム」の取り組み
日本物理学会,日本物理学会第68回年次大会


赤石暁、阿部浩二、石田尚行、岡田佳子、奥野剛史、白川英樹、鈴木勝、高田亨、中村淳、中村仁、細見斉子、山北佳宏
2013/03

36 学会口頭発表
Mn吸着GaAs(001)表面の原子配列
応用物理学会,第73会応用物理学会学術講演会


大竹晃浩、萩原敦、中村淳
2012/09

37 学会口頭発表
Mn吸着(2x2)-GaAs(001)表面構造および電子状態
日本物理学会,日本物理学会第67回年次大会


菅野雄介、大竹晃浩、中村淳
2012/03

38 学会口頭発表
GeO2酸素欠損近傍の原子レベル誘電特性:結晶構造依存性
配列ナノ空間を利用した新物質科学-ユビキタス元素戦略-第9回特定領域研究会,配列ナノ空間を利用した新物質科学-ユビキタス元素戦略-第9回特定領域研究会
P-41

中村淳
2012/01

39 学会口頭発表
グラフェンナノリボンのバリスティック熱伝導特性
日本表面科学会,第31回表面科学学術講演会
16Ba-03S

冨田洋樹、中村淳
2011/11

40 学会口頭発表
IV-IV 族半導体超格子のナノスケール誘電特性
日本表面科学会,第31回表面科学学術講演会
15P-37

赤崎充洋、中村淳
2011/11

41 学会口頭発表
GaAs(001)-(2x2)Mn表面の原子配列と電子状態評価
日本物理学会,日本物理学会2011年秋季大会


菅野雄介、大竹晃浩、平山基、中村淳
2011/09

42 学会口頭発表
Er2SiO5結晶・誘電率の第一原理計算
応用物理学会,第72回応用物理学会学術講演会


萩原敦、中村淳
2011/09

43 学会口頭発表
アームチェアグラフェンナノリボンのバリスティック熱伝導特性
応用物理学会,第72回応用物理学会学術講演会


冨田洋樹、中村淳
2011/09

44 学会口頭発表
GeO2酸素欠損近傍の原子レベル誘電特性:結晶構造依存性
配列ナノ空間を利用した新物質科学-ユビキタス元素戦略-第4回若手研究会,配列ナノ空間を利用した新物質科学-ユビキタス元素戦略-第4回若手研究会
P-20

田村雅大、中村淳
2011/07

45 学会口頭発表
アームチェアグラフェンナノリボンのバリスティック熱伝導特性評価
配列ナノ空間を利用した新物質科学-ユビキタス元素戦略-第4回若手研究会,配列ナノ空間を利用した新物質科学-ユビキタス元素戦略-第4回若手研究会
P-05

冨田洋樹、中村淳
2011/07

46 学会口頭発表
カルボキシル基終端ジグザググラフェンナノリボンの磁性
応用物理学会,第58回応用物理学関係連合講演会


藤井雄人、冨田洋樹、中村淳
2011/03

47 学会口頭発表
酸素欠損GeO2薄膜の原子レベル誘電特性
応用物理学会,第58回応用物理学関係連合講演会


田村雅大、赤崎充洋、中村淳
2011/03

48 学会口頭発表
酸素吸着多角柱型カーボンナノシリンダーの構造安定性と電子状態評価
日本表面科学会,第30回表面科学学術講演会


藤井雄人、中村淳
2010/11

49 学会口頭発表
BN結晶多形ヘテロ構造の電子状態
日本表面科学会,第30回表面科学学術講演会


加藤豪、中村淳
2010/11

50 学会口頭発表
カルボキシル基終端グラフェンナノリボンの磁性
日本表面科学会,第30回表面科学学術講演会


藤井雄人、中村淳
2010/11

51 学会口頭発表
SiON/SiC界面の誘電率不連続性
日本表面科学会,第30回表面科学学術講演会


大杉拓也、中村淳
2010/11

52 学会口頭発表
GeO2超薄膜およびGeO2/Ge界面の誘電特性:局所誘電特性に及ぼす欠陥の影響
日本表面科学会,第30回表面科学学術講演会


田村雅大、涌井貞一、中村淳
2010/11

53 学会口頭発表
Sb安定化GaAs(001)-(2x5)表面の原子配列
日本物理学会,日本物理学会2010年秋季大会
23aWS-9

大竹晃浩、平山基、中村淳
2010/09

54 学会口頭発表
カルボキシル基終端ジグザググラフェンナノリボンの電子状態と磁性
応用物理学会,第71回応用物理学会学術講演会
16a-ZQ-3

藤井雄人、中村淳
2010/09

55 学会口頭発表
GeO2超薄膜およびGeO2/Ge界面のナノスケール誘電特性
応用物理学会,第71回応用物理学会学術講演会
15p-ZA-6

田村雅大、中村淳
2010/09

56 学会口頭発表
SiC薄膜上におけるSiON超薄膜の誘電率
応用物理学会,第71回応用物理学会学術講演会
14p-ZS-7

大杉拓也、中村淳
2010/09

57 学会口頭発表
GaAs(110)表面上のMnAs単分子層膜の磁性
日本物理学会,日本物理学会第65回年次大会
22pGL-5

平山基、中村淳、名取晃子
2010/03

58 学会口頭発表
HfO2・SiO2薄膜における酸素欠損近傍の局所誘電率評価
日本物理学会,日本物理学会第65回年次大会
21aGL-7

涌井貞一、中村淳、名取晃子
2010/03

59 学会口頭発表
Si/SiO2量子井戸内D-イオン束縛エネルギーの井戸幅依存性:valley-orbit相互作用効果
日本物理学会,日本物理学会第65回年次大会
21aHW-4

千葉朋、中村淳、名取晃子
2010/03

60 学会口頭発表
カーボンナノチューブ分散媒質の交流電気伝導特性
応用物理学会,第57回応用物理学関係連合講演会
20p-TC-3

挾間裕一、相野谷直樹、中村淳、名取晃子
2010/03

61 学会口頭発表
有限電界下の第一原理計算を用いたSiGe混晶の誘電率評価
応用物理学会,第57回応用物理学関係連合講演会
20a-TS-6

佐藤耕平、大杉拓也、中村淳、名取晃子
2010/03

62 学会口頭発表
第一原理計算によるEr2SiO5の結晶構造と電子状態評価
応用物理学会,第57回応用物理学関係連合講演会
18p-C-10

植田啓史、中村淳、名取晃子、一色秀夫
2010/03

63 学会口頭発表
Si(001)/La2O3(01-10)界面の第一原理的バンドオフセット評価
応用物理学会,第57回応用物理学関係連合講演会
18p-C-5

谷内良亮、中村淳、名取晃子
2010/03

64 学会口頭発表
列状酸素吸着カーボンナノシリンダーの構造安定性
日本表面科学会,第29回表面科学学術講演会
3F26

藤井雄人、平山基、中村淳、名取晃子
2009/10

65 学会口頭発表
Ge酸化物超薄膜の誘電特性
日本表面科学会,第29回表面科学学術講演会
1B10

田村雅大、涌井貞一、中村淳、名取晃子
2009/10

66 学会口頭発表
バルクSi及びSi量子井戸内D-イオンのvalley-orbit分裂
応用物理学会,第70回応用物理学会学術講演会


千葉朋、中村淳、名取晃子
2009/09

67 学会口頭発表
GaAs(110)表面上Ga置換Mn原子鎖の原子鎖間磁気相互作用
応用物理学会,第70回応用物理学会学術講演会


平山基、中村淳、名取晃子
2009/09

68 学会口頭発表
HfO2薄膜の誘電特性:結晶構造依存性
応用物理学会,第70回応用物理学会学術講演会


涌井貞一、中村淳、名取晃子
2009/09

69 学会口頭発表
第一原理計算によるSi(001)/La2O3(01-10)界面のバンドオフセット評価
応用物理学会,第70回応用物理学会学術講演会


谷内良亮、中村淳、名取晃子
2009/09

70 学会口頭発表
列状酸素吸着CNTの構造安定性と電子物性評価
応用物理学会,第70回応用物理学会学術講演会


藤井雄人、平山基、中村淳、名取晃子
2009/09

71 学会口頭発表
CNT分散媒質の異方的交流電気伝導特性
応用物理学会,第70回応用物理学会学術講演会


挾間裕一、中村淳、名取晃子
2009/09

72 学会口頭発表
歪みHfO2薄膜の誘電特性
応用物理学会,第56回応用物理学関係連合講演会
1a-P13-9

涌井貞一、中村淳、名取晃子
2009/03

73 学会口頭発表
GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子ワイヤの原子配置とスピン・電子状態
応用物理学会,第56回応用物理学関係連合講演会
1a-TD-6

平山基、中村淳、名取晃子
2009/03

74 学会口頭発表
Anisotropic half-metallic ground states of Mn atomic wires on GaAs(110)
36th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces
We1435

M.Hirayama, J.Nakamura, and A.Natori
2009/01

75 学会口頭発表
In-plane strain effects on dielectric properties of the HfO2 thin film
36th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces
Mo1505

S.Wakui, J.Nakamura, and A.Natori
2009/01

76 学会口頭発表
La2O3(0001)超薄膜の誘電特性
日本表面科学会,第28回表面科学学術講演会


谷内良亮、涌井貞一、中村淳、名取晃子
2008/11

77 学会口頭発表
Si(111)-(7×7)表面上の銀クラスター形成過程の計算機シミュレーション
日本表面科学会,第28回表面科学学術講演会


千葉朋、冷清水裕子、泉水一紘、須藤彰三、中村淳、名取晃子
2008/11

78 学会口頭発表
酸素吸着グラフェンの積層構造の構造安定性と凝集性質
日本表面科学会,第28回表面科学学術講演会


江口俊輔、中村淳、名取晃子
2008/11

79 学会口頭発表
カーボンナノチューブ分散媒質の異方的電気伝導特性
日本表面科学会,第28回表面科学学術講演会


挾間裕一、中村淳、名取晃子
2008/11

80 学会口頭発表
HfO2超薄膜の誘電特性
日本表面科学会,第28回表面科学学術講演会


涌井貞一、中村淳、名取晃子
2008/11

81 学会口頭発表
GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子鎖のスピン状態と電子状態
日本表面科学会,第28回表面科学学術講演会


平山基、中村淳、名取晃子
2008/11

82 学会口頭発表
GaAs(001)-(2x4)-Sb吸着構造の再検討
日本物理学会,日本物理学会2008年秋季大会
23aXB-1

大竹晃浩、平山基、中村淳、名取晃子
2008/09

83 学会口頭発表
酸化グラフェン積層物質の構造安定性
日本物理学会,日本物理学会2008年秋季大会
22pPSB-23

江口俊輔、中村淳、名取晃子
2008/09

84 学会口頭発表
グラフェンリボンのバリスティック熱コンダクタンス
日本物理学会,日本物理学会2008年秋季大会
22pTA-12

山口翔、中村淳、名取晃子
2008/09

85 学会口頭発表
異方的な超微粒子分散媒質の高周波電気伝導特性
日本物理学会,日本物理学会2008年秋季大会
21pVC-4

挾間裕一、中村淳、名取晃子
2008/09

86 学会口頭発表
GaAs(110)表面上のGa置換Mnナノワイヤの原子配置とスピン・電子状態
日本物理学会,日本物理学会2008年秋季大会
20aXA-14

平山基、中村淳、名取晃子
2008/09

87 学会口頭発表
Si(111)-(7x7)表面上の銀クラスター形成過程の計算機シミュレーション
応用物理学会,第69回応用物理学会学術講演会
5a-L-11

千葉朋、冷清水裕子、泉水一紘、須藤彰三、中村淳、名取晃子
2008/09

88 学会口頭発表
学会における若手人材育成―応物があなたのキャリアデザインを応援します―
応用物理学会,第69回応用物理学会学術講演会
4p-Y-3

庄司一郎、石榑崇明、中村淳、小舘香椎子
2008/09

89 学会口頭発表
SiC結晶多形の誘電率:第一原理計算による積層構造依存性評価
応用物理学会,第69回応用物理学会学術講演会
4a-CE-8

佐藤耕平、中村淳、名取晃子
2008/09

90 学会口頭発表
GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子ワイヤの原子配置とスピン・電子状態
応用物理学会,第69回応用物理学会学術講演会
3a-R-8

平山基、中村淳、名取晃子
2008/09

91 学会口頭発表
HfO2超薄膜の局所誘電率プロファイル
応用物理学会,第69回応用物理学会学術講演会
4p-G-9

涌井貞一、中村淳、名取晃子
2008/09

92 学会口頭発表
La2O3(0001)超薄膜の誘電特性
応用物理学会,第69回応用物理学会学術講演会
2a-R-5

谷内良亮、中村淳、名取晃子
2008/09

93 学会口頭発表
GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子鎖のスピン状態
第4回量子ナノ材料セミナー,第4回量子ナノ材料セミナー
***

平山基、中村淳、名取晃子
2008/07

94 学会口頭発表
SiO2薄膜中の欠陥近傍における局所誘電率の異常増大
応用物理学会,第55回応用物理学関係連合講演会
28p-ZR-2

涌井貞一、中村淳、名取晃子
2008/03

95 学会口頭発表
Si(111)水素終端表面近傍不純物のSTMシミュレーション:不純物種依存性と探針誘起バンドベンディング
応用物理学会,第55回応用物理学関係連合講演会
28a-Q-4

平山基、中村淳、名取晃子
2008/03

96 学会口頭発表
不純物ドープSi(111)表面のSTM像の第一原理計算II:STM像の不純物原子種依存性
日本物理学会,日本物理学会第63回年次大会
26pTD-9

平山基、中村淳、名取晃子
2008/03

97 学会口頭発表
ナノスケールの摩擦機構:ティップサイズ効果
日本物理学会,日本物理学会第63回年次大会
25pWF-11

五十嵐正典、中村淳、名取晃子
2008/03

98 学会口頭発表
SiO2/Si(001)界面におけるナノスケール誘電特性の第一原理計算
日本物理学会,日本物理学会第63回年次大会
25pTD-3

涌井貞一、中村淳、名取晃子
2008/03

99 学会口頭発表
多谷半導体中のD-基底状態:磁場効果
日本物理学会,日本物理学会第63回年次大会
23aWH-14

井上純一、中村淳、名取晃子
2008/03

100 学会口頭発表
Dielectric properties of the interface between Si and SiO_2
35th Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces
We1540

Sadakazu Wakui, Jun Nakamura, and Akiko Natori
2008/01

101 学会口頭発表
Si量子ドットの多電子基底状態
表面科学会,第27回表面科学講演大会


桝日向、中村淳、名取晃子
2007/11

102 学会口頭発表
グラフェンのバリスティック熱伝導特性
日本物理学会,日本物理学会第62回年次大会


斎藤浩一、中村淳、名取晃子
2007/09

103 学会口頭発表
不純物ドープSi(111)表面のSTM像の第一原理計算
応用物理学会,第54回応用物理学関係連合講演会
29p-SL-16

平山基、中村淳 、名取晃子
2007/03

104 学会口頭発表
SiO2/Si(001)界面のナノスケール誘電特性
応用物理学会,第54回応用物理学関係連合講演会
28a-K-9

涌井貞一、中村淳 、名取晃子
2007/03

105 学会口頭発表
酸素吸着グラフェンの構造双安定性の第一原理計算
日本物理学会,日本物理学会2007年春季大会
21aTG-9

伊藤潤、中村淳 、名取晃子
2007/03

106 学会口頭発表
不純物ドープSi(111)表面のSTM像の第一原理計算
日本物理学会,日本物理学会2007年春季大会
18pTG-10

平山基、中村淳 、名取晃子
2007/03

107 学会口頭発表
第一原理計算によるSiO2/Si(001)界面のナノスケール誘電特性評価
日本物理学会,日本物理学会2007年春季大会
18pTG-9

涌井貞一、中村淳 、名取晃子
2007/03

108 学会口頭発表
原子摩擦力の速度飽和機構
日本物理学会,日本物理学会2006年秋期大会
23pYH-3

五十嵐正典、中村淳、名取晃子
2006/09

109 学会口頭発表
D-基底状態の拡散量子モンテカルロ計算:有効質量異方性および多谷効果
日本物理学会,日本物理学会2006年秋期大会


井上純一、中村淳、名取晃子
2006/09

110 学会口頭発表
Si(111)双晶境界近傍の局所的誘電率変化
日本物理学会,日本物理学会第61回年次大会


中村淳、名取晃子
2006/03

111 学会口頭発表
縦型2重量子ドットのスピン結合と磁場制御
日本物理学会,日本物理学会第61回年次大会


桝日向、山田太一、中村淳、名取晃子
2006/03

112 学会口頭発表
第一原理計算による極薄膜Al/Si界面の検討:界面水素終端の影響
応用物理学会,第53回応用物理学関係連合講演会


清水共、名取研二、中村淳、名取晃子
2006/03

113 学会口頭発表
Dielectric discontinuity at a stacking fault in Si(111)
33rd Conference on the Physics and Chemisty of Semiconductor Interfaces (PCSI-33)


J.Nakamura and A.Natori
2006/01

114 学会口頭発表
First-principles calculations of dielectric constatns for ultrathin SiO2 films
33rd Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-33)


S.Wakui, J.Nakamura, and A.Natori
2006/01

115 学会口頭発表
Electronic and magnetic properties of BNC ribbons
ISSS-4 (4-th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology)


T.Nitta, J.Nakamura, and A.Natori
2005/11

116 学会口頭発表
Atomic scale mechanism of friction
ISSS-4 (4-th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology)


S.Wakunami, J.Nakamura, and A.Natori
2005/11

117 学会口頭発表
Dielectric properties for ultra-thin films of the polytypes of SiC
ISSS-4 (4-th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology)


J.Nakamura and A.Natori
2005/11

118 学会口頭発表
Controlling the spin coupling in double quantum dots
ISSS-4 (4-th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology)


H.Masu, J.Nakamura, and A.Natori
2005/11

119 学会口頭発表
Structural stabilities and electronic properties of planar Si compounds
ISSS-4 (4-th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology)


M.Hirayama, J.Nakamura, and A.Natori
2005/11

120 学会口頭発表
First-principles calculations on adsorption and diffusion of oxygen atoms on graphene sheets
ISSS-4 (4-th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology)


J.Ito, J.Nakamura, and A.Natori
2005/11

121 学会口頭発表
First-principles calculations of dielectric constants for ultrathin SiO2 films
ISSS-4 (4-th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology)


S.Wakui, J.Nakamura, and A.Natori
2005/11

122 学会口頭発表
グラフェンシートの酸素吸着と拡散過程の第一原理計算
日本物理学会,日本物理学会2005年秋期大会


伊藤潤、中村淳、名取晃子
2005/09

123 学会口頭発表
SiC多形超薄膜の誘電特性
日本物理学会,日本物理学会2005年秋期大会


中村淳、名取晃子
2005/09

124 学会口頭発表
原子レベルの摩擦機構
日本物理学会,日本物理学会2005年秋期大会


涌波信弥、中村淳、名取晃子
2005/09

125 学会口頭発表
SiO2超薄膜の誘電特性
日本物理学会,日本物理学会2005年秋期大会


涌井貞一、中村淳、名取晃子
2005/09

126 学会口頭発表
First-principles evaluations of dielectric constants for ultra-thin semiconducting films
23-rd European Conference on Surface Science (ECOSS-23)


J.Nakamura and A.Natori
2005/09

127 学会口頭発表
Friction mechanism in atomic-scale
23-rd European Conference on Surface Science (ECOSS-23)


S.Wakunami, J.Nakamura, and A.Natori
2005/09

128 学会口頭発表
Ga- and As-Rich Limit of Surface Reconstruction on GaAs(001)
23-rd European Conference on Surface Science (ECOSS-23)


A.Ohtake, P.Kocan, K.Seino, W.G.Schmidt, J.Nakamura, A.Natori, and N.Koguchi
2005/09

129 学会口頭発表
第一原理計算を用いた誘電率評価方法の開発とその超薄膜への応用
シンポジウム「来るべきナノCMOS時代に向けての挑戦とその課題」


中村淳,涌井貞一,名取晃子
2005/04

130 学会口頭発表
第一原理計算による超薄膜Al/Si(001)界面の検討:Si面方位依存
第52回応用物理学関係連合講演会


清水共、名取研二、中村淳、名取晃子
2005/03

131 学会口頭発表
BNリボンの磁性II
日本物理学会第60回年次大会


新田敏浩、中村淳、名取晃子
2005/03

132 学会口頭発表
2次元シリコン化合物の原子構造と電子状態
日本物理学会第60回年次大会


平山基、中村淳、名取晃子
2005/03

133 学会口頭発表
Structural stability for Si(001) and Ge(001) in external electric fields
The 12th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM-12)


J.Nakamura and A.Natori
2004/12

134 学会口頭発表
科学技術人材のキャリアパス
研究者のノンアカデミックキャリアパスシンポジウム


中村淳
2004/11

135 学会口頭発表
BNCリボンの電子物性
第24回表面科学講演大会


新田敏浩、中村淳、名取晃子
2004/11

136 学会口頭発表
半導体超薄膜の誘電特性
第24回表面科学講演大会


中村淳、名取晃子
2004/11

137 学会口頭発表
Si超薄膜の誘電特性II
日本物理学会2004年秋期大会


中村淳、名取晃子
2004/09

138 学会口頭発表
BNリボンの磁性
日本物理学会2004年秋期大会


新田敏浩、中村淳、名取晃子
2004/09

139 学会口頭発表
超微粒子分散媒質の高周波電気伝導特性
日本物理学会2004年秋期大会


名取諭史、中村淳、名取晃子
2004/09

140 学会口頭発表
ヘテロ基板上原子クラスタのマジックサイズと摩擦
日本物理学会2004年秋期大会


大野景太、新田敏浩、中村淳、名取晃子
2004/09

141 学会口頭発表
As安定化GaAs(001)-c(4x4)表面における安定および準安定構造
日本物理学会2004年秋期大会


大竹晃浩、Pavel Kocan、中村淳、名取晃子、小口信行
2004/09

142 学会口頭発表
Si(001)-2x1ダイマー表面におけるフリップフロップ運動の外部電場依存性
日本物理学会2004年秋期大会


中村淳、名取晃子
2004/09

143 学会口頭発表
SiC超薄膜の誘電特性
第65回応用物理学会学術講演会


小澤日出樹、中村淳、名取晃子
2004/09

144 学会口頭発表
第一原理計算による超薄膜Al/Si(001)界面の検討
第65回応用物理学会学術講演会


清水共、名取研二、中村淳、名取晃子
2004/09

145 学会口頭発表
ポスドク制度の実態報告
第65回応用物理学会学術講演会


中村淳
2004/09

146 学会口頭発表
GaAs(001)-c(4x4)表面のAs分子種依存性
第65回応用物理学会学術講演会


大竹晃浩、Pavel Kocan、中村淳、名取晃子、小口信行
2004/09

147 学会口頭発表
Dielectric properties of ultra-thin films
27th International Conference on the Physics of Semiconductors


J.Nakamura, S.Ishihara, H.Ozawa, A.Natori
2004/07

148 学会口頭発表
Energy barrier for dimer flipping at the Si(001)-2x1 surface in external elctrostatic fields
27th International Conference on the Physics of Semiconductors


J.Nakamura, A.Natori
2004/07

149 学会口頭発表
Dielectric properties of ultra-thin films
12th International Conference on Solid Surfaces


J.Nakamura, S.Ishihara, H.Ozawa, and A.Natori
2004/06

150 学会口頭発表
Reexamination of atomic and electronic structures of the Au/Si(111)-alpha Sqrt3xSqrt3 R30 surface from first principles
12th International Conference on Solid Surfaces


T.Kadohira, J.Nakamura, and S.Watanabe
2004/06

151 学会口頭発表
Energy barrier for dimer flipping at Si(001)-2x1 in external electric fields
12th International Conference on Solid Surfaces


J.Nakamura and A.Natori
2004/06

152 学会口頭発表
Atomic scale friction in magic size custers
12th International Conference on Solid Surfaces


K.Ohno, T.Nitta, J.Nakamura, and A.Natori
2004/06

153 学会口頭発表
マイクロ直線4端子法による表面電気伝導の異方性評価
第51回応用物理学関係連合講演会


後藤富久、中村淳、名取晃子
2004/03

154 学会口頭発表
RC回路網の高周波電気伝導特性
第51回応用物理学関係連合講演会


名取諭史、中村淳、名取晃子
2004/03

155 学会口頭発表
第一原理計算によるAu/Si(111)-alpha(Sqrt3xSqrt3)表面構造の研究
日本物理学会第59回年次大会


門平卓也、中村淳、渡邉聡
2004/03

156 学会口頭発表
Si超薄膜の誘電特性
日本物理学会第59回年次大会


石原俊介、中村淳、名取晃子
2004/03

157 学会口頭発表
2重量子ドットのスピン結合
日本物理学会第59回年次大会


山田太一、中村淳、名取晃子
2004/03

158 学会口頭発表
Energy barrier for dimer flipping at Si(001)-2x1 in external electric fields
The 9th International Symposium on Advanced Physical Fields (APF-9)


Jun Nakamura and Akiko Natori
2004/03

159 学会口頭発表
Atomic scale friction of nano-clusters
31st Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-31)


Keita Ohno, Toshihiro Nitta, Jun Nakamura, and Akiko Natori
2004/01

160 学会口頭発表
First-principles calculations of band discontinuity at ultrathin SiO2/Si(001) interfaces
31st Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-31)


Jun Nakamura, Shunsuke Ishihara, and Akiko Natori
2004/01

161 学会口頭発表
Surface stress anisotropy of Ge/Si(113)-2x2
31st Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-31)


Jun Nakamura, Z.Zhang, K.Sumitomo, H.Omi, T.Ogino, and A.Natori
2004/01

162 学会口頭発表
MEISとSTMによる表面応力・歪の異方性の観察
応用物理学会イオンビーム研究会


住友弘二、Zhaohui Zhang、中村淳、尾身博雄、荻野俊郎、名取晃子
2003/12

163 学会口頭発表
Energy barrier for dimer flipping at the Si(001)- and Ge(001)-2x1 surfaces in external electric fields
The 11th International Colloquim on Scanning Probe Microscopy


J.Nakamura and A.Natori
2003/12

164 学会口頭発表
2重量子ドットのスピン結合制御の量子モンテカルロ計算
第23回表面科学講演大会


山田太一、中村淳、名取晃子
2003/11

165 学会口頭発表
Si超薄膜の誘電特性
第23回表面科学講演大会


石原俊介、中村淳、名取晃子
2003/11

166 学会口頭発表
Structural stability and stress anisotropy of the Ge/Si(113)-2x2 surface
7th Inernational Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-7)


J.Nakamura, Z.Zhang, K.Sumitomo, H.Omi, T.Ogino, and A.Natori
2003/11

167 学会口頭発表
Dielectric properties of ultra-thin films
7th Inernational Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-7)


S.Ishihara, J.Nakamura, and A.Natori
2003/11

168 学会口頭発表
First-principles study of the atomic and electronic structures of the Au/Si(111)-Alpha(Sqrt3xSqrt3) surface
7th Inernational Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-7)


T.Kadohira, J.Nakamura, and S.Watanabe
2003/11

169 学会口頭発表
Direct observation of Au deposition processes on the InSb{111}A,B-(2x2) surfaces
1st International Symposium on Active Nano-Characterization and Technology


S.P.Cho, J.Nakamura, N.Tanaka, and T.Osaka
2003/11

170 学会口頭発表
Theoretical investigation of the honeycomb structure of the Au/Si(111)-Alpha(Sqrt3xSqrt3) surface using first-principles calculations
International Workshop on Smart Interconnects (IWSI)


T.Kadohira, J.Nakamura, and S. Watanabe
2003/11

171 学会口頭発表
ポスドク・任期付き技術者/研究者の現状と将来像
第64回応用物理学会学術講演会


中村淳
2003/09

172 学会口頭発表
Ga-As dimer structure for the GaAs(001)-c(4x4) surface
22-nd European Conference on Surface Science (ECOSS-22)


A.Ohtake, J.Nakamura, N.Koguchi, and A.Natori
2003/09

173 学会口頭発表
Energy barrier at ultrathin SiO2/Si(001) interfaces
22-nd European Conference on Surface Science (ECOSS-22)


M.Watarai, J.Nakamura, and A.Natori
2003/09

174 学会口頭発表
Structural stability and anisotropic stress of the Ge/Si(113)-2x2 surfaces
22-nd European Conference on Surface Science (ECOSS-22)


J.Nakamura, Z.Zhang, K.Sumitomo, H.Omi, T.Ogino, and A.Natori
2003/09

175 学会口頭発表
半導体超薄膜の誘電率の第一原理計算
日本物理学会2003年秋期大会


中村淳、石原俊介、清水共、名取研二、名取晃子
2003/09

176 学会口頭発表
不整合へテロエピタキシャル島のナノトライボロジー
日本物理学会2003年秋期大会


新田敏浩、大野景太、中村淳、名取晃子
2003/09

177 学会口頭発表
超薄膜の外部静電場応答特性の第一原理的評価
日本物理学会2003年秋期大会


中村淳、石原俊介、清水共、名取研二、名取晃子
2003/09

178 学会口頭発表
Ge/Si(113)-2x2構造における表面応力異方性
第64回応用物理学会学術講演会


中村淳 、張朝暉、住友弘二、尾身博雄、荻野俊郎、名取晃子
2003/09

179 学会口頭発表
第一原理計算による金属/半導体界面近傍の静電特性
第64回応用物理学会学術講演会


清水共、名取研二、中村淳、名取晃子
2003/08

180 学会口頭発表
Au/Si(111)-alpha(Sqrt3xSqrt3)R30表面構造の理論研究
表面低次元ナノ構造機能物質の創製と物性研究会


門平卓也、中村淳、渡邉聡
2003/07

181 学会口頭発表
Ge/Si(113)-2x2表面の応力異方性
日本物理学会第58回年次大会


中村淳、名取晃子 、張朝暉、住友弘二、尾身博雄、荻野俊郎
2003/03

182 学会口頭発表
2重量子ドットのスピン結合制御
日本物理学会第58回年次大会


瀬下裕也,中村淳,名取晃子
2003/03

183 学会口頭発表
GaAs(001)-c(4x4)表面上におけるGa-As dimerの欠陥構造
日本物理学会第58回年次大会


大竹晃浩、中村淳、塚本史郎、小口信之、名取晃子
2003/03

184 学会口頭発表
Si(113)上Ge成長初期過程における表面超構造と表面応力
第50回応用物理学関係連合講演会


住友弘二 、Zhaohui Zhang、Feng Lin、中村淳、尾身博雄 、名取晃子、荻野俊郎
2003/03

185 学会口頭発表
Anisotropic surface stress of Ge/Si(113)-2x2
Dr. Rohrer's JSPS Award Workshop III and ISSP international workshop --- a role of physics for nano science and technology ---, February 2003 (Kashiwa, Japan)


J.Nakamura, Z.Zhang, K.Sumitomo, H.Omi, T.Ogino, and A.Natori
2003/02

186 学会口頭発表
First principles calculation of Si/SiO2 band offset
Dr. Rohrer's JSPS Award Workshop III and ISSP international workshop --- a role of physics for nano science and technology ---, February 2003 (Kashiwa, Japan)


M.Watarai, J.Nakamura, and A.Natori
2003/02

187 学会口頭発表
First principles calculation of Si/SiO2 band offset
「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」第8回研究会


M.Watarai, J.Nakamura, and A.Natori
2003/01

188 学会口頭発表
Si/SiO2超格子のバンドオフセットの第一原理計算
第22回表面科学講演大会


渡会雅敏、中村淳、名取晃子
2002/11

189 学会口頭発表
Ge/Si(113)-2x2表面の構造安定性と応力異方性
第22回表面科学講演大会


中村淳,張朝暉,住友弘二,尾身博雄,荻野俊郎,名取晃子
2002/11

190 学会口頭発表
As安定化GaAs(001)-c(4x4)表面に対する新たな構造モデル
第63回応用物理学会学術講演会


大竹晃浩、中村淳、塚本史郎、小口信之、名取晃子
2002/09

191 学会口頭発表
SiO_2超薄膜のトンネル特性
日本物理学会2002年秋期大会


渡会雅敏、中村淳、名取晃子
2002/09

192 学会口頭発表
2重量子ドットの多粒子状態
日本物理学会2002年秋期大会


瀬下裕也、中村淳、名取晃子
2002/09

193 学会口頭発表
GaAs(001)-c(4x4)表面に対する新たな構造モデルの提唱
日本物理学会2002年秋期大会


大竹晃浩、中村淳、塚本史郎、小口信之、名取晃子
2002/09

194 学会口頭発表
Structural stability of the InSb(111)B-(3x3) surface
International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-11), July 2002 (Marseille, France)


T.Kadohira, T.Miura, J.Nakamura, A.Natori, and T.Osaka
2002/07

195 学会口頭発表
Structural stability of the Ge/Si(113)-2x2 surface
International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-11), July 2002 (Marseille, France)


J.Nakamura, Z.Zhang, K.Sumitomo, H.Omi, T.Ogino, and A.Natori
2002/07

196 学会口頭発表
Dynamics of c(4x2) phase-transition in Si(001) surfaces
International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-11), July 2002 (Marseille, France)


M.Osanai, A.Natori, J.Nakamura, H.Yasunaga
2002/07

197 学会口頭発表
不均一表面層の2端子間2次元電流分布
日本物理学会第57回年次大会


名取晃子、伊藤哲朗、中村淳、安永均
2002/03

198 学会口頭発表
Si(001)面のダイマーバックリングダイナミクス
日本物理学会第57回年次大会


長内理尚、中村淳、安永均、名取晃子
2002/03

199 学会口頭発表
Ge/Si(113)-2x2の再構成表面構造
第49回応用物理学関係連合講演会


住友弘二 、Zhaohui Zhang、中村淳、尾身博雄 、名取晃子、荻野俊郎
2002/03

200 学会口頭発表
Structural stability of the Ge/Si(113)-2x2 surface
第5回成長表面・界面の動的挙動と原子スケールシミュレーション研究会


Jun Nakamura, Akiko Natori, Zhao-Hui Zhang, Koji Sumitomo, Hiroo Omi, and Toshio Ogino
2002/03

201 学会口頭発表
Si(111)Sqrt(3)×Sqrt(3)-Ag表面の相転移とSTM像のシミュレーション
日本物理学会 第56回年次大会,中央大学


渡邉聡,中村美道,近藤優樹,中村淳
2001

202 学会口頭発表
Atomic structure of Ge/Si(113)-2x2 reconstruction
The 9th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy and Asian SPM (4)


Zhaohui Zhang, Koji Sumitomo, Jun Nakamura, Hiroo Omi, Akiko Natori, and Toshio Ogino
2001/12

203 学会口頭発表
Ge/Si(113)-2x2表面の構造安定性
日本物理学会2001年秋期大会


中村淳,張朝暉,住友弘二,尾身博雄,荻野俊郎,名取晃子
2001/09

204 学会口頭発表
Structural and electronic properties of two-dimensional C60
第12回 日本MRS学術シンポジウム,川崎


中村 淳,中山知信,渡邉 聡,青野正和
2000

205 学会口頭発表
Si(111)Sqrt2(3)×Sqrt(3)-Ag表面の構造秩序化:第一原理計算結果に基づくモンテカルロシミュレーション
日本物理学会 第55回年次大会,新潟大学


中村美道,近藤優樹,中村 淳,渡邉 聡
2000

206 学会口頭発表
ジグザグ金原子鎖の双安定性
日本物理学会 第55回年次大会,新潟大学


中村 淳,小林伸彦,渡邉 聡,青野正和
2000

207 学会口頭発表
STM images and fluctuation of surface atoms: A theoretical study on Si(111)Sqrt(3)×Sqrt(3)-Ag surface
SPM-8


Y.Nakamura, Y.Kondo, J.Nakamura, S.Watanabe
2000

208 学会口頭発表
Interface Structural analysis using medium-energy coaxial impact-collision ion scattering spectroscopy
ICAARI-6, Texas, USA


H.Sone, T.Kobayashi, G.Dorenbos, J.Nakamura, M.Aono, C.F.McConville
2000

209 学会口頭発表
Long-range molecular ordering in a strained C_60_ monolayer
NASI-1


T.Nakayama, J.Onoe, J.Nakamura, K.Takeuchi, M.Aono
2000

210 学会口頭発表
Structural and Electronic Properties of Two-dimensional C_60_
NASI-1


J.Nakamura, T.Nakayama, S.Watanabe, M.Aono
2000

211 学会口頭発表
In-situ measurements of strain in the surface normal direction: InAs on GaAs(111)A
ECOSS-19, Madrid, Spain


A.Ohtake, J.Nakamura, M.Terauchi, F.Sato, M.Tanaka, M.Ozeki
2000

212 学会口頭発表
Structural stability and electronic states of gold nanowires
ECOSS-19, Madrid, Spain


J.Nakamura, N.Kobayashi, S.Watanabe, M.Aono
2000

213 学会口頭発表
Electronic structure of the Si(111)-(4×1) In surface
ISSI PDSC-2000, Nagoya


J.Nakamura, S.Watanabe, M.Aono
2000

214 学会口頭発表
Theoretical study on the structural phase transition of Si(111)Sqrt(3)×Sqrt(3)-Ag surface
ISSI PDSC-2000, Nagoya


Y.Nakamura, Y.Kondo, J.Nakamura, S.Watanabe
2000

215 学会口頭発表
Structural ordering on Si(111)Sqrt(3)×Sqrt(3)-Ag surface: Monte Carlo simulation based on first-principles calculations
ICPS 25, Osaka


Y.Nakamura, Y.Kondo, J.Nakamura, S.Watanabe
2000

216 学会口頭発表
中エネルギー同軸型直衝突イオン散乱分光法(ME-CAICISS)によるSi/Sb(δドープ)/Si構造の分析
第26回結晶成長討論会


曾根逸人、小林峰、中村淳、青野正和
2000/09

217 学会口頭発表
InAs/GaAs(111)A系における歪緩和
日本物理学会春の分科会


大竹晃浩、尾関雅志、中村淳
2000/03

218 学会口頭発表
Atomic and electronic structure of the Si(111)-Sqrt3xSqrt3-Ag surface: re-examined by using first-principles calculations
International Symposium on Surface Science for Micro- and Nano-Device Fabrication (ISSS-3)


Y.Kondo, J.Nakamura, and S.Watanabe
1999/11

219 学会口頭発表
Structural stability of the Si(111)-(Sqrt3xSqrt3)-Sn surface
International Symposium on Surface Science for Micro- and Nano-Device Fabrication (ISSS-3)


T.Kado-hira, Y.Miura, J.Nakamura, M.Aono, and T.Osaka
1999/11

220 学会口頭発表
第一原理擬ポテンシャル法によるSi(111)-(√3x√3)R30-Sn表面の評価
日本物理学会秋の分科会


門平卓也、三浦義弘、中村淳、青野正和、大坂敏明
1999/09

221 学会口頭発表
Si(111)√3x√3-Ag表面上の光重合C60薄膜のSTMによる観察と加工
日本物理学会秋の分科会


中山知信、尾上順、田中啓文、中村淳、武内一夫、青野正和
1999/09

222 学会口頭発表
Au 2原子列鎖の構造と電子状態
日本物理学会秋の分科会


中村淳、小林伸彦、渡邉聡、青野正和
1999/09

223 学会口頭発表
Si(001)-2x1Ag吸着表面の第一原理計算による評価
日本物理学会秋の分科会


中村淳、櫻井亮、渡邉聡、青野正和
1999/09

224 学会口頭発表
C60単分子膜における光重合反応生成物のUHV-STM観察
第17回フラーレン総合シンポジウム


中山知信、尾上順、中辻寛、中村淳、武内一夫、青野正和
1999/08

225 学会口頭発表
Photo-induced products in a C60 monolayer on Si(111)-Sqrt3xSqrt3-Ag: An STM study
International Conference on the Structure of Surfaces (ICSOS-6)


T.Nakayama, J.Onoe, K.Nakatsuji, J.Nakamura, K.Takeuchi, and M.Aono
1999/07

226 学会口頭発表
Si(001)表面上におけるAg吸着構造の第一原理計算による評価
日本物理学会第54回年会


中村淳、櫻井亮、渡邉聡、青野正和
1999/03

227 学会口頭発表
C60単層膜中における光重合C60二量体および三量体の非対称電子密度分布---STM/STSによる検討
日本物理学会第54回年会


中山知信、尾上順、中辻寛、中村淳、武内一夫、青野正和
1999/03

228 学会口頭発表
C60単分子膜における局所的な光重合
理研シンポジウム:第5回原子スケールサイエンジニアリング研究会


中山知信、尾上順、中辻寛、中村淳、武内一夫、青野正和
1999/01

229 学会口頭発表
Handling Adsorbed C60 on Surfaces by Irradiation of Photon
RIKEN Conference on Molecular Design


T.Nakayama, J.Onoe, K.Nakatsuji, J.Nakamura, K.Takeuchi, and M.Aono
1998/12

230 学会口頭発表
Chemical bonding features for faultily-stacked interfaces of GaAs{111}
25th Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-25)


J.Nakamura, M.Masui, M.Sawayanagi, S.-P.Cho, T.Mishima, M.Nishizawa, T.Eguchi, and T.Osaka
1998/01

231 学会口頭発表
α-Sn(111)-(2x2)表面の構造と電子状態I
日本物理学会秋の分科会


江口豊明、中村淳、大坂敏明
1997/10

232 学会口頭発表
α-Sn(111)-(2x2)表面の構造と電子状態II
日本物理学会秋の分科会


中村淳、江口豊明、大坂敏明
1997/10

233 学会口頭発表
単原子層h-BN/Ni(111)界面における化学結合状態
日本物理学会秋の分科会


中村淳、中島博、大坂敏明
1997/10

234 学会口頭発表
InSb(111)B-2x2表面の最適化構造とその電子状態
日本物理学会第52回年会


中村淳、中澤秀司、大坂敏明
1997/03

235 学会口頭発表
Structural stability and its electronic origin of the GaAs(111)A-2x2 surface
International Symposium on Surface Nano-Control of Environmental Catalysts
and Related Materials


J.Nakamura, H.Nakajima, and T.Osaka
1996/11

236 学会口頭発表
KCl(001)表面におけるAuの核形成
日本金属学会秋季大会


中村淳、大坂敏明
1996/10

237 学会口頭発表
GaAs(111)A-2x2表面の電子状態と構造安定性
日本物理学会秋の分科会


中村淳、中島博、大坂敏明
1996/09

238 学会口頭発表
RHEEDロッキングカーブを用いたSi(111)-√3x√3R30-Au表面の構造解析
日本物理学会秋の分科会


中川明仁、中村淳、大竹晃浩、大坂敏明
1996/09

239 学会口頭発表
GaAs(111)A-2x2表面の構造安定性とその電子論的起源
第9回DV-Xα研究協会


中村淳、大坂敏明
1996/08

240 学会口頭発表
RHEED rocking curveを用いたInSb{111}A,B表面の構造解析
日本物理学会秋の分科会


大竹晃浩、中村淳、大坂敏明
1995/09

241 学会口頭発表
InSb(111)A-(2x2)表面上におけるα-Sn安定成長メカニズム
第8回DV-Xα研究協会


中嶋尚之、中村淳、大坂敏明
1995/08

242 学会口頭発表
GaAs{111}表面・界面の電子論的評価
第8回DV-Xα研究協会


中村淳、大坂敏明
1995/08

243 学会口頭発表
Ge/Si(111)-Sb系表面変性エピタキシー
第14回表面科学講演大会


中村淳、此木秀和、大坂敏明
1994/12

244 学会口頭発表
Si(111)上のGe擬形態層に及ぼすSbの効果
日本物理学会秋の分科会


中村淳、此木秀和、大坂敏明
1994/09

245 学会口頭発表
InSb(111)B表面上での酸素の解離吸着
第7回DV-Xα研究協会


中澤秀司、中村淳、大坂敏明
1994/08

246 学会口頭発表
NaCl(001)およびKCl(001)表面上でのAu原子の吸着サイト
第7回DV-Xα研究協会


南貴博、中村淳、大坂敏明
1994/08

247 学会口頭発表
Si(111)上のGe擬形態層に及ぼすSbの効果
第7回DV-Xα研究協会


中村淳、此木秀和、大坂敏明
1994/08

248 学会口頭発表
シリコンカーバイド表面上に析出した単原子層グラファイトの安定性
表面技術協会第89回講演大会


中村淳、此木秀和、大坂敏明
1994/03

249 学会口頭発表
単原子層グラファイト/SiC(111)系不整合界面の安定化機構
日本金属学会秋季大会


中村淳、此木秀和、大坂敏明
1993/10

250 学会口頭発表
単原子層グラファイト/SiC(111)系界面における電荷移動機構
日本物理学会秋の分科会


中村淳、大坂敏明
1993/09

251 学会口頭発表
単原子層グラファイト/SiC(111)A系界面の電子論的評価
第6回DV-Xα研究協会


中村淳、此木秀和、大坂敏明
1993/07

252 学会口頭発表
CX4分子中の電荷移動に対する一考察
第12回表面科学講演大会


佐藤宏、此木秀和、中村淳、大坂敏明
1992/12

253 学会口頭発表
炭素内殻順位のシフトに及ぼす電荷移動の効果~メタン系分子を中心として~
第5回DV-Xα研究協会


佐藤宏、中村淳、大坂敏明
1992/07

254 学会口頭発表
四面体型CX4(X=F,Cl,Br,I)分子における正味の電荷移動
第5回DV-Xα研究協会


此木秀和、中村淳、大坂敏明
1992/07

255 学会口頭発表
GaAs結晶中の双晶形成に及ぼす諸因子
第11回表面科学講演大会


芹沢千絵、山本一雄、中村淳、大坂敏明
1991/12

256 学会口頭発表
化学結合の効果を考慮した原子散乱因子の計算
第4回DV-Xα研究協会


中村淳、山本一雄、芹沢千絵、大坂敏明、早藤貴範、木村仁史、武石玲子
1991/08

257 シンポジウム
Intra- and inter-layer magnetic interactions in a van der Waals crystal
2018 DPG Joint meeting of the DPG and EPS Condesed Matter Divisions


M. Kawashima, A. Akaishi, and J. Nakamura
2018/03/13

258 シンポジウム
InGaN混晶中におけるIn-In相互作用
電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第2回シンポジウム「物性科学から工学へ」


畑木尚、中村淳
2018/03/07

259 シンポジウム
窒素ドープグラフェンの構造安定性に局所的窒素配列が及ぼす影響
電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第2回シンポジウム「物性科学から工学へ」


千葉紗彩、赤石暁、中村淳
2018/03/07

260 シンポジウム
窒素ドープグラフェン上の酸素還元反応の窒素配位依存性
電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第2回シンポジウム「物性科学から工学へ」


松山治薫、赤石暁、中村淳
2018/03/07

261 シンポジウム
Structural stability of the Se-treated GaAs(111)B surface
電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第2回シンポジウム「物性科学から工学へ」


後藤俊治、中村淳
2018/03/07

262 シンポジウム
LiMO2(M=Mn,Co,Ni)の熱力学的安定性および磁気的特性の第一原理計算による評価
電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第2回シンポジウム「物性科学から工学へ」


宮本惇、中村淳
2018/03/07

263 シンポジウム
Formation of Water Bilayer on Graphene Surfaces
45th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-45)


A. Akaishi and J. Nakamura
2018/01/16

264 シンポジウム
Quantitative Relation between the Structural Stability and the Aromaticity of Graphene Nanoflakes
45th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-45)


M.Ushirozako, H. Matsuyama, A. Akaishi, and J. Nakamura
2018/01/16

265 シンポジウム
Effect s of Edge Structures on the Oxygen Reduction Reaction Activity of Nitrogen-doped Graphene Nanoribbons
45th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-45)


S. Gomi, H. Matsuyama, A. Akaishi, and J. Nakamura
2018/01/16

266 シンポジウム
Effect of edge structures on the oxygen reduction reaction activity of nitrogen-doped graphene nanoribbons
The Irago Conference 2017


S. Gomi, H. Matsuyama, A. Akaishi, and J. Nakamura
2017/11/01

267 シンポジウム
Relationship between Stability and Aromaticity of Graphene Nanoflakes
The Irago Conference 2017


A. Akaishi, M. Ushirozako, H. Matsuyama, and J. Nakamura
2017/11/01

268 シンポジウム
Softly-confined water cluster between free standing graphene sheets
The Irago Conference 2017


R. Agustian, A. Akaishi, and J. Nakamura
2017/11/01

269 シンポジウム
Structural stability of the Se-treated GaAs(111)B surface
The Irago Conference 2017


S. Goto, A. Ohtake, A. Akaishi, and J. Nakamura
2017/11/01

270 シンポジウム
Oxygen Reduction Reaction on N-doped Graphene Nanoclusters: Dependence on Nitrogen Configuration
International Symposium on Novel Energy Nanomaterials, Catalysts and Surfaces for Future Earth (NENCS)


H. Matsuyama, A. Akaishi, and J. Nakamura
2017/10/29

271 シンポジウム
Anomalous Enhancement of Seebeck Coefficients fo the Graphene/h-BN Composites
International Symposium on Novel Energy Nanomaterials, Catalysts and Surfaces for Future Earth (NENCS)


J. Nakamura, and A. Akaishi
2017/10/28

272 シンポジウム
Reaction Selectivity for Oxygen Reduction of N-Doped Graphene Nanoclusters
232nd ECS Meeting


H. Matsuyama, A. Akaishi, and J. Nakamura
2017/10/01

273 シンポジウム
グラフェン界面の水のダイナミクス
電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第1回シンポジウム「表面界面の科学と摩擦」


赤石暁、中村淳
2017/09/30

274 シンポジウム
Se処理したGaAs(111)B表面の構造安定性
電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第1回シンポジウム「表面界面の科学と摩擦」


後藤俊治、中村淳
2017/09/30

275 シンポジウム
グラフェン層間に拘束された水分子クラスターの動的構造評価
電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第1回シンポジウム「表面界面の科学と摩擦」


Rifan Agustian、中村淳
2017/09/30

276 シンポジウム
窒素ドープグラフェンナノリボンの酸素還元触媒能に及ぼすエッジの効果
電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第1回シンポジウム「表面界面の科学と摩擦」


五味駿一、中村淳
2017/09/30

277 シンポジウム
曲率を有するグラフェン表面における水ナノクラスターの吸着特性
ナノトライボロジー研究センター開設シンポジウム


玉村優佳、赤石暁、中村淳
2017/03/08

278 シンポジウム
Se吸着GaAs(111)B表面の構造安定性
ナノトライボロジー研究センター開設シンポジウム


後藤俊治、赤石暁、中村淳
2017/03/08

279 シンポジウム
窒素ドープカイラルエッジグラフェンナノリボンの構造安定性
ナノトライボロジー研究センター開設シンポジウム


菊地庸介、赤石暁、中村淳
2017/03/08

280 シンポジウム
窒素ドープグラフェンナノクラスター上における酸素還元反応の窒素原子位置依存性
ナノトライボロジー研究センター開設シンポジウム


松山治薫、赤石暁、中村淳
2017/03/08

281 シンポジウム
グラフェン上の水2重層構造
ナノトライボロジー研究センター開設シンポジウム


赤石暁、中村淳
2017/03/08

282 シンポジウム
Site-dependent Oxygen Reduction Reaction of N-doped Graphene Nanoclusters
44th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-44)


H. Matsuyama, S.-I. Gomi, M. Ushirozako, A. Akaishi, and J. Nakamura
2017/01/16

283 シンポジウム
Mechanism of Stabilization and Magnetization of Impurity-doped Zigzag Graphene Naoribbons
44th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-44)


Y. Uchida, S.-I. Gomi, H. Matsuyama, A. Akaishi, and J. Nakamura
2017/01/16

284 シンポジウム
Structural stability of graphene nanoflakes
The Irago Conference 2016


M. Ushirozako, A. Akaishi, and J. Nakamura
2016/11/01

285 シンポジウム
Formation of water layers on graphene surfaces
The Irago Conference 2016


A. Akaishi and J. Nakamura
2016/11/01

286 シンポジウム
Oxygen reduction reaction on nitrogen-doped graphene nanoribbons
The Irago Conference 2016


S.-I. Gomi, H. Matsuyama, A. Akaishi, and J. Nakamura
2016/11/01

287 シンポジウム
Oxygen reduction reaction on nitrogen-doped graphene nanoclusters
The Irago Conference 2016


H. Matsuyama, S. Tanaka, A. Akaishi, and J. Nakamura
2016/11/01

288 シンポジウム
Electrical conductivity of the biaxally-strained GaSb
The Irago Conference 2016


H. Kishimoto, T. Hatayama, A. Akaishi, and J. Nakamura
2016/11/01

289 シンポジウム
Interfacial water layer on doped graphene surfaces
13th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 2016)


A. Akaishi and J.Nakamura
2016/10/12

290 シンポジウム
Structural stability of graphene nanoflakes
13th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 2016)


M.Ushirozako, A. Akaishi, and J.Nakamura
2016/10/12

291 シンポジウム
Electrical conductivity of the biaxially-strained GaSb(111) and GaSb(001)
13th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 2016)


H. Kishimoto, T. Hatayama, A. Akaishi, and J.Nakamura
2016/10/12

292 シンポジウム
Electrical conductivity of the biaxially-strained GaSb(111) films
The 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2016)


T. Hatayama, H. Kishimoto, A. Akaishi, and J.Nakamura
2016/06/27

293 シンポジウム
窒素ドープグラフェン上における酸素還元反応
合同若手研究会 -表面・界面現象の新展開:吸着・物質移動・エネルギー散逸-


松山治薫、田中崇太郎、赤石暁、中村淳
2016/03/14

294 シンポジウム
GaSb(111)薄膜の電気伝導率の歪み依存性
合同若手研究会 -表面・界面現象の新展開:吸着・物質移動・エネルギー散逸-


岸本秀輝、畑山拓也、赤石暁、中村淳
2016/03/14

295 シンポジウム
Mn吸着GaAs(001)-(2x2)表面の局所無秩序構造
合同若手研究会 -表面・界面現象の新展開:吸着・物質移動・エネルギー散逸-


船附顕汰、赤石暁、中村淳
2016/03/14

296 シンポジウム
Strain effect on the hole effective mass of GaSb: A first-priciples study
The Irago Conference 2015


H.Kishimoto, T.Hatayama, A.Akaishi, and J.Nakamura
2015/10/23

297 シンポジウム
First-principles study on locally-disordered structures of the Mn-induced GaAs(001)-(2 x 2) surface
The Irago Conference 2015


K.Funatsuki, A.Akaishi, and J.Nakamura
2015/10/23

298 シンポジウム
Conformational stabilization of graphene nanoflakes
The Irago Conference 2015


M.Ushirozako, A.Akaishi, and J.Nakamura
2015/10/23

299 シンポジウム
Oxygen reduction reaction on the basal plane of nitrogen-doped graphene: Effects of local arrangement of dopants
The Irago Conference 2015


H.Matsuyama, A.Ichikawa, A.Akaishi, and J.Nakamura
2015/10/23

300 シンポジウム
Oxygen Reduction Reaction on Nitrogen-doped Graphene
American Vacuum Society 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62)


J.Nakamura, A.Ichikawa, H.Matsuyama, and A.Akaishi
2015/10/21

301 シンポジウム
Edge-state-induced Stabilization of Dopants in Graphene
American Vacuum Society 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62)


Y.Uchida, A.Akaishi, and J.Nakamura
2015/10/21

302 シンポジウム
Electronic Structures of the Biaxiallystrained GaSb(111) Films
American Vacuum Society 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62)


T.Hatayama, A.Akaishi, and J.Nakamura
2015/10/19

303 シンポジウム
男女共同参画委員会活動報告
第13回男女共同参画学協会連絡会シンポジウム


小川賀代、近藤高志、沈青、中村淳
2015/10/17

304 シンポジウム
Oxygen reduction reaction on the basal plane of nitrogen- doped graphene
31st European Conference on Surface Science (ECOSS-2015)


J.Nakamura, A.Ichikawa, H.Matsuyama, and A.Akaishi
2015/09/03

305 シンポジウム
Wettability of graphene surface
31st European Conference on Surface Science (ECOSS-2015)


A.Akaishi and J.Nakamura
2015/09/01

306 シンポジウム
Oxygen reduction reaction on the basal plane of nitrogen-doped graphene
Graphene Week 2015


J.Nakamura, A.Ichikawa, H.Matsuyama, and A.Akaishi
2015/06/24

307 シンポジウム
Water layers on graphene surface
Graphene Week 2015


A.Akaishi and J.Nakamura
2015/06/24

308 シンポジウム
Structural Stability of B-, N-Doped Graphene Nanoribbons
7th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, (ISPlasma 2015)


Y.Uchida, A.Akaishi, and J.Nakamura
2015/03/30

309 シンポジウム
Universal Feature of Seebeck Coefficients in Graphene/h-BN Nano-Composites
7th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, (ISPlasma 2015)


Y.Ayako, A.Akaishi, and J.Nakamura
2015/03/30

310 シンポジウム
Electrocatalytic Activity for Oxygen Reduction on Nitrogen-Doped Graphene
7th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, (ISPlasma 2015)


A.Ichikawa, A.Akaishi, and J.Nakamura
2015/03/30

311 シンポジウム
Giant Seebeck Coefficiens for the Graphene/h-BN Superlattices
7th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, (ISPlasma 2015)


Nakamura and Y.Yokomizo
2015/03/28

312 シンポジウム
Catalytic Reduction of Oxygen on Nitrogen-doped Graphene
42nd Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces (PCSI-42)


A.Ichikawa, A.Akaishi, and J.Nakamura
2015/01/19

313 シンポジウム
Anomalous Enhancement of Seebeck Coefficients for the Graphene/h-BN Superlattices
Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings & Interfaces (pacsurf2014)


J.Nakamura and Y.Yokomizo
2014/12/11

314 シンポジウム
On the Wettability of Graphene
Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings & Interfaces (pacsurf2014)


A.Akaishi, T.Yonemaru, and J.Nakamura
2014/12/11

315 シンポジウム
Reduction of Oxygen on Nitrogen-Doped Graphene
Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings & Interfaces (pacsurf2014)


A.Ichikawa, A.Akaishi, and J.Nakamura
2014/12/08

316 シンポジウム
Universality of Seebeck Coefficients in Graphene/h-BN Nano-Composites
Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings & Interfaces (pacsurf2014)


Y.Ayako, A.Akaishi, and J.Nakamura
2014/12/08

317 シンポジウム
Configurational Disorder of Mn-induced (2x2) Reconstruction on GaAs(001)
18th International Conference on Molecular Beam Expitaxy (MBE2014)


A.Hagiwara, A.Ohtake, and J.Nakamura
2014/09/11

318 シンポジウム
Giant Seebeck Coefficients of the Graphene/h-BN Superlattices
41st Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces (PCSI-41)


Y.Yokomizo and J.Nakamura
2014/01

319 シンポジウム
Structural stability and electronic structure of boron- or nitrogen-doped graphene
American Vacuum Society 60th International Symposium & Exhibition (AVS-60)


T.Umeki and J.Nakamura
2013/10

320 シンポジウム
Giant Seebeck coefficients of graphene/BN superlattices
The 7th International Conference on the Fundamental Science of Graphene and Applications of Graphene-Based Devices (Graphene Week 2013)


Y.Yokomizo and J.Nakamura
2013/06

321 シンポジウム
Ferromagnetic coupling between Mn atoms on the GaAs(110) surface
The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-2013)


M.Hirayama, J.Nakamura, and S.Tsukamoto
2013/05

322 シンポジウム
Effects of surface geometry on the wettability of water on graphene
40th Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces (PCSI-40)


H.Yonemaru, H.Shimizu, and J.Nakamura
2013/01

323 シンポジウム
Incorporation of Cr or Mn at the GaAs(001)-c(4x4)a surface
40th Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces (PCSI-40)


K.Okukita, A.Hagiwara, A.Ohtake, and J.Nakamura
2013/01

324 シンポジウム
Ballistic phonon thermal conductance in graphene nano-ribbon
40th Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces (PCSI-40)


H.Tomita and J.Nakamura
2013/01

325 シンポジウム
Atomic Arrangements and structural stability of the Mn adsorbed GaAs(001) surfaces
American Vacuum Society 59th International Symposium & Exhibition (AVS-59)


A.Hagiwara, A.Ohtake, Y.Kanno, S.Yasumura, and J.Nakamura
2012/10

326 シンポジウム
Structural stability and electronic states of Cr or Mn on GaAs(001)-c(4x4)
The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012)


K.Okukita and J.Nakamura
2012/09

327 シンポジウム
Ballistic phonon thermal conductancein Graphene Nano-Ribbon: First-principles calculations
31st International conference on the physics of Semiconductors (ICPS 2012)


Jun Nakamura and Hiroki Tomita
2012/07

328 シンポジウム
Ballistic phonon thermal conductivity of graphene nano-ribbons
International Conference of New Science Created by Materials with Nano Spaces: from Fundamentals to Applications


H.Tomita and J.Nakamura
2011/11

329 シンポジウム
Optical characteristics of novel two-dimensional carbon materials; A possibility of ultra-transparent materials
2011 MRS Fall Meeting


Y.Yokomizo and J.Nakamura
2011/11

330 シンポジウム
First-principles approach to ballistic phonon thermal conductivity in Graphene Nano-Ribbon
2011 MRS Fall Meeting


H.Tomita and J.Nakamura
2011/11

331 シンポジウム
Local profile of the dielectric constant near the oxygen vacancy in the GeO2 films
AVS 58th International Symposium & Exhibition


Jun Nakamura and Masahiro Tamura
2011/11

332 シンポジウム
Electronic and magnetic properties of chemically‐derived graphene nano-ribbon
22nd European Conference on Diamond (Diamond 2011)


Y.Fujii, H.Tomita, and J.Nakamura
2011/09

333 シンポジウム
Mn-induced surface reconstructions on GaAs(001)
38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-2011)


A.Ohtake, M.Hirayama, Y.Kanno, and J.Nakamura
2011/05

334 シンポジウム
Band and Dielectric Discontinuities of the Si1-xGe/Si1-yCy Superlattices
American Vacuum Society 57th International Symposium & Exhibition (AVS-57)


T.Ohsugi and J.Nakamura
2010/10

335 シンポジウム
Electronic and Magnetic Properties of Functionalized Graphene
American Vacuum Society 57th International Symposium & Exhibition (AVS-57)


Y.Fujii and J.Nakamura
2010/10

336 シンポジウム
Percolation properties of nanotube/polymer composites
18th International Vacuum Congress (IVC-18)


N.Ainoya, J.Nakamura, and A.Natori
2010/08

337 シンポジウム
Local profile of dielectric constants near the oxygen vacancy in GeO2
International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics (ISTESNE)


M.Tamura, J.Nakamura, and A.Natori
2010/06

338 シンポジウム
Magnetic coupling between Mn atoms on GaAs(110)
The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-37)


M.Hirayama, J.Nakamura, and A.Natori
2010/06

339 シンポジウム
Evaluation of the local dielectric constant near the oxygen vacancy for the defective HfO2 and SiO2 films
The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-37)


S.Wakui, J.Nakamura, and A.Natori
2010/06

340 シンポジウム
Structural and electronic properties of “oxidized” carbon-nanocylinder
The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-37)


Y.Fujii, J.Nakamura, and A.Natori
2010/06

341 シンポジウム
HfO2/La2O3超薄膜の誘電特性
シリコンナノエレクトロニクスの新展開-ポストスケーリングテクノロジー第3回成果報告会


涌井貞一、谷内良亮、中村淳 、名取晃子
2009/01

342 シンポジウム
GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子鎖のスピン状態と電子状態
The 13th Symposium on the Physics and Application of Spin-Related Phenomena in Semiconductors (PASPS13)


平山基、中村淳、名取晃子
2009/01

343 シンポジウム
Activities of the Japan Society of Applied Physics (JSAP)
The 3rd IUPAP International Conference on Women in Physics 2008


Activities of the Japan Society of Applied Physics (JSAP)
The 3rd IUPAP International Conference on Women in Physics 2008, Oct. 2008 (Seoul, Korea)
K.Ishikawa, M.N-.Gamo, K.Ishikawa, M.O.Watanabe, Y.Toyama, H.Iijima, K.Ito, J.Nakamura, and K.Kodate
2008/10

344 シンポジウム
Polytype dependence of permittivity of SiC films
14th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-14)


J.Nakamura, K-H.Sato, Y.Iwasaki, S.Wakui, and A.Natori
2008/07

345 シンポジウム
Anomalous enhancement of the local dielectric constant near defects in SiO2
14th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-14)


S.Wakui, J.Nakamura, and A.Natori
2008/07

346 シンポジウム
First-principles calculations on STM images for subsurface dopants: tip-induced band-bending and dependence on dopant species
14th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-14)


M.Hirayama, J.Nakamura, and A.Natori
2008/06

347 シンポジウム
Atomic-scale friction of nanometer-sized contacts
14th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-14)


M.Igarashi, J.Nakamura, and A.Natori
2008/06

348 シンポジウム
欠陥のあるSiO2/Si(001)界面・SiO2超薄膜の局所誘電率評価
シリコンナノエレクトロニクスの新展開-特定領域研究ポストスケール第2回成果報告会


涌井貞一、中村淳 、名取晃子
2008/03

349 シンポジウム
Band-bending effects on STM images for subsurface dopants
15th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy


Motoi Hirayama, Jun Nakamura, Akiko Natori
2007/12

350 シンポジウム
Dielectic properties of the interface between Si adn SiO2
5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI2007)


S.Wakui, J.Nakamura, and A.Natori
2007/11

351 シンポジウム
Mechanism of velocity saturation of atomic friction force and the dynamic superlubricity
International Conference on Nano Science and Technology (ICN+T 2007)


J.Nakamura, J.Ito, and A.Natori
2007/07

352 シンポジウム
STM simulations for B- and P-doped Si(111) surfaces
International Conference on Nano Science and Technology (ICN+T 2007)


M.Hirayama, J.Nakamura and A.Natori
2007/07

353 シンポジウム
Mechanism of velocity saturation and lateral resonance in atomic-scale sliding friction
International Conference on Nano Science and Technology (ICN+T 2007)


M.Igarashi, J.Nakamura and A.Natori
2007/07

354 シンポジウム
ac conductivity and dielectric constant of conductor-insulator composites
6th International IEEE Conference on Polymers and Adhesives in Microelectronics and Photonics (Polytronic 2006)


Y.Koyama, T.B.Murutanto, J.Nakamura, A.Natori
2007/01

355 シンポジウム
Mechanism of velocity saturation of atomic friction force and the dynamic superlubricity at torsional resonance
The 14th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM-14)


M.Igarashi, J.Nakamura and A.Natori
2006/12

356 シンポジウム
STM simulations for B- and P-doped Si(111) surfaces
The 14th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM-14)


H.Hirayama, J.Nakamura and A.Natori
2006/12

357 シンポジウム
Charge correlation and spin coupling in double quantum dots
ICPS-28 (28th International Conference on the Physics of Semiconductors)


Hyuga Masu, Jun Nakamura, and Akiko Natori
2006/07

358 シンポジウム
Dielectric discontinuity at a twin boundary in Si(111)
ICPS-28 (28th International Conference on the Physics of Semiconductors)


Jun Nakamura and Akiko Natori
2006/07

359 ワークショップ
Intra- and inter-layer magnetic interactions in a van der Waals crystal
The 6th International Workshop on Solution Plasma and Molecdular Technology (SPM6)


M. Kawashima, A. Akaishi, and J. Nakamura
2018/06/05

360 ワークショップ
Systematic evaluation of the structural stability of N-doped graphene
The 6th International Workshop on Solution Plasma and Molecdular Technology (SPM6)


S. Chiba and J. Nakamura
2018/06/05

361 ワークショップ
Edge-state-induced stacking of zigzag graphene nano-ribbons
The 6th International Workshop on Solution Plasma and Molecdular Technology (SPM6)


T. Asano and J. Nakamura
2018/06/05

362 ワークショップ
Two- to Three-Dimentional Transition of Softly Confined Water Between Graphene Sheets
The 5th International Workshop on Solution Plasma and Molecdular Technology (SPM5)


R. Agustian, A. Akaishi, and J. Nakamura
2017/06/27

363 ワークショップ
Water adsorption on doped graphene surfaces
4th International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-4)
O3

A. Akaishi and J.Nakamura
2016/06/09

364 ワークショップ
Effects of edge structures on oxygen reduction reaction for nitrogen-doped graphene nanoclusters
4th International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-4)
MN5

H.Matsuyama, S.Tanaka, A.Akaishi and J.Nakamura
2016/06/08

365 ワークショップ
Double-layer structure of water molecules on the graphene surface
3rd International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-3)


A.Akaishi and J.Nakamura
2015/05/08

366 ワークショップ
Catalytic reaction of oxygen on nitrogen-doped graphene
3rd International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-3)


H.Matsuyama, A.Ichikawa, A.Akaishi, and J.Nakamura
2015/05/06

367 ワークショップ
Structural stability of B-, N-doped zigzag graphene nanoribbons
2nd International Workshop on Solution Pasma and Molecular Technologies (SPM-2),
P7

Y. Uchida, A. Akaishi, and J.Nakamura
2014/05/15

368 ワークショップ
Seebeck coefficients of graphene/h-BN nano-composites
2nd International Workshop on Solution Pasma and Molecular Technologies (SPM-2)
P5

Y. Ayako, A. Akaishi, and J.Nakamura
2014/05/15

369 ワークショップ
Graphite is hydrophobic, or not?
2nd International Workshop on Solution Pasma and Molecular Technologies (SPM-2)
P2

T. Yonemaru, A. Akaishi, and J.Nakamura
2014/05/15

370 ワークショップ
Adsorption profiles of oxygen molecule on nitrogen-doped graphne
2nd International Workshop on Solution Pasma and Molecular Technologies (SPM-2)
P1

A. Ichikawa, A. Akaishi, and J.Nakamura
2014/05/15

371 ワークショップ
Giant Seebeck effect of graphene/BN superlattices
1st International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-1)


Y.Yokomizo and J.Nakamura
2013/03

372 ワークショップ
First-pinciples study on the structural stability of boron- and nitrogen-doped graphene
1st International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-1)


T.Umeki and J.Nakamura
2013/03

373 ワークショップ
Effects of surface geometry on the wettability of water on graphene
1st International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-1)


H.Yonemaru, H.Shimizu, and J.Nakamura
2013/03

374 ワークショップ
SiCポリタイプにおける誘電率の空間的変調
配列ナノ空間を利用した新物質科学 ユビキタス元素戦略 第7回領域会議


大杉拓也、中村淳
2011/01

375 ワークショップ
ホモマテリアルヘテロ界面の周期配列制御によるメタマテリアルの創製
「配列ナノ空間を利用した新物質科学 ユビキタス元素戦略」第6回領域会議


中村淳
2010/05

376 ワークショップ
BN結晶多形を利用したホモマテリアル・ヘテロ構造の電子状態
「配列ナノ空間を利用した新物質科学 ユビキタス元素戦略」第6回領域会議


加藤豪、中村淳
2010/05

377 ワークショップ
GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子鎖のスピン状態
第4回量子ナノ材料セミナー


平山基、中村淳、名取晃子
2008/07

378 ワークショップ
不純物ドープSi(111)表面の第一原理STMシミュレーション:探針誘起バンドベンディング効果と不純物種依存性
第7回ドーパント計測研究会


平山基、中村淳、名取晃子
2008/03

379 ワークショップ
SiO2/Si(001)界面のナノスケール誘電特性
ゲートスタック研究会第12回研究会


涌井貞一、中村淳、名取晃子
2007/02

380 ワークショップ
B/PドープSi(111)表面のSTM像の第一原理シミュレーション
第6回ドーパント計測研究会


平山基、中村淳、名取晃子
2007/01

381 ワークショップ
First-principles calculation of electrostatic property of the interface: Ultra-thin Al/Si(111)
2006 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices - Science and Technology


Tomo Shimizu, Kenji Natori, Jun Nakamura, and Akiko Natori
2006/11

382 ワークショップ
Deielectproperties of the interface between Si and SiO2
2006 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices - Science and Technology


Sadakazu Wakui, Jun Nakamura, Akiko Natori
2006/11

383 ワークショップ
原子摩擦力の速度飽和と共鳴減少
第二回摩擦、トライボロジー、ダイナミクス若手夏の学校


五十嵐正典、中村淳、名取晃子
2006/09

384 国際会議招待講演
Formation of Water Layer on Graphene Surfaces
International Symposium of Water Frontier Science & Technology Research Center,
Water on Materials Surface 2018 (WMS2018)


Jun Nakamura
2018/07/27
URL
385 国際会議招待講演
Water layer formation on graphene
The 6th International Workshop on Solution Plasma and Molecdular Technology (SPM6)


Jun Nakamura
2018/06/05

386 国際会議招待講演
Structual Stability of Graphene Nanoflakes: from the View Point of Aromaticity
The 5th International Workshop on Solution Plasma and Molecdular Technology (SPM5)


J. Nakamura, M. Ushirozako, H. Matsuyama, and A. Akaishi
2017/06/29

387 国際会議招待講演
Mechanism of Stabilization and Magnetization of Impurity-doped Zigzag Graphene Nanoribbons
4th International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-4)


J.Nakamura, Y.Uchida, S.Gomi, H.Matsuyama, and A.Akaishi
2016/06/09

388 国際会議招待講演
Anomalous enhancement of Seebeck coefficients for the graphene/h-BN composites
EMN Meeting on Carbon Nanostructures


Jun Nakamura and Yushi Yokomizo
2016/03/29

389 国際会議招待講演
Layered Water on Graphene Surfaces
2015 EMN Bangkok Meeting


A.Akaishi and J.Nakamura
2015/11/10

390 国際会議招待講演
First-principles Evaluation of The Oxygen Reduction Reaction on Nitrogen-doped Graphene
2015 EMN Bangkok Meeting


J.Nakamura, A.Ichikawa, H.Matsuyama, and A.Akaishi
2015/11/10

391 国際会議招待講演
Oxygen reduction reaction on nitrogen-doped graphene
3rd International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-3)


Jun Nakamura
2015/05/07

392 国際会議招待講演
Recent development of droplet epitaxy in NIMS: InAs QDs on InP(111)A for telecom-application and reconstruction-dependent Ga droplet formation on GaAs (100)
2nd Workshop Droplet Epitaxy of Semiconductor Nanostructures


T.Mano, A.Ohtake, T.Kuroda, H.Neul, X.Liu, K.Mitsuishi, A.Hagiwara, J.Nakamura, A.Castellano, S.Sanguinetti, T.Noda, Y. Sakuma, and K.Sakoda
2014/05/16

393 国際会議招待講演
Anomalous enhancement of Seebeck coefficients for the graphene/h-BN superlattices
2nd International Workshop on Solution Pasma and Molecular Technologies (SPM-2)


J. Nakamura and Y. Yokomizo
2014/05/16

394 国際会議招待講演
First-principles approach to the ballistic phonon thermal transport in graphene nano-ribbons
1st International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-1)


J.Nakamura and H.Tomita
2013/03

395 国際会議招待講演
First-principles evaluation of the local dielectric properties of GeO2 ultrathin films
15th International Conference on Thin Films (ICTF-15)


Jun Nakamura
2011/11

396 国際会議招待講演
Nano-materials design by first-principles calculations
5th Japanese-French Frontiers of Science Symposium (JFFoS-5)


Jun Nakamura
2011/01

397 国際会議招待講演
Inter-wire coupling of the Ga-substituted Mn atomic wire on GaAs(110)
2nd International Workshop on Epitaxial growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano 2009)


Motoi Hirayama, Jun Nakamura, and Akiko Natori
2009/08

398 国際会議招待講演
Nano-scale profile of the dielectric constant near surfaces and interfaces: A first-principles approach
2nd International Workshop on Epitaxial growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano 2009)


Jun Nakamura
2009/08

399 国際会議招待講演
Nano-scale profile of the dielectric constant near the Si/Oxide interface: A first-principles approach
212th Electrochemical society (ECS-212)


Jun Nakamura
2007/10

400 国際会議招待講演
First-principles evaluations of dielectric properties from nano-scale of points of view
8th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT-8)


Jun Nakamura, Sadakazu Wakui, Akiko Natori
2006/10

401 国際会議招待講演
First-Principles evaluations of dielectric constants
IEEE-EDS International Workshop on Nano CMOS


J.Nakamura, S.Wakui, and A.Natori
2006/01

402 国際会議招待講演
Interface Structural analysis using medium-energy coaxial impact-collision ion scattering spectroscopy



H.Sone, T.Kobayashi, G.Dorenbos, J.Nakamura, M.Aono, C.F.McConville
2000

403 国際会議招待講演
Structure and electronic states for a double strand of Au atoms
24th Relativity Workshop: The Society for Discrete Variational Xa


J.Nakamura
1999/09

404 国内会議基調講演
電気通信大学における専門教育としてのキャリア教育実践例
『エンジニアリングデザイン』を通した社会人基礎力養成
第4回新任教員研修セミナー


中村淳
2014/09/01

405 国内会議基調講演
学会における人材育成
シンポジウム:キャリアデザインと学会活動―出会える人・テーマ・チャンス―


中村淳
2011/03

406 国内会議基調講演
「博士のキャリア相談会」で考えさせられたこと:若手は学会に何を望む?
博士のキャリアデザイン(第71回応用物理学会学術講演会パネル討論会)


中村淳
2010/09

407 国内会議基調講演
学会における若手支援の取り組み
「医学物理士が切り拓く最新放射線がん治療」(第71回応用物理学会学術講演会シンポジウム)


中村淳
2010/09

408 国内会議基調講演
最先端表面研究が切り拓くナノエレクトロニクスのブレークスルー原子レベルから環境にやさしく
第28回表面科学学術講演会


中村淳
2008/11

409 国内会議基調講演
ポスドク制度の実態報告



中村淳
2004/09

410 国内会議基調講演
ポスドク・任期付き技術者/研究者の現状と将来像



中村淳
2003/09

411 国内会議招待講演
グラフェン表面における水の吸着と構造化
日本化学会第97春季年会


赤石暁、中村淳
2017/03/16

412 国内会議招待講演
グラフェンナノリボンの物性
日本磁気学会 第62回磁気工学専門研究会


中村淳
2016/11/18

413 国内会議招待講演
グラフェン表面における水の吸着と構造
合同若手研究会 -表面・界面現象の新展開:吸着・物質移動・エネルギー散逸-


赤石暁、中村淳
2016/03/14

414 国内会議招待講演
グラフェンおよびグラフェンナノリボンのバリスティックフォノン熱伝導
第35回表面科学学術講演会


中村淳
2015/12/01

415 国内会議招待講演
熱電変換材料としてのナノカーボンのポテンシャル
東京理科大学総合研究機構ナノカーボン研究部門ワークショップ
実験と理論の強調によるナノ空間・ナノ物質研究の最前線


中村淳
2014/11/25

416 国内会議招待講演
グラフェンナノリボンのバリスティック熱伝導特性
第1回ナノトライボロジーワークショップ


中村淳
2014/09/30

417 国内会議招待講演
第一原理計算の考え方とその応用
〜熱電変換材料としてのグラフェン誘導体の可能性〜
日亜化学工業セミナー


中村淳
2014/09/26

418 国内会議招待講演
(Graphene/h-BN超格子におけるゼーベック係数の異常増大)
日本表面科学会摩擦の科学研究部会


中村 淳
2014/05/24

419 国内会議招待講演
グラフェンナノリボンの熱伝導特性:第一原理計算からのアプローチ
24th International Seminar in Nichia Course, Anan National College of Technology


中村淳
2013/01

420 国内会議招待講演
第一原理計算を用いた原子レベル物質設計:計算機シミュレーションで探るナノスケールの世界
19th International Seminar in Nichia Course, Anan National College of Technology


中村淳
2012/06

421 国内会議招待講演
グラフェン誘導体の構造と電子状態:第一原理計算を用いた物質設計
日亜化学工業セミナー


中村淳
2011/03

422 国内会議招待講演
有限電界下の第一原理計算による局所誘電率評価の試み
物質・材料研究機構第87回QDRセミナー


中村淳
2009/12

423 国内会議招待講演
応用物理学会における人材育成と男女共同参画の取り組み
東京工業大学理工系女性研究者プロモーションプログラム講演会


中村淳
2009/01

424 国内会議招待講演
Si/酸化物界面近傍における誘電率の空間分布:第一原理計算による評価
東京大学物性研究所客員所員講演会


中村淳
2008/04

425 国内会議招待講演
(グラフェンの応用物性)グラフェンの酸化とコンポジット材料
第55回応用物理学関係連合講演会


中村淳、伊藤潤、尾越勇太、名取晃子
2008/03

426 国内会議招待講演
1次元Tomlinsonモデルを用いた原子レベル摩擦機構の解明
豊田理化学研究所・特定課題研究「ナノトライボロジー」平成19年度第一回研究会


中村淳
2007/06

427 国内会議招待講演
有限温度原子レベル摩擦機構~1次元Tomlinsonモデルによる解析~
日本物理学会2007年春季大会シンポジウム:ナノスコピック系の摩擦の物理:摩擦の素過程と制御


中村淳
2007/03

428 国内会議招待講演
外部電場はSi(001)面の表面超構造を変化させるか?
第1回NIMSナノ計測センターシンポジウム「半導体表面における構造と物性の新展開 - Si(001)とGe(001)表面を中心として -」


中村淳
2007/02

429 国内会議招待講演
第一原理計算に基づく絶縁超薄膜誘電率の理論的解析
Nano CMOS 今後15年の展望とその技術課題


中村淳
2006/09

430 国内会議招待講演
科学技術人材のキャリアパス



中村淳
2004/11

431 国内会議招待講演
超薄膜の誘電特性



中村淳
2004/06

432 国内会議招待講演
MEISとSTMによる表面応力・歪の異方性の観察



住友弘二、Zhaohui Zhang、中村淳、尾身博雄、荻野俊郎、名取晃子
2003/12

433 国内会議招待講演
GaAs(111)A-2x2表面の構造安定性とその電子論的起源



中村淳、大坂敏明
1996/08

434 その他委員会報告等
「学会における若手人材育成―ト応物があなたのキャリアデザインを応援します―」報告
人材育成・男女共同参画委員会、刊行委員会、JJAP/APEX編集委員会,応用物理


庄司一郎、石榑崇明、中村淳、小舘香椎子、岩本光正、河野明廣
2009/04

435 その他委員会報告等
博士のキャリア相談会―トライアル開催の報告―
応用物理学会人材育成・男女共同参画委員会,応用物理


中村淳、小舘香椎子
2008/11

436 その他委員会報告等
人材育成・男女共同参画第8回ミーティング報告「博士『後』のキャリアを考える2」
応用物理学会 人材育成・男女共同参画委員会,応用物理 77, 581 (2008)


津村徳道、中村淳、庄司一郎、坂野井和代
2008/05

437 その他委員会報告等
人材育成・男女共同参画第8回ミーティング報告「博士『後』のキャリアを考える」
応用物理学会 人材育成・男女共同参画委員会,応用物理


坂野井和代、中村淳、庄司一郎、近藤高志
2006/12

438 その他委員会報告等
若手からの提言「多様化するライフスタイルとキャリアプラン」
応用物理
73/ 12

中村淳、青木画奈
2004/12

439 その他委員会報告等
男女共同参画第5回ミーティング「若手技術者・研究者の多様なキャリアパス」を通して
応用物理
73/ 2

高井まどか、川原田洋、中村淳、青木画奈
2004/02

440 その他委員会報告等
男女共同参画学協会連絡会1周年記念行事 分科会「任期付きポストに関して」報告
応用物理
73/ 1

近藤高志、高井まどか、中村淳、青木画奈、辻佳子
2004/01

441 その他委員会報告等
Structural stability and its electronic origin of the GaAs(111)A-2x2 surface
Bulletin of the Society for Discrete Variational Xa
9

J.Nakamura, H.Nakajima, and T.Osaka
1996

442 その他委員会報告等
Chemical bonding features of the GaAs{111} polar interface
Bulletin of the Society for Discrete Variational Xa
8

J.Nakamura and T.Osaka
1995

443 その他委員会報告等
Effect of Sb on pseudomorphic growth of Ge on Si(111)
Bulletin of the Society for Discrete Variational Xa
7

J.Nakamura, H.Konogi, and T.Osaka
1994

444 その他委員会報告等
Charge transfer mechanism in the incommensurately grown monolayer graphite on the Si-terminated SiC(111) surface
Bulletin of the Society for Discrete Variational Xa
6

J.Nakamura, H.Konogi, and T.Osaka
1993

445 その他委員会報告等
四面体型CX4(X=F,Cl,Br,I)分子における正味の電荷移動
Bulletin of the Society for Discrete Variational Xa
5

H.Konogi, J.Nakamura, T.Nakada, K.Yamamoto, and T.Osaka
1992

446 その他委員会報告等
炭素内殻準位シフトに及ぼす電荷移動の効果
Bulletin of the Society for Discrete Variational Xa
5

H.Sato, K.Yamamoto, J.Nakamura, and T.Osaka
1992

447 その他委員会報告等
Ni(111)上の単原子層グラファイトの電子構造
Bulletin of the Society for Discrete Variational Xa
4

K.Yamamoto, F.Fukushima, C.Serizawa, J.Nakamura, C.Oshima, T.Osaka, Y.Hayafuji, H.Kimura, and R.Takeishi
1991

448 その他委員会報告等
化学結合の効果を考慮した原子散乱因子の計算
Bulletin of the Society for Discrete Variational Xa
4

J.Nakamura, K.Yamamoto, C.Serizawa, T.Osaka, Y.Hayafuji, H.Kimura, and R.Takeishi
1991