No. |
Classification |
Title |
Conference |
Volume/issue/page Or an announcement number |
Refereed paper |
Author |
Date |
URL |
1 |
Oral presentation for an academic conference
|
SnドープSnxSr1-xTiO3の構造相転移メカニズムの第一原理的解析
|
日本物理学会第77回年次大会
|
|
No
|
天野優也、中村淳、阿部浩二
|
2022/03/16
|
|
2 |
Oral presentation for an academic conference
|
Edge-edge interactions of bilayer zigzag SiC nanoribbons
|
2021年日本表面真空学会学術講演会
|
|
Yes
|
孫栄耀、中村淳
|
2021/11/04
|
|
3 |
Oral presentation for an academic conference
|
コバルトフタロシアニン分子の一酸化炭素還元触媒能:誘導体化の影響
|
2021年日本表面真空学会学術講演会
|
|
Yes
|
梅島裕太郎、中村淳
|
2021/11/03
|
|
4 |
Oral presentation for an academic conference
|
Structural stability of 2D II-V compounds
|
第82回応用物理学会秋季学術講演会
|
|
Yes
|
L.Arellano, T.Suga, M.Cruz-Irisson, Jun Nakamura
|
2021/09/13
|
|
5 |
Oral presentation for an academic conference
|
コバルトフタロシアニンの誘導体化が一酸化炭素還元触媒能に及ぼす影響
|
第82回応用物理学会秋季学術講演会
|
|
Yes
|
梅島裕太郎、中村淳
|
2021/09/12
|
|
6 |
Oral presentation for an academic conference
|
Interaction between the edge states of bilayer zigzag SiC nanoribbons
|
第82回応用物理学会秋季学術講演会
|
|
Yes
|
Rongyao Sun, Jun Nakamura
|
2021/09/12
|
|
7 |
Oral presentation for an academic conference
|
SnxSr1-xTiO3の相転移と局所構造
|
日本物理学会第75回年次大会
|
|
No
|
田中広敏、小貝侑弘、中村淳、阿部浩二、中野諭人
|
2020/03/17
|
|
8 |
Oral presentation for an academic conference
|
窒素ドープグラフェンナノクラスターの酸素還元反応における触媒性 : 最適なクラスターサイズの提案
|
第67回応用物理学会春季学術講演会
|
|
No
|
松山治薫、中村淳
|
2020/03/17
|
|
9 |
Oral presentation for an academic conference
|
鉄フタロシアニンの誘導体化による酸素還元反応の高活性化メカニズム
|
第80回応用物理学会秋季学術講演会
|
|
No
|
松山治薫、阿部博弥、伊藤晃寿、藪浩、中村淳
|
2019/09/17
|
|
10 |
Oral presentation for an academic conference
|
Actividad catalítica del grafeno dopado con boro para reacciones de reducción de oxígeno
|
Sociedad Mexicana de Física Reunión Anual de la División de Estado Sólido 2019
|
|
Yes
|
Lucia Guadalupe Arellano Sartorius and Jun Nakamura
|
2019/05/02
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|
11 |
Oral presentation for an academic conference
|
窒素ドープグラフェンナノリボンにおける酸素還元反応
|
第66回応用物理学会春季学術講演会
|
|
Yes
|
松山治薫、五味駿一、中村淳
|
2019/03/09
|
|
12 |
Oral presentation for an academic conference
|
窒素ドープグラフェンナノクラスターの酸素還元反応に対する触媒性
|
第32回ダイヤモンドシンポジウム
|
|
Yes
|
松山治薫、中村淳
|
2018/11/15
|
|
13 |
Oral presentation for an academic conference
|
2層ジグザググラフェンナノリボンのエッジ状態間相互作用
|
第79回応用物理学会秋季学術講演会
|
|
No
|
浅野大造、中村淳
|
2018/09/21
|
|
14 |
Oral presentation for an academic conference
|
窒素ドープグラフェンの構造安定性の系統的評価
|
第79回応用物理学会秋季学術講演会
|
|
No
|
千葉紗彩、中村淳
|
2018/09/21
|
|
15 |
Oral presentation for an academic conference
|
窒素ドープグラフェンのベーサル面における酸素還元反応
|
第79回応用物理学会秋季学術講演会
|
|
No
|
松山治薫、中村淳
|
2018/09/21
|
|
16 |
Oral presentation for an academic conference
|
酸素還元反応におけるフラーレンの触媒性
|
第79回応用物理学会秋季学術講演会
|
|
No
|
菊地庸介、中村淳
|
2018/09/19
|
|
17 |
Oral presentation for an academic conference
|
S処理された GaAs(111)B 表面の構造安定性
|
第79回応用物理学会秋季学術講演会
|
|
No
|
後藤俊治、大竹晃浩、中村淳
|
2018/09/18
|
|
18 |
Oral presentation for an academic conference
|
Se 処理された GaAs(111)B 表面の構造安定性
|
第65回応用物理学会春季学術講演会
|
|
No
|
後藤俊治、大竹晃浩、赤石暁、中村淳
|
2018/03/17
|
|
19 |
Oral presentation for an academic conference
|
酸素還元反応における窒素ドープグラフェンナノクラスターの触媒性:窒素配位依存性
|
第78回応用物理学会秋季学術講演会
|
|
Yes
|
松山治薫、赤石暁、中村淳
|
2017/09/07
|
|
20 |
Oral presentation for an academic conference
|
Two- to Three-dimensional Transition of Confined Water between Freestanding Graphene Sheets
|
第78回応用物理学会秋季学術講演会
|
|
Yes
|
Rifan Agustian, Akira Akaishi, Jun Nakamura
|
2017/09/07
|
|
21 |
Oral presentation for an academic conference
|
グラフェンナノフレークの構造安定性と芳香族性
|
第78回応用物理学会秋季学術講演会
|
|
Yes
|
赤石暁、後迫真人、松山治薫、中村淳
|
2017/09/07
|
|
22 |
Oral presentation for an academic conference
|
Se処理GaAs(111)B表面の安定化機構
|
第78回応用物理学会秋季学術講演会
|
|
Yes
|
大竹晃浩、後藤俊治、中村淳
|
2017/09/05
|
|
23 |
Oral presentation for an academic conference
|
二軸性歪み下におけるGaSbの電気伝導率の面方位依存性
|
第64回応用物理学会春季学術講演会
|
|
No
|
岸本秀輝、赤石暁、中村淳
|
2017/03/17
|
|
24 |
Oral presentation for an academic conference
|
酸素還元反応における窒素ドープグラフェンナノクラスターの触媒性
|
2016年真空・表面科学合同講演会
|
|
Yes
|
松山治薫、田中崇太郎、赤石暁、中村淳
|
2016/11/29
|
|
25 |
Oral presentation for an academic conference
|
窒素ドープグラフェンナノリボンの酸素還元反応における触媒性
|
2016年真空・表面科学合同講演会
|
|
Yes
|
五味駿一、松山治薫、赤石暁、中村淳
|
2016/11/29
|
|
26 |
Oral presentation for an academic conference
|
GaSbの電気伝導率の二軸性歪み依存性
|
第77回応用物理学会秋季学術講演会
|
|
No
|
岸本秀輝、畑山拓也、赤石暁、中村淳
|
2016/09/16
|
|
27 |
Oral presentation for an academic conference
|
窒素ドープグラフェンナノクラスター上の酸素還元反応
|
第77回応用物理学会秋季学術講演会
|
|
No
|
松山治薫、田中崇太郎、赤石暁、中村淳
|
2016/09/15
|
|
28 |
Oral presentation for an academic conference
|
グラフェンの大気由来吸着物
|
第63回応用物理学会春季学術講演会
|
|
Yes
|
日比野浩樹、小川友以、高村真琴、Wang Shengnan、関根佳明、赤石暁、中村淳
|
2016/03/22
|
|
29 |
Oral presentation for an academic conference
|
グラフェンナノフレークの構造安定性
|
第25回日本MRS年次大会
|
|
Yes
|
後迫真人、赤石暁、中村淳
|
2015/12/08
|
|
30 |
Oral presentation for an academic conference
|
窒素ドープグラフェン上の酸素還元触媒の第一原理計算
|
第25回日本MRS年次大会
|
|
Yes
|
松山治薫、市川諒英、赤石暁、中村淳
|
2015/12/08
|
|
31 |
Oral presentation for an academic conference
|
不純物ドープグラフェンナノリボンの安定化機構
|
第25回日本MRS年次大会
|
|
Yes
|
内田優希、赤石暁、中村淳
|
2015/12/08
|
|
32 |
Oral presentation for an academic conference
|
グラフェン表面の水の二重層構造
|
第25回日本MRS年次大会
|
|
Yes
|
赤石暁、中村淳
|
2015/12/08
|
|
33 |
Oral presentation for an academic conference
|
グラフェンのエッジ状態がもたらす不純物の安定化機構
|
第35回表面科学学術講演会
|
|
Yes
|
内田優希、赤石暁、中村淳
|
2015/12/01
|
|
34 |
Oral presentation for an academic conference
|
グラフェン表面における水分子層の構造化
|
第35回表面科学学術講演会
|
|
Yes
|
赤石暁、中村淳
|
2015/12/01
|
|
35 |
Oral presentation for an academic conference
|
窒素ドープグラフェン表面における酸素還元反応:窒素濃度依存性
|
第35回表面科学学術講演会
|
|
Yes
|
松山治薫、市川諒英、赤石暁、中村淳
|
2015/12/01
|
|
36 |
Oral presentation for an academic conference
|
グラフェン表面の水の層構造
|
第76回応用物理学会秋季学術講演会
|
|
No
|
赤石暁、中村淳
|
2015/09/15
|
|
37 |
Oral presentation for an academic conference
|
酸素還元反応における窒素ドープグラフェンの触媒性
|
第76回応用物理学会秋季学術講演会
|
|
No
|
松山治薫、市川諒英、赤石暁、中村淳
|
2015/09/15
|
|
38 |
Oral presentation for an academic conference
|
窒素ドープジグザググラフェンナノリボンの磁性
|
第76回応用物理学会秋季学術講演会
|
|
No
|
内田優希、赤石暁、中村淳
|
2015/09/15
|
|
39 |
Oral presentation for an academic conference
|
GaAs(001)表面上でのMn吸着サイト
|
第76回応用物理学会秋季学術講演会
|
|
No
|
大竹晃浩、萩原敦、船附顕汰、中村淳
|
2015/09/13
|
|
40 |
Oral presentation for an academic conference
|
窒素ドープグラフェン上の酸素還元反応
|
第62回応用物理学会春季学術講演会
|
|
Yes
|
市川諒英、赤石暁、中村淳
|
2015/03/11
|
|
41 |
Oral presentation for an academic conference
|
グラフェンエッジ近傍不純物の構造安定性と電子状態
|
第75回応用物理学会秋季学術講演会
|
|
Yes
|
内田優希、赤石暁、中村淳
|
2014/09/19
|
|
42 |
Oral presentation for an academic conference
|
グラフェン/h-BN複合ナノリボンのゼーベック係数
|
第75回応用物理学会秋季学術講演会
|
|
Yes
|
綾子陽介、赤石暁、中村淳
|
2014/09/18
|
|
43 |
Oral presentation for an academic conference
|
窒素ドープグラフェン上の酸素分子吸着
|
第75回応用物理学会秋季学術講演会
|
|
Yes
|
市川諒英、赤石暁、中村淳
|
2014/09/18
|
|
44 |
Oral presentation for an academic conference
|
窒素ドープグラフェンの構造安定性と電子状態
|
第75回応用物理学会秋季学術講演会
|
|
Yes
|
梅木暁図、赤石暁、中村淳
|
2014/09/18
|
|
45 |
Oral presentation for an academic conference
|
第一原理計算によるMn吸着GaAs(001)-(nx2)の構造安定性評価
|
第75回応用物理学会秋季学術講演会
|
|
Yes
|
萩原敦、大竹晃浩、中村淳
|
2014/09/18
|
|
46 |
Oral presentation for an academic conference
|
電気通信大学における「パスポートプログラム」の取り組みⅢ
|
日本物理学会2014年秋季大会
|
|
Yes
|
赤石暁、阿部浩二、石田尚行、岡田佳子、奥野剛史、清水崇文、白川英樹、鈴木勝、高田亨、中村淳、中村仁、細見斉子、山北佳宏
|
2014/09/08
|
|
47 |
Oral presentation for an academic conference
|
グラフェンは疎水性か?
|
第61回応用物理学会春季学術講演会
|
|
Yes
|
米丸朋宏、中村淳
|
2014/03/19
|
|
48 |
Oral presentation for an academic conference
|
電気通信大学における「パスポートプログラム」の取り組みII
|
日本物理学会,日本物理学会2013年秋季大会
|
|
No
|
赤石暁、阿部浩二、石田尚行、岡田佳子、奥野剛史、白川英樹、鈴木勝、高田亨、中村淳、中村仁、細見斉子、山北佳宏
|
2013/09
|
|
49 |
Oral presentation for an academic conference
|
物理チャレンジ2013報告:III. 第2チャレンジ理論問題
|
日本物理学会,日本物理学会2013年秋季大会
|
|
No
|
荒船次郎、赤井久純、伊藤敏雄、川村清、佐貫平二、杉山忠男、鈴木亨、鈴木直、高須昌子、竹中達二、田中皓、田中忠芳、東辻浩夫、中村淳、羽田野彰、松澤通生、三間圀興、北原和夫、近藤泰洋
|
2013/09
|
|
50 |
Oral presentation for an academic conference
|
Mn吸着GaAs(001)表面の電子状態と構造安定性評価
|
応用物理学会,第74回応用物理学会秋季学術講演会
|
|
No
|
萩原敦、大竹晃浩、奥北和哉、中村淳
|
2013/09
|
|
51 |
Oral presentation for an academic conference
|
STM測定と第一原理計算によるGaAs-c(4×4)α,βの電子構造解析
|
応用物理学会,第60回応用物理学会春季学術講演会
|
|
No
|
加来滋、中村淳、柳生数馬、吉野淳二
|
2013/03
|
|
52 |
Oral presentation for an academic conference
|
電気通信大学における「パスポートプログラム」の取り組み
|
日本物理学会,日本物理学会第68回年次大会
|
|
No
|
赤石暁、阿部浩二、石田尚行、岡田佳子、奥野剛史、白川英樹、鈴木勝、高田亨、中村淳、中村仁、細見斉子、山北佳宏
|
2013/03
|
|
53 |
Oral presentation for an academic conference
|
Mn吸着GaAs(001)表面の原子配列
|
応用物理学会,第73会応用物理学会学術講演会
|
|
No
|
大竹晃浩、萩原敦、中村淳
|
2012/09
|
|
54 |
Oral presentation for an academic conference
|
Mn吸着(2x2)-GaAs(001)表面構造および電子状態
|
日本物理学会,日本物理学会第67回年次大会
|
|
No
|
菅野雄介、大竹晃浩、中村淳
|
2012/03
|
|
55 |
Oral presentation for an academic conference
|
GeO2酸素欠損近傍の原子レベル誘電特性:結晶構造依存性
|
配列ナノ空間を利用した新物質科学-ユビキタス元素戦略-第9回特定領域研究会,配列ナノ空間を利用した新物質科学-ユビキタス元素戦略-第9回特定領域研究会
|
P-41
|
No
|
中村淳
|
2012/01
|
|
56 |
Oral presentation for an academic conference
|
グラフェンナノリボンのバリスティック熱伝導特性
|
日本表面科学会,第31回表面科学学術講演会
|
16Ba-03S
|
No
|
冨田洋樹、中村淳
|
2011/11
|
|
57 |
Oral presentation for an academic conference
|
IV-IV 族半導体超格子のナノスケール誘電特性
|
日本表面科学会,第31回表面科学学術講演会
|
15P-37
|
No
|
赤崎充洋、中村淳
|
2011/11
|
|
58 |
Oral presentation for an academic conference
|
GaAs(001)-(2x2)Mn表面の原子配列と電子状態評価
|
日本物理学会,日本物理学会2011年秋季大会
|
|
No
|
菅野雄介、大竹晃浩、平山基、中村淳
|
2011/09
|
|
59 |
Oral presentation for an academic conference
|
Er2SiO5結晶・誘電率の第一原理計算
|
応用物理学会,第72回応用物理学会学術講演会
|
|
No
|
萩原敦、中村淳
|
2011/09
|
|
60 |
Oral presentation for an academic conference
|
アームチェアグラフェンナノリボンのバリスティック熱伝導特性
|
応用物理学会,第72回応用物理学会学術講演会
|
|
No
|
冨田洋樹、中村淳
|
2011/09
|
|
61 |
Oral presentation for an academic conference
|
GeO2酸素欠損近傍の原子レベル誘電特性:結晶構造依存性
|
配列ナノ空間を利用した新物質科学-ユビキタス元素戦略-第4回若手研究会,配列ナノ空間を利用した新物質科学-ユビキタス元素戦略-第4回若手研究会
|
P-20
|
No
|
田村雅大、中村淳
|
2011/07
|
|
62 |
Oral presentation for an academic conference
|
アームチェアグラフェンナノリボンのバリスティック熱伝導特性評価
|
配列ナノ空間を利用した新物質科学-ユビキタス元素戦略-第4回若手研究会,配列ナノ空間を利用した新物質科学-ユビキタス元素戦略-第4回若手研究会
|
P-05
|
No
|
冨田洋樹、中村淳
|
2011/07
|
|
63 |
Oral presentation for an academic conference
|
カルボキシル基終端ジグザググラフェンナノリボンの磁性
|
応用物理学会,第58回応用物理学関係連合講演会
|
|
No
|
藤井雄人、冨田洋樹、中村淳
|
2011/03
|
|
64 |
Oral presentation for an academic conference
|
酸素欠損GeO2薄膜の原子レベル誘電特性
|
応用物理学会,第58回応用物理学関係連合講演会
|
|
No
|
田村雅大、赤崎充洋、中村淳
|
2011/03
|
|
65 |
Oral presentation for an academic conference
|
酸素吸着多角柱型カーボンナノシリンダーの構造安定性と電子状態評価
|
日本表面科学会,第30回表面科学学術講演会
|
|
No
|
藤井雄人、中村淳
|
2010/11
|
|
66 |
Oral presentation for an academic conference
|
BN結晶多形ヘテロ構造の電子状態
|
日本表面科学会,第30回表面科学学術講演会
|
|
No
|
加藤豪、中村淳
|
2010/11
|
|
67 |
Oral presentation for an academic conference
|
カルボキシル基終端グラフェンナノリボンの磁性
|
日本表面科学会,第30回表面科学学術講演会
|
|
No
|
藤井雄人、中村淳
|
2010/11
|
|
68 |
Oral presentation for an academic conference
|
SiON/SiC界面の誘電率不連続性
|
日本表面科学会,第30回表面科学学術講演会
|
|
No
|
大杉拓也、中村淳
|
2010/11
|
|
69 |
Oral presentation for an academic conference
|
GeO2超薄膜およびGeO2/Ge界面の誘電特性:局所誘電特性に及ぼす欠陥の影響
|
日本表面科学会,第30回表面科学学術講演会
|
|
No
|
田村雅大、涌井貞一、中村淳
|
2010/11
|
|
70 |
Oral presentation for an academic conference
|
Sb安定化GaAs(001)-(2x5)表面の原子配列
|
日本物理学会,日本物理学会2010年秋季大会
|
23aWS-9
|
No
|
大竹晃浩、平山基、中村淳
|
2010/09
|
|
71 |
Oral presentation for an academic conference
|
カルボキシル基終端ジグザググラフェンナノリボンの電子状態と磁性
|
応用物理学会,第71回応用物理学会学術講演会
|
16a-ZQ-3
|
No
|
藤井雄人、中村淳
|
2010/09
|
|
72 |
Oral presentation for an academic conference
|
GeO2超薄膜およびGeO2/Ge界面のナノスケール誘電特性
|
応用物理学会,第71回応用物理学会学術講演会
|
15p-ZA-6
|
No
|
田村雅大、中村淳
|
2010/09
|
|
73 |
Oral presentation for an academic conference
|
SiC薄膜上におけるSiON超薄膜の誘電率
|
応用物理学会,第71回応用物理学会学術講演会
|
14p-ZS-7
|
No
|
大杉拓也、中村淳
|
2010/09
|
|
74 |
Oral presentation for an academic conference
|
GaAs(110)表面上のMnAs単分子層膜の磁性
|
日本物理学会,日本物理学会第65回年次大会
|
22pGL-5
|
No
|
平山基、中村淳、名取晃子
|
2010/03
|
|
75 |
Oral presentation for an academic conference
|
HfO2・SiO2薄膜における酸素欠損近傍の局所誘電率評価
|
日本物理学会,日本物理学会第65回年次大会
|
21aGL-7
|
No
|
涌井貞一、中村淳、名取晃子
|
2010/03
|
|
76 |
Oral presentation for an academic conference
|
Si/SiO2量子井戸内D-イオン束縛エネルギーの井戸幅依存性:valley-orbit相互作用効果
|
日本物理学会,日本物理学会第65回年次大会
|
21aHW-4
|
No
|
千葉朋、中村淳、名取晃子
|
2010/03
|
|
77 |
Oral presentation for an academic conference
|
カーボンナノチューブ分散媒質の交流電気伝導特性
|
応用物理学会,第57回応用物理学関係連合講演会
|
20p-TC-3
|
No
|
挾間裕一、相野谷直樹、中村淳、名取晃子
|
2010/03
|
|
78 |
Oral presentation for an academic conference
|
有限電界下の第一原理計算を用いたSiGe混晶の誘電率評価
|
応用物理学会,第57回応用物理学関係連合講演会
|
20a-TS-6
|
No
|
佐藤耕平、大杉拓也、中村淳、名取晃子
|
2010/03
|
|
79 |
Oral presentation for an academic conference
|
第一原理計算によるEr2SiO5の結晶構造と電子状態評価
|
応用物理学会,第57回応用物理学関係連合講演会
|
18p-C-10
|
No
|
植田啓史、中村淳、名取晃子、一色秀夫
|
2010/03
|
|
80 |
Oral presentation for an academic conference
|
Si(001)/La2O3(01-10)界面の第一原理的バンドオフセット評価
|
応用物理学会,第57回応用物理学関係連合講演会
|
18p-C-5
|
No
|
谷内良亮、中村淳、名取晃子
|
2010/03
|
|
81 |
Oral presentation for an academic conference
|
列状酸素吸着カーボンナノシリンダーの構造安定性
|
日本表面科学会,第29回表面科学学術講演会
|
3F26
|
No
|
藤井雄人、平山基、中村淳、名取晃子
|
2009/10
|
|
82 |
Oral presentation for an academic conference
|
Ge酸化物超薄膜の誘電特性
|
日本表面科学会,第29回表面科学学術講演会
|
1B10
|
No
|
田村雅大、涌井貞一、中村淳、名取晃子
|
2009/10
|
|
83 |
Oral presentation for an academic conference
|
バルクSi及びSi量子井戸内D-イオンのvalley-orbit分裂
|
応用物理学会,第70回応用物理学会学術講演会
|
|
No
|
千葉朋、中村淳、名取晃子
|
2009/09
|
|
84 |
Oral presentation for an academic conference
|
GaAs(110)表面上Ga置換Mn原子鎖の原子鎖間磁気相互作用
|
応用物理学会,第70回応用物理学会学術講演会
|
|
No
|
平山基、中村淳、名取晃子
|
2009/09
|
|
85 |
Oral presentation for an academic conference
|
HfO2薄膜の誘電特性:結晶構造依存性
|
応用物理学会,第70回応用物理学会学術講演会
|
|
No
|
涌井貞一、中村淳、名取晃子
|
2009/09
|
|
86 |
Oral presentation for an academic conference
|
第一原理計算によるSi(001)/La2O3(01-10)界面のバンドオフセット評価
|
応用物理学会,第70回応用物理学会学術講演会
|
|
No
|
谷内良亮、中村淳、名取晃子
|
2009/09
|
|
87 |
Oral presentation for an academic conference
|
列状酸素吸着CNTの構造安定性と電子物性評価
|
応用物理学会,第70回応用物理学会学術講演会
|
|
No
|
藤井雄人、平山基、中村淳、名取晃子
|
2009/09
|
|
88 |
Oral presentation for an academic conference
|
CNT分散媒質の異方的交流電気伝導特性
|
応用物理学会,第70回応用物理学会学術講演会
|
|
No
|
挾間裕一、中村淳、名取晃子
|
2009/09
|
|
89 |
Oral presentation for an academic conference
|
歪みHfO2薄膜の誘電特性
|
応用物理学会,第56回応用物理学関係連合講演会
|
1a-P13-9
|
No
|
涌井貞一、中村淳、名取晃子
|
2009/03
|
|
90 |
Oral presentation for an academic conference
|
GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子ワイヤの原子配置とスピン・電子状態
|
応用物理学会,第56回応用物理学関係連合講演会
|
1a-TD-6
|
No
|
平山基、中村淳、名取晃子
|
2009/03
|
|
91 |
Oral presentation for an academic conference
|
Anisotropic half-metallic ground states of Mn atomic wires on GaAs(110)
|
36th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces
|
We1435
|
Yes
|
M.Hirayama, J.Nakamura, and A.Natori
|
2009/01
|
|
92 |
Oral presentation for an academic conference
|
In-plane strain effects on dielectric properties of the HfO2 thin film
|
36th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces
|
Mo1505
|
Yes
|
S.Wakui, J.Nakamura, and A.Natori
|
2009/01
|
|
93 |
Oral presentation for an academic conference
|
La2O3(0001)超薄膜の誘電特性
|
日本表面科学会,第28回表面科学学術講演会
|
|
No
|
谷内良亮、涌井貞一、中村淳、名取晃子
|
2008/11
|
|
94 |
Oral presentation for an academic conference
|
Si(111)-(7×7)表面上の銀クラスター形成過程の計算機シミュレーション
|
日本表面科学会,第28回表面科学学術講演会
|
|
No
|
千葉朋、冷清水裕子、泉水一紘、須藤彰三、中村淳、名取晃子
|
2008/11
|
|
95 |
Oral presentation for an academic conference
|
酸素吸着グラフェンの積層構造の構造安定性と凝集性質
|
日本表面科学会,第28回表面科学学術講演会
|
|
No
|
江口俊輔、中村淳、名取晃子
|
2008/11
|
|
96 |
Oral presentation for an academic conference
|
カーボンナノチューブ分散媒質の異方的電気伝導特性
|
日本表面科学会,第28回表面科学学術講演会
|
|
No
|
挾間裕一、中村淳、名取晃子
|
2008/11
|
|
97 |
Oral presentation for an academic conference
|
HfO2超薄膜の誘電特性
|
日本表面科学会,第28回表面科学学術講演会
|
|
No
|
涌井貞一、中村淳、名取晃子
|
2008/11
|
|
98 |
Oral presentation for an academic conference
|
GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子鎖のスピン状態と電子状態
|
日本表面科学会,第28回表面科学学術講演会
|
|
No
|
平山基、中村淳、名取晃子
|
2008/11
|
|
99 |
Oral presentation for an academic conference
|
GaAs(001)-(2x4)-Sb吸着構造の再検討
|
日本物理学会,日本物理学会2008年秋季大会
|
23aXB-1
|
No
|
大竹晃浩、平山基、中村淳、名取晃子
|
2008/09
|
|
100 |
Oral presentation for an academic conference
|
酸化グラフェン積層物質の構造安定性
|
日本物理学会,日本物理学会2008年秋季大会
|
22pPSB-23
|
No
|
江口俊輔、中村淳、名取晃子
|
2008/09
|
|
101 |
Oral presentation for an academic conference
|
グラフェンリボンのバリスティック熱コンダクタンス
|
日本物理学会,日本物理学会2008年秋季大会
|
22pTA-12
|
No
|
山口翔、中村淳、名取晃子
|
2008/09
|
|
102 |
Oral presentation for an academic conference
|
異方的な超微粒子分散媒質の高周波電気伝導特性
|
日本物理学会,日本物理学会2008年秋季大会
|
21pVC-4
|
No
|
挾間裕一、中村淳、名取晃子
|
2008/09
|
|
103 |
Oral presentation for an academic conference
|
GaAs(110)表面上のGa置換Mnナノワイヤの原子配置とスピン・電子状態
|
日本物理学会,日本物理学会2008年秋季大会
|
20aXA-14
|
No
|
平山基、中村淳、名取晃子
|
2008/09
|
|
104 |
Oral presentation for an academic conference
|
Si(111)-(7x7)表面上の銀クラスター形成過程の計算機シミュレーション
|
応用物理学会,第69回応用物理学会学術講演会
|
5a-L-11
|
No
|
千葉朋、冷清水裕子、泉水一紘、須藤彰三、中村淳、名取晃子
|
2008/09
|
|
105 |
Oral presentation for an academic conference
|
学会における若手人材育成―応物があなたのキャリアデザインを応援します―
|
応用物理学会,第69回応用物理学会学術講演会
|
4p-Y-3
|
No
|
庄司一郎、石榑崇明、中村淳、小舘香椎子
|
2008/09
|
|
106 |
Oral presentation for an academic conference
|
SiC結晶多形の誘電率:第一原理計算による積層構造依存性評価
|
応用物理学会,第69回応用物理学会学術講演会
|
4a-CE-8
|
No
|
佐藤耕平、中村淳、名取晃子
|
2008/09
|
|
107 |
Oral presentation for an academic conference
|
GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子ワイヤの原子配置とスピン・電子状態
|
応用物理学会,第69回応用物理学会学術講演会
|
3a-R-8
|
No
|
平山基、中村淳、名取晃子
|
2008/09
|
|
108 |
Oral presentation for an academic conference
|
HfO2超薄膜の局所誘電率プロファイル
|
応用物理学会,第69回応用物理学会学術講演会
|
4p-G-9
|
No
|
涌井貞一、中村淳、名取晃子
|
2008/09
|
|
109 |
Oral presentation for an academic conference
|
La2O3(0001)超薄膜の誘電特性
|
応用物理学会,第69回応用物理学会学術講演会
|
2a-R-5
|
No
|
谷内良亮、中村淳、名取晃子
|
2008/09
|
|
110 |
Oral presentation for an academic conference
|
GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子鎖のスピン状態
|
第4回量子ナノ材料セミナー,第4回量子ナノ材料セミナー
|
***
|
No
|
平山基、中村淳、名取晃子
|
2008/07
|
|
111 |
Oral presentation for an academic conference
|
SiO2薄膜中の欠陥近傍における局所誘電率の異常増大
|
応用物理学会,第55回応用物理学関係連合講演会
|
28p-ZR-2
|
No
|
涌井貞一、中村淳、名取晃子
|
2008/03
|
|
112 |
Oral presentation for an academic conference
|
Si(111)水素終端表面近傍不純物のSTMシミュレーション:不純物種依存性と探針誘起バンドベンディング
|
応用物理学会,第55回応用物理学関係連合講演会
|
28a-Q-4
|
No
|
平山基、中村淳、名取晃子
|
2008/03
|
|
113 |
Oral presentation for an academic conference
|
不純物ドープSi(111)表面のSTM像の第一原理計算II:STM像の不純物原子種依存性
|
日本物理学会,日本物理学会第63回年次大会
|
26pTD-9
|
No
|
平山基、中村淳、名取晃子
|
2008/03
|
|
114 |
Oral presentation for an academic conference
|
ナノスケールの摩擦機構:ティップサイズ効果
|
日本物理学会,日本物理学会第63回年次大会
|
25pWF-11
|
No
|
五十嵐正典、中村淳、名取晃子
|
2008/03
|
|
115 |
Oral presentation for an academic conference
|
SiO2/Si(001)界面におけるナノスケール誘電特性の第一原理計算
|
日本物理学会,日本物理学会第63回年次大会
|
25pTD-3
|
No
|
涌井貞一、中村淳、名取晃子
|
2008/03
|
|
116 |
Oral presentation for an academic conference
|
多谷半導体中のD-基底状態:磁場効果
|
日本物理学会,日本物理学会第63回年次大会
|
23aWH-14
|
No
|
井上純一、中村淳、名取晃子
|
2008/03
|
|
117 |
Oral presentation for an academic conference
|
Dielectric properties of the interface between Si and SiO_2
|
American Vacuum Society
|
We1540
|
Yes
|
Sadakazu Wakui, Jun Nakamura, and Akiko Natori
|
2008/01
|
|
118 |
Oral presentation for an academic conference
|
Si量子ドットの多電子基底状態
|
表面科学会,第27回表面科学講演大会
|
|
No
|
桝日向、中村淳、名取晃子
|
2007/11
|
|
119 |
Oral presentation for an academic conference
|
グラフェンのバリスティック熱伝導特性
|
日本物理学会,日本物理学会第62回年次大会
|
|
No
|
斎藤浩一、中村淳、名取晃子
|
2007/09
|
|
120 |
Oral presentation for an academic conference
|
不純物ドープSi(111)表面のSTM像の第一原理計算
|
応用物理学会,第54回応用物理学関係連合講演会
|
29p-SL-16
|
No
|
平山基、中村淳 、名取晃子
|
2007/03
|
|
121 |
Oral presentation for an academic conference
|
SiO2/Si(001)界面のナノスケール誘電特性
|
応用物理学会,第54回応用物理学関係連合講演会
|
28a-K-9
|
No
|
涌井貞一、中村淳 、名取晃子
|
2007/03
|
|
122 |
Oral presentation for an academic conference
|
酸素吸着グラフェンの構造双安定性の第一原理計算
|
日本物理学会,日本物理学会2007年春季大会
|
21aTG-9
|
No
|
伊藤潤、中村淳 、名取晃子
|
2007/03
|
|
123 |
Oral presentation for an academic conference
|
不純物ドープSi(111)表面のSTM像の第一原理計算
|
日本物理学会,日本物理学会2007年春季大会
|
18pTG-10
|
No
|
平山基、中村淳 、名取晃子
|
2007/03
|
|
124 |
Oral presentation for an academic conference
|
第一原理計算によるSiO2/Si(001)界面のナノスケール誘電特性評価
|
日本物理学会,日本物理学会2007年春季大会
|
18pTG-9
|
No
|
涌井貞一、中村淳 、名取晃子
|
2007/03
|
|
125 |
Oral presentation for an academic conference
|
原子摩擦力の速度飽和機構
|
日本物理学会,日本物理学会2006年秋期大会
|
23pYH-3
|
No
|
五十嵐正典、中村淳、名取晃子
|
2006/09
|
|
126 |
Oral presentation for an academic conference
|
D-基底状態の拡散量子モンテカルロ計算:有効質量異方性および多谷効果
|
日本物理学会,日本物理学会2006年秋期大会
|
|
No
|
井上純一、中村淳、名取晃子
|
2006/09
|
|
127 |
Oral presentation for an academic conference
|
Si(111)双晶境界近傍の局所的誘電率変化
|
日本物理学会,日本物理学会第61回年次大会
|
|
No
|
中村淳、名取晃子
|
2006/03
|
|
128 |
Oral presentation for an academic conference
|
縦型2重量子ドットのスピン結合と磁場制御
|
日本物理学会,日本物理学会第61回年次大会
|
|
No
|
桝日向、山田太一、中村淳、名取晃子
|
2006/03
|
|
129 |
Oral presentation for an academic conference
|
第一原理計算による極薄膜Al/Si界面の検討:界面水素終端の影響
|
応用物理学会,第53回応用物理学関係連合講演会
|
|
No
|
清水共、名取研二、中村淳、名取晃子
|
2006/03
|
|
130 |
Oral presentation for an academic conference
|
Dielectric discontinuity at a stacking fault in Si(111)
|
33rd Conference on the Physics and Chemisty of Semiconductor Interfaces (PCSI-33)
|
|
Yes
|
J.Nakamura and A.Natori
|
2006/01
|
|
131 |
Oral presentation for an academic conference
|
First-principles calculations of dielectric constatns for ultrathin SiO2 films
|
33rd Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-33)
|
|
Yes
|
S.Wakui, J.Nakamura, and A.Natori
|
2006/01
|
|
132 |
Oral presentation for an academic conference
|
Electronic and magnetic properties of BNC ribbons
|
ISSS-4 (4-th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology)
|
|
Yes
|
T.Nitta, J.Nakamura, and A.Natori
|
2005/11
|
|
133 |
Oral presentation for an academic conference
|
Atomic scale mechanism of friction
|
ISSS-4 (4-th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology)
|
|
Yes
|
S.Wakunami, J.Nakamura, and A.Natori
|
2005/11
|
|
134 |
Oral presentation for an academic conference
|
Dielectric properties for ultra-thin films of the polytypes of SiC
|
ISSS-4 (4-th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology)
|
|
Yes
|
J.Nakamura and A.Natori
|
2005/11
|
|
135 |
Oral presentation for an academic conference
|
Controlling the spin coupling in double quantum dots
|
ISSS-4 (4-th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology)
|
|
Yes
|
H.Masu, J.Nakamura, and A.Natori
|
2005/11
|
|
136 |
Oral presentation for an academic conference
|
Structural stabilities and electronic properties of planar Si compounds
|
ISSS-4 (4-th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology)
|
|
Yes
|
M.Hirayama, J.Nakamura, and A.Natori
|
2005/11
|
|
137 |
Oral presentation for an academic conference
|
First-principles calculations on adsorption and diffusion of oxygen atoms on graphene sheets
|
ISSS-4 (4-th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology)
|
|
Yes
|
J.Ito, J.Nakamura, and A.Natori
|
2005/11
|
|
138 |
Oral presentation for an academic conference
|
First-principles calculations of dielectric constants for ultrathin SiO2 films
|
ISSS-4 (4-th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology)
|
|
Yes
|
S.Wakui, J.Nakamura, and A.Natori
|
2005/11
|
|
139 |
Oral presentation for an academic conference
|
グラフェンシートの酸素吸着と拡散過程の第一原理計算
|
日本物理学会,日本物理学会2005年秋期大会
|
|
No
|
伊藤潤、中村淳、名取晃子
|
2005/09
|
|
140 |
Oral presentation for an academic conference
|
SiC多形超薄膜の誘電特性
|
日本物理学会,日本物理学会2005年秋期大会
|
|
No
|
中村淳、名取晃子
|
2005/09
|
|
141 |
Oral presentation for an academic conference
|
原子レベルの摩擦機構
|
日本物理学会,日本物理学会2005年秋期大会
|
|
No
|
涌波信弥、中村淳、名取晃子
|
2005/09
|
|
142 |
Oral presentation for an academic conference
|
SiO2超薄膜の誘電特性
|
日本物理学会,日本物理学会2005年秋期大会
|
|
No
|
涌井貞一、中村淳、名取晃子
|
2005/09
|
|
143 |
Oral presentation for an academic conference
|
First-principles evaluations of dielectric constants for ultra-thin semiconducting films
|
European Conference on Surface Science (ECOSS-23)
|
|
Yes
|
J.Nakamura and A.Natori
|
2005/09
|
|
144 |
Oral presentation for an academic conference
|
Friction mechanism in atomic-scale
|
European Conference on Surface Science (ECOSS-23)
|
|
Yes
|
S.Wakunami, J.Nakamura, and A.Natori
|
2005/09
|
|
145 |
Oral presentation for an academic conference
|
Ga- and As-Rich Limit of Surface Reconstruction on GaAs(001)
|
European Conference on Surface Science (ECOSS-23)
|
|
Yes
|
A.Ohtake, P.Kocan, K.Seino, W.G.Schmidt, J.Nakamura, A.Natori, and N.Koguchi
|
2005/09
|
|
146 |
Oral presentation for an academic conference
|
第一原理計算を用いた誘電率評価方法の開発とその超薄膜への応用
|
シンポジウム「来るべきナノCMOS時代に向けての挑戦とその課題」
|
|
No
|
中村淳,涌井貞一,名取晃子
|
2005/04
|
|
147 |
Oral presentation for an academic conference
|
第一原理計算による超薄膜Al/Si(001)界面の検討:Si面方位依存
|
第52回応用物理学関係連合講演会
|
|
No
|
清水共、名取研二、中村淳、名取晃子
|
2005/03
|
|
148 |
Oral presentation for an academic conference
|
BNリボンの磁性II
|
日本物理学会第60回年次大会
|
|
No
|
新田敏浩、中村淳、名取晃子
|
2005/03
|
|
149 |
Oral presentation for an academic conference
|
2次元シリコン化合物の原子構造と電子状態
|
日本物理学会第60回年次大会
|
|
No
|
平山基、中村淳、名取晃子
|
2005/03
|
|
150 |
Oral presentation for an academic conference
|
Structural stability for Si(001) and Ge(001) in external electric fields
|
The 12th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM-12)
|
|
Yes
|
J.Nakamura and A.Natori
|
2004/12
|
|
151 |
Oral presentation for an academic conference
|
科学技術人材のキャリアパス
|
研究者のノンアカデミックキャリアパスシンポジウム
|
|
No
|
中村淳
|
2004/11
|
|
152 |
Oral presentation for an academic conference
|
BNCリボンの電子物性
|
第24回表面科学講演大会
|
|
No
|
新田敏浩、中村淳、名取晃子
|
2004/11
|
|
153 |
Oral presentation for an academic conference
|
半導体超薄膜の誘電特性
|
第24回表面科学講演大会
|
|
No
|
中村淳、名取晃子
|
2004/11
|
|
154 |
Oral presentation for an academic conference
|
Si超薄膜の誘電特性II
|
日本物理学会2004年秋期大会
|
|
No
|
中村淳、名取晃子
|
2004/09
|
|
155 |
Oral presentation for an academic conference
|
BNリボンの磁性
|
日本物理学会2004年秋期大会
|
|
No
|
新田敏浩、中村淳、名取晃子
|
2004/09
|
|
156 |
Oral presentation for an academic conference
|
超微粒子分散媒質の高周波電気伝導特性
|
日本物理学会2004年秋期大会
|
|
No
|
名取諭史、中村淳、名取晃子
|
2004/09
|
|
157 |
Oral presentation for an academic conference
|
ヘテロ基板上原子クラスタのマジックサイズと摩擦
|
日本物理学会2004年秋期大会
|
|
No
|
大野景太、新田敏浩、中村淳、名取晃子
|
2004/09
|
|
158 |
Oral presentation for an academic conference
|
As安定化GaAs(001)-c(4x4)表面における安定および準安定構造
|
日本物理学会2004年秋期大会
|
|
No
|
大竹晃浩、Pavel Kocan、中村淳、名取晃子、小口信行
|
2004/09
|
|
159 |
Oral presentation for an academic conference
|
Si(001)-2x1ダイマー表面におけるフリップフロップ運動の外部電場依存性
|
日本物理学会2004年秋期大会
|
|
No
|
中村淳、名取晃子
|
2004/09
|
|
160 |
Oral presentation for an academic conference
|
SiC超薄膜の誘電特性
|
第65回応用物理学会学術講演会
|
|
No
|
小澤日出樹、中村淳、名取晃子
|
2004/09
|
|
161 |
Oral presentation for an academic conference
|
第一原理計算による超薄膜Al/Si(001)界面の検討
|
第65回応用物理学会学術講演会
|
|
No
|
清水共、名取研二、中村淳、名取晃子
|
2004/09
|
|
162 |
Oral presentation for an academic conference
|
ポスドク制度の実態報告
|
第65回応用物理学会学術講演会
|
|
No
|
中村淳
|
2004/09
|
|
163 |
Oral presentation for an academic conference
|
GaAs(001)-c(4x4)表面のAs分子種依存性
|
第65回応用物理学会学術講演会
|
|
No
|
大竹晃浩、Pavel Kocan、中村淳、名取晃子、小口信行
|
2004/09
|
|
164 |
Oral presentation for an academic conference
|
Dielectric properties of ultra-thin films
|
27th International Conference on the Physics of Semiconductors
|
|
Yes
|
J.Nakamura, S.Ishihara, H.Ozawa, A.Natori
|
2004/07
|
|
165 |
Oral presentation for an academic conference
|
Energy barrier for dimer flipping at the Si(001)-2x1 surface in external elctrostatic fields
|
27th International Conference on the Physics of Semiconductors
|
|
Yes
|
J.Nakamura, A.Natori
|
2004/07
|
|
166 |
Oral presentation for an academic conference
|
Dielectric properties of ultra-thin films
|
12th International Conference on Solid Surfaces
|
|
Yes
|
J.Nakamura, S.Ishihara, H.Ozawa, and A.Natori
|
2004/06
|
|
167 |
Oral presentation for an academic conference
|
Reexamination of atomic and electronic structures of the Au/Si(111)-alpha Sqrt3xSqrt3 R30 surface from first principles
|
12th International Conference on Solid Surfaces
|
|
Yes
|
T.Kadohira, J.Nakamura, and S.Watanabe
|
2004/06
|
|
168 |
Oral presentation for an academic conference
|
Energy barrier for dimer flipping at Si(001)-2x1 in external electric fields
|
12th International Conference on Solid Surfaces
|
|
Yes
|
J.Nakamura and A.Natori
|
2004/06
|
|
169 |
Oral presentation for an academic conference
|
Atomic scale friction in magic size custers
|
12th International Conference on Solid Surfaces
|
|
Yes
|
K.Ohno, T.Nitta, J.Nakamura, and A.Natori
|
2004/06
|
|
170 |
Oral presentation for an academic conference
|
マイクロ直線4端子法による表面電気伝導の異方性評価
|
第51回応用物理学関係連合講演会
|
|
No
|
後藤富久、中村淳、名取晃子
|
2004/03
|
|
171 |
Oral presentation for an academic conference
|
RC回路網の高周波電気伝導特性
|
第51回応用物理学関係連合講演会
|
|
No
|
名取諭史、中村淳、名取晃子
|
2004/03
|
|
172 |
Oral presentation for an academic conference
|
第一原理計算によるAu/Si(111)-alpha(Sqrt3xSqrt3)表面構造の研究
|
日本物理学会第59回年次大会
|
|
No
|
門平卓也、中村淳、渡邉聡
|
2004/03
|
|
173 |
Oral presentation for an academic conference
|
Si超薄膜の誘電特性
|
日本物理学会第59回年次大会
|
|
No
|
石原俊介、中村淳、名取晃子
|
2004/03
|
|
174 |
Oral presentation for an academic conference
|
2重量子ドットのスピン結合
|
日本物理学会第59回年次大会
|
|
No
|
山田太一、中村淳、名取晃子
|
2004/03
|
|
175 |
Oral presentation for an academic conference
|
Energy barrier for dimer flipping at Si(001)-2x1 in external electric fields
|
The 9th International Symposium on Advanced Physical Fields (APF-9)
|
|
No
|
Jun Nakamura and Akiko Natori
|
2004/03
|
|
176 |
Oral presentation for an academic conference
|
Atomic scale friction of nano-clusters
|
31st Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-31)
|
|
Yes
|
Keita Ohno, Toshihiro Nitta, Jun Nakamura, and Akiko Natori
|
2004/01
|
|
177 |
Oral presentation for an academic conference
|
First-principles calculations of band discontinuity at ultrathin SiO2/Si(001) interfaces
|
31st Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-31)
|
|
Yes
|
Jun Nakamura, Shunsuke Ishihara, and Akiko Natori
|
2004/01
|
|
178 |
Oral presentation for an academic conference
|
Surface stress anisotropy of Ge/Si(113)-2x2
|
31st Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-31)
|
|
Yes
|
Jun Nakamura, Z.Zhang, K.Sumitomo, H.Omi, T.Ogino, and A.Natori
|
2004/01
|
|
179 |
Oral presentation for an academic conference
|
MEISとSTMによる表面応力・歪の異方性の観察
|
応用物理学会イオンビーム研究会
|
|
No
|
住友弘二、Zhaohui Zhang、中村淳、尾身博雄、荻野俊郎、名取晃子
|
2003/12
|
|
180 |
Oral presentation for an academic conference
|
Energy barrier for dimer flipping at the Si(001)- and Ge(001)-2x1 surfaces in external electric fields
|
The 11th International Colloquim on Scanning Probe Microscopy
|
|
No
|
J.Nakamura and A.Natori
|
2003/12
|
|
181 |
Oral presentation for an academic conference
|
2重量子ドットのスピン結合制御の量子モンテカルロ計算
|
第23回表面科学講演大会
|
|
No
|
山田太一、中村淳、名取晃子
|
2003/11
|
|
182 |
Oral presentation for an academic conference
|
Si超薄膜の誘電特性
|
第23回表面科学講演大会
|
|
No
|
石原俊介、中村淳、名取晃子
|
2003/11
|
|
183 |
Oral presentation for an academic conference
|
Structural stability and stress anisotropy of the Ge/Si(113)-2x2 surface
|
7th Inernational Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-7)
|
|
Yes
|
J.Nakamura, Z.Zhang, K.Sumitomo, H.Omi, T.Ogino, and A.Natori
|
2003/11
|
|
184 |
Oral presentation for an academic conference
|
Dielectric properties of ultra-thin films
|
7th Inernational Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-7)
|
|
Yes
|
S.Ishihara, J.Nakamura, and A.Natori
|
2003/11
|
|
185 |
Oral presentation for an academic conference
|
First-principles study of the atomic and electronic structures of the Au/Si(111)-Alpha(Sqrt3xSqrt3) surface
|
7th Inernational Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-7)
|
|
Yes
|
T.Kadohira, J.Nakamura, and S.Watanabe
|
2003/11
|
|
186 |
Oral presentation for an academic conference
|
Direct observation of Au deposition processes on the InSb{111}A,B-(2x2) surfaces
|
1st International Symposium on Active Nano-Characterization and Technology
|
|
No
|
S.P.Cho, J.Nakamura, N.Tanaka, and T.Osaka
|
2003/11
|
|
187 |
Oral presentation for an academic conference
|
Theoretical investigation of the honeycomb structure of the Au/Si(111)-Alpha(Sqrt3xSqrt3) surface using first-principles calculations
|
International Workshop on Smart Interconnects (IWSI)
|
|
No
|
T.Kadohira, J.Nakamura, and S. Watanabe
|
2003/11
|
|
188 |
Oral presentation for an academic conference
|
ポスドク・任期付き技術者/研究者の現状と将来像
|
第64回応用物理学会学術講演会
|
|
No
|
中村淳
|
2003/09
|
|
189 |
Oral presentation for an academic conference
|
Ga-As dimer structure for the GaAs(001)-c(4x4) surface
|
22-nd European Conference on Surface Science (ECOSS-22)
|
|
Yes
|
A.Ohtake, J.Nakamura, N.Koguchi, and A.Natori
|
2003/09
|
|
190 |
Oral presentation for an academic conference
|
Energy barrier at ultrathin SiO2/Si(001) interfaces
|
22-nd European Conference on Surface Science (ECOSS-22)
|
|
Yes
|
M.Watarai, J.Nakamura, and A.Natori
|
2003/09
|
|
191 |
Oral presentation for an academic conference
|
Structural stability and anisotropic stress of the Ge/Si(113)-2x2 surfaces
|
22-nd European Conference on Surface Science (ECOSS-22)
|
|
Yes
|
J.Nakamura, Z.Zhang, K.Sumitomo, H.Omi, T.Ogino, and A.Natori
|
2003/09
|
|
192 |
Oral presentation for an academic conference
|
半導体超薄膜の誘電率の第一原理計算
|
日本物理学会2003年秋期大会
|
|
No
|
中村淳、石原俊介、清水共、名取研二、名取晃子
|
2003/09
|
|
193 |
Oral presentation for an academic conference
|
不整合へテロエピタキシャル島のナノトライボロジー
|
日本物理学会2003年秋期大会
|
|
No
|
新田敏浩、大野景太、中村淳、名取晃子
|
2003/09
|
|
194 |
Oral presentation for an academic conference
|
超薄膜の外部静電場応答特性の第一原理的評価
|
日本物理学会2003年秋期大会
|
|
No
|
中村淳、石原俊介、清水共、名取研二、名取晃子
|
2003/09
|
|
195 |
Oral presentation for an academic conference
|
Ge/Si(113)-2x2構造における表面応力異方性
|
第64回応用物理学会学術講演会
|
|
No
|
中村淳 、張朝暉、住友弘二、尾身博雄、荻野俊郎、名取晃子
|
2003/09
|
|
196 |
Oral presentation for an academic conference
|
第一原理計算による金属/半導体界面近傍の静電特性
|
第64回応用物理学会学術講演会
|
|
No
|
清水共、名取研二、中村淳、名取晃子
|
2003/08
|
|
197 |
Oral presentation for an academic conference
|
Au/Si(111)-alpha(Sqrt3xSqrt3)R30表面構造の理論研究
|
表面低次元ナノ構造機能物質の創製と物性研究会
|
|
No
|
門平卓也、中村淳、渡邉聡
|
2003/07
|
|
198 |
Oral presentation for an academic conference
|
Ge/Si(113)-2x2表面の応力異方性
|
日本物理学会第58回年次大会
|
|
No
|
中村淳、名取晃子 、張朝暉、住友弘二、尾身博雄、荻野俊郎
|
2003/03
|
|
199 |
Oral presentation for an academic conference
|
2重量子ドットのスピン結合制御
|
日本物理学会第58回年次大会
|
|
No
|
瀬下裕也,中村淳,名取晃子
|
2003/03
|
|
200 |
Oral presentation for an academic conference
|
GaAs(001)-c(4x4)表面上におけるGa-As dimerの欠陥構造
|
日本物理学会第58回年次大会
|
|
No
|
大竹晃浩、中村淳、塚本史郎、小口信之、名取晃子
|
2003/03
|
|
201 |
Oral presentation for an academic conference
|
Si(113)上Ge成長初期過程における表面超構造と表面応力
|
第50回応用物理学関係連合講演会
|
|
No
|
住友弘二 、Zhaohui Zhang、Feng Lin、中村淳、尾身博雄 、名取晃子、荻野俊郎
|
2003/03
|
|
202 |
Oral presentation for an academic conference
|
Anisotropic surface stress of Ge/Si(113)-2x2
|
Dr. Rohrer's JSPS Award Workshop III and ISSP international workshop --- a role of physics for nano science and technology ---, February 2003 (Kashiwa, Japan)
|
|
No
|
J.Nakamura, Z.Zhang, K.Sumitomo, H.Omi, T.Ogino, and A.Natori
|
2003/02
|
|
203 |
Oral presentation for an academic conference
|
First principles calculation of Si/SiO2 band offset
|
Dr. Rohrer's JSPS Award Workshop III and ISSP international workshop --- a role of physics for nano science and technology ---, February 2003 (Kashiwa, Japan)
|
|
No
|
M.Watarai, J.Nakamura, and A.Natori
|
2003/02
|
|
204 |
Oral presentation for an academic conference
|
First principles calculation of Si/SiO2 band offset
|
「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」第8回研究会
|
|
No
|
M.Watarai, J.Nakamura, and A.Natori
|
2003/01
|
|
205 |
Oral presentation for an academic conference
|
Si/SiO2超格子のバンドオフセットの第一原理計算
|
第22回表面科学講演大会
|
|
No
|
渡会雅敏、中村淳、名取晃子
|
2002/11
|
|
206 |
Oral presentation for an academic conference
|
Ge/Si(113)-2x2表面の構造安定性と応力異方性
|
第22回表面科学講演大会
|
|
No
|
中村淳,張朝暉,住友弘二,尾身博雄,荻野俊郎,名取晃子
|
2002/11
|
|
207 |
Oral presentation for an academic conference
|
As安定化GaAs(001)-c(4x4)表面に対する新たな構造モデル
|
第63回応用物理学会学術講演会
|
|
No
|
大竹晃浩、中村淳、塚本史郎、小口信之、名取晃子
|
2002/09
|
|
208 |
Oral presentation for an academic conference
|
SiO_2超薄膜のトンネル特性
|
日本物理学会2002年秋期大会
|
|
No
|
渡会雅敏、中村淳、名取晃子
|
2002/09
|
|
209 |
Oral presentation for an academic conference
|
2重量子ドットの多粒子状態
|
日本物理学会2002年秋期大会
|
|
No
|
瀬下裕也、中村淳、名取晃子
|
2002/09
|
|
210 |
Oral presentation for an academic conference
|
GaAs(001)-c(4x4)表面に対する新たな構造モデルの提唱
|
日本物理学会2002年秋期大会
|
|
No
|
大竹晃浩、中村淳、塚本史郎、小口信之、名取晃子
|
2002/09
|
|
211 |
Oral presentation for an academic conference
|
Structural stability of the InSb(111)B-(3x3) surface
|
International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-11), July 2002 (Marseille, France)
|
|
Yes
|
T.Kadohira, T.Miura, J.Nakamura, A.Natori, and T.Osaka
|
2002/07
|
|
212 |
Oral presentation for an academic conference
|
Structural stability of the Ge/Si(113)-2x2 surface
|
International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-11), July 2002 (Marseille, France)
|
|
Yes
|
J.Nakamura, Z.Zhang, K.Sumitomo, H.Omi, T.Ogino, and A.Natori
|
2002/07
|
|
213 |
Oral presentation for an academic conference
|
Dynamics of c(4x2) phase-transition in Si(001) surfaces
|
International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-11), July 2002 (Marseille, France)
|
|
Yes
|
M.Osanai, A.Natori, J.Nakamura, H.Yasunaga
|
2002/07
|
|
214 |
Oral presentation for an academic conference
|
不均一表面層の2端子間2次元電流分布
|
日本物理学会第57回年次大会
|
|
No
|
名取晃子、伊藤哲朗、中村淳、安永均
|
2002/03
|
|
215 |
Oral presentation for an academic conference
|
Si(001)面のダイマーバックリングダイナミクス
|
日本物理学会第57回年次大会
|
|
No
|
長内理尚、中村淳、安永均、名取晃子
|
2002/03
|
|
216 |
Oral presentation for an academic conference
|
Ge/Si(113)-2x2の再構成表面構造
|
第49回応用物理学関係連合講演会
|
|
No
|
住友弘二 、Zhaohui Zhang、中村淳、尾身博雄 、名取晃子、荻野俊郎
|
2002/03
|
|
217 |
Oral presentation for an academic conference
|
Structural stability of the Ge/Si(113)-2x2 surface
|
第5回成長表面・界面の動的挙動と原子スケールシミュレーション研究会
|
|
No
|
Jun Nakamura, Akiko Natori, Zhao-Hui Zhang, Koji Sumitomo, Hiroo Omi, and Toshio Ogino
|
2002/03
|
|
218 |
Oral presentation for an academic conference
|
Si(111)Sqrt(3)×Sqrt(3)-Ag表面の相転移とSTM像のシミュレーション
|
日本物理学会 第56回年次大会,中央大学
|
|
No
|
渡邉聡,中村美道,近藤優樹,中村淳
|
2001
|
|
219 |
Oral presentation for an academic conference
|
Atomic structure of Ge/Si(113)-2x2 reconstruction
|
The 9th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy and Asian SPM (4)
|
|
No
|
Zhaohui Zhang, Koji Sumitomo, Jun Nakamura, Hiroo Omi, Akiko Natori, and Toshio Ogino
|
2001/12
|
|
220 |
Oral presentation for an academic conference
|
Ge/Si(113)-2x2表面の構造安定性
|
日本物理学会2001年秋期大会
|
|
No
|
中村淳,張朝暉,住友弘二,尾身博雄,荻野俊郎,名取晃子
|
2001/09
|
|
221 |
Oral presentation for an academic conference
|
Structural and electronic properties of two-dimensional C60
|
第12回 日本MRS学術シンポジウム,川崎
|
|
No
|
中村 淳,中山知信,渡邉 聡,青野正和
|
2000
|
|
222 |
Oral presentation for an academic conference
|
Si(111)Sqrt2(3)×Sqrt(3)-Ag表面の構造秩序化:第一原理計算結果に基づくモンテカルロシミュレーション
|
日本物理学会 第55回年次大会,新潟大学
|
|
No
|
中村美道,近藤優樹,中村 淳,渡邉 聡
|
2000
|
|
223 |
Oral presentation for an academic conference
|
ジグザグ金原子鎖の双安定性
|
日本物理学会 第55回年次大会,新潟大学
|
|
No
|
中村 淳,小林伸彦,渡邉 聡,青野正和
|
2000
|
|
224 |
Oral presentation for an academic conference
|
STM images and fluctuation of surface atoms: A theoretical study on Si(111)Sqrt(3)×Sqrt(3)-Ag surface
|
SPM-8
|
|
No
|
Y.Nakamura, Y.Kondo, J.Nakamura, S.Watanabe
|
2000
|
|
225 |
Oral presentation for an academic conference
|
Interface Structural analysis using medium-energy coaxial impact-collision ion scattering spectroscopy
|
ICAARI-6, Texas, USA
|
|
No
|
H.Sone, T.Kobayashi, G.Dorenbos, J.Nakamura, M.Aono, C.F.McConville
|
2000
|
|
226 |
Oral presentation for an academic conference
|
Long-range molecular ordering in a strained C_60_ monolayer
|
NASI-1
|
|
No
|
T.Nakayama, J.Onoe, J.Nakamura, K.Takeuchi, M.Aono
|
2000
|
|
227 |
Oral presentation for an academic conference
|
Structural and Electronic Properties of Two-dimensional C_60_
|
NASI-1
|
|
No
|
J.Nakamura, T.Nakayama, S.Watanabe, M.Aono
|
2000
|
|
228 |
Oral presentation for an academic conference
|
In-situ measurements of strain in the surface normal direction: InAs on GaAs(111)A
|
ECOSS-19, Madrid, Spain
|
|
Yes
|
A.Ohtake, J.Nakamura, M.Terauchi, F.Sato, M.Tanaka, M.Ozeki
|
2000
|
|
229 |
Oral presentation for an academic conference
|
Structural stability and electronic states of gold nanowires
|
ECOSS-19, Madrid, Spain
|
|
Yes
|
J.Nakamura, N.Kobayashi, S.Watanabe, M.Aono
|
2000
|
|
230 |
Oral presentation for an academic conference
|
Electronic structure of the Si(111)-(4×1) In surface
|
ISSI PDSC-2000, Nagoya
|
|
Yes
|
J.Nakamura, S.Watanabe, M.Aono
|
2000
|
|
231 |
Oral presentation for an academic conference
|
Theoretical study on the structural phase transition of Si(111)Sqrt(3)×Sqrt(3)-Ag surface
|
ISSI PDSC-2000, Nagoya
|
|
Yes
|
Y.Nakamura, Y.Kondo, J.Nakamura, S.Watanabe
|
2000
|
|
232 |
Oral presentation for an academic conference
|
Structural ordering on Si(111)Sqrt(3)×Sqrt(3)-Ag surface: Monte Carlo simulation based on first-principles calculations
|
ICPS 25, Osaka
|
|
No
|
Y.Nakamura, Y.Kondo, J.Nakamura, S.Watanabe
|
2000
|
|
233 |
Oral presentation for an academic conference
|
中エネルギー同軸型直衝突イオン散乱分光法(ME-CAICISS)によるSi/Sb(δドープ)/Si構造の分析
|
第26回結晶成長討論会
|
|
No
|
曾根逸人、小林峰、中村淳、青野正和
|
2000/09
|
|
234 |
Oral presentation for an academic conference
|
InAs/GaAs(111)A系における歪緩和
|
日本物理学会春の分科会
|
|
No
|
大竹晃浩、尾関雅志、中村淳
|
2000/03
|
|
235 |
Oral presentation for an academic conference
|
Atomic and electronic structure of the Si(111)-Sqrt3xSqrt3-Ag surface: re-examined by using first-principles calculations
|
International Symposium on Surface Science for Micro- and Nano-Device Fabrication (ISSS-3)
|
|
No
|
Y.Kondo, J.Nakamura, and S.Watanabe
|
1999/11
|
|
236 |
Oral presentation for an academic conference
|
Structural stability of the Si(111)-(Sqrt3xSqrt3)-Sn surface
|
International Symposium on Surface Science for Micro- and Nano-Device Fabrication (ISSS-3)
|
|
No
|
T.Kado-hira, Y.Miura, J.Nakamura, M.Aono, and T.Osaka
|
1999/11
|
|
237 |
Oral presentation for an academic conference
|
第一原理擬ポテンシャル法によるSi(111)-(√3x√3)R30-Sn表面の評価
|
日本物理学会秋の分科会
|
|
No
|
門平卓也、三浦義弘、中村淳、青野正和、大坂敏明
|
1999/09
|
|
238 |
Oral presentation for an academic conference
|
Si(111)√3x√3-Ag表面上の光重合C60薄膜のSTMによる観察と加工
|
日本物理学会秋の分科会
|
|
No
|
中山知信、尾上順、田中啓文、中村淳、武内一夫、青野正和
|
1999/09
|
|
239 |
Oral presentation for an academic conference
|
Au 2原子列鎖の構造と電子状態
|
日本物理学会秋の分科会
|
|
No
|
中村淳、小林伸彦、渡邉聡、青野正和
|
1999/09
|
|
240 |
Oral presentation for an academic conference
|
Si(001)-2x1Ag吸着表面の第一原理計算による評価
|
日本物理学会秋の分科会
|
|
No
|
中村淳、櫻井亮、渡邉聡、青野正和
|
1999/09
|
|
241 |
Oral presentation for an academic conference
|
C60単分子膜における光重合反応生成物のUHV-STM観察
|
第17回フラーレン総合シンポジウム
|
|
No
|
中山知信、尾上順、中辻寛、中村淳、武内一夫、青野正和
|
1999/08
|
|
242 |
Oral presentation for an academic conference
|
Photo-induced products in a C60 monolayer on Si(111)-Sqrt3xSqrt3-Ag: An STM study
|
International Conference on the Structure of Surfaces (ICSOS-6)
|
|
No
|
T.Nakayama, J.Onoe, K.Nakatsuji, J.Nakamura, K.Takeuchi, and M.Aono
|
1999/07
|
|
243 |
Oral presentation for an academic conference
|
Si(001)表面上におけるAg吸着構造の第一原理計算による評価
|
日本物理学会第54回年会
|
|
No
|
中村淳、櫻井亮、渡邉聡、青野正和
|
1999/03
|
|
244 |
Oral presentation for an academic conference
|
C60単層膜中における光重合C60二量体および三量体の非対称電子密度分布---STM/STSによる検討
|
日本物理学会第54回年会
|
|
No
|
中山知信、尾上順、中辻寛、中村淳、武内一夫、青野正和
|
1999/03
|
|
245 |
Oral presentation for an academic conference
|
C60単分子膜における局所的な光重合
|
理研シンポジウム:第5回原子スケールサイエンジニアリング研究会
|
|
No
|
中山知信、尾上順、中辻寛、中村淳、武内一夫、青野正和
|
1999/01
|
|
246 |
Oral presentation for an academic conference
|
Handling Adsorbed C60 on Surfaces by Irradiation of Photon
|
RIKEN Conference on Molecular Design
|
|
No
|
T.Nakayama, J.Onoe, K.Nakatsuji, J.Nakamura, K.Takeuchi, and M.Aono
|
1998/12
|
|
247 |
Oral presentation for an academic conference
|
Chemical bonding features for faultily-stacked interfaces of GaAs{111}
|
25th Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-25)
|
|
No
|
J.Nakamura, M.Masui, M.Sawayanagi, S.-P.Cho, T.Mishima, M.Nishizawa, T.Eguchi, and T.Osaka
|
1998/01
|
|
248 |
Oral presentation for an academic conference
|
α-Sn(111)-(2x2)表面の構造と電子状態I
|
日本物理学会秋の分科会
|
|
No
|
江口豊明、中村淳、大坂敏明
|
1997/10
|
|
249 |
Oral presentation for an academic conference
|
α-Sn(111)-(2x2)表面の構造と電子状態II
|
日本物理学会秋の分科会
|
|
No
|
中村淳、江口豊明、大坂敏明
|
1997/10
|
|
250 |
Oral presentation for an academic conference
|
単原子層h-BN/Ni(111)界面における化学結合状態
|
日本物理学会秋の分科会
|
|
No
|
中村淳、中島博、大坂敏明
|
1997/10
|
|
251 |
Oral presentation for an academic conference
|
InSb(111)B-2x2表面の最適化構造とその電子状態
|
日本物理学会第52回年会
|
|
No
|
中村淳、中澤秀司、大坂敏明
|
1997/03
|
|
252 |
Oral presentation for an academic conference
|
Structural stability and its electronic origin of the GaAs(111)A-2x2 surface
|
International Symposium on Surface Nano-Control of Environmental Catalysts and Related Materials
|
|
No
|
J.Nakamura, H.Nakajima, and T.Osaka
|
1996/11
|
|
253 |
Oral presentation for an academic conference
|
KCl(001)表面におけるAuの核形成
|
日本金属学会秋季大会
|
|
No
|
中村淳、大坂敏明
|
1996/10
|
|
254 |
Oral presentation for an academic conference
|
GaAs(111)A-2x2表面の電子状態と構造安定性
|
日本物理学会秋の分科会
|
|
No
|
中村淳、中島博、大坂敏明
|
1996/09
|
|
255 |
Oral presentation for an academic conference
|
RHEEDロッキングカーブを用いたSi(111)-√3x√3R30-Au表面の構造解析
|
日本物理学会秋の分科会
|
|
No
|
中川明仁、中村淳、大竹晃浩、大坂敏明
|
1996/09
|
|
256 |
Oral presentation for an academic conference
|
GaAs(111)A-2x2表面の構造安定性とその電子論的起源
|
第9回DV-Xα研究協会
|
|
No
|
中村淳、大坂敏明
|
1996/08
|
|
257 |
Oral presentation for an academic conference
|
RHEED rocking curveを用いたInSb{111}A,B表面の構造解析
|
日本物理学会秋の分科会
|
|
No
|
大竹晃浩、中村淳、大坂敏明
|
1995/09
|
|
258 |
Oral presentation for an academic conference
|
InSb(111)A-(2x2)表面上におけるα-Sn安定成長メカニズム
|
第8回DV-Xα研究協会
|
|
No
|
中嶋尚之、中村淳、大坂敏明
|
1995/08
|
|
259 |
Oral presentation for an academic conference
|
GaAs{111}表面・界面の電子論的評価
|
第8回DV-Xα研究協会
|
|
No
|
中村淳、大坂敏明
|
1995/08
|
|
260 |
Oral presentation for an academic conference
|
Ge/Si(111)-Sb系表面変性エピタキシー
|
第14回表面科学講演大会
|
|
No
|
中村淳、此木秀和、大坂敏明
|
1994/12
|
|
261 |
Oral presentation for an academic conference
|
Si(111)上のGe擬形態層に及ぼすSbの効果
|
日本物理学会秋の分科会
|
|
No
|
中村淳、此木秀和、大坂敏明
|
1994/09
|
|
262 |
Oral presentation for an academic conference
|
InSb(111)B表面上での酸素の解離吸着
|
第7回DV-Xα研究協会
|
|
No
|
中澤秀司、中村淳、大坂敏明
|
1994/08
|
|
263 |
Oral presentation for an academic conference
|
NaCl(001)およびKCl(001)表面上でのAu原子の吸着サイト
|
第7回DV-Xα研究協会
|
|
No
|
南貴博、中村淳、大坂敏明
|
1994/08
|
|
264 |
Oral presentation for an academic conference
|
Si(111)上のGe擬形態層に及ぼすSbの効果
|
第7回DV-Xα研究協会
|
|
No
|
中村淳、此木秀和、大坂敏明
|
1994/08
|
|
265 |
Oral presentation for an academic conference
|
シリコンカーバイド表面上に析出した単原子層グラファイトの安定性
|
表面技術協会第89回講演大会
|
|
No
|
中村淳、此木秀和、大坂敏明
|
1994/03
|
|
266 |
Oral presentation for an academic conference
|
単原子層グラファイト/SiC(111)系不整合界面の安定化機構
|
日本金属学会秋季大会
|
|
No
|
中村淳、此木秀和、大坂敏明
|
1993/10
|
|
267 |
Oral presentation for an academic conference
|
単原子層グラファイト/SiC(111)系界面における電荷移動機構
|
日本物理学会秋の分科会
|
|
No
|
中村淳、大坂敏明
|
1993/09
|
|
268 |
Oral presentation for an academic conference
|
単原子層グラファイト/SiC(111)A系界面の電子論的評価
|
第6回DV-Xα研究協会
|
|
No
|
中村淳、此木秀和、大坂敏明
|
1993/07
|
|
269 |
Oral presentation for an academic conference
|
CX4分子中の電荷移動に対する一考察
|
第12回表面科学講演大会
|
|
No
|
佐藤宏、此木秀和、中村淳、大坂敏明
|
1992/12
|
|
270 |
Oral presentation for an academic conference
|
炭素内殻順位のシフトに及ぼす電荷移動の効果~メタン系分子を中心として~
|
第5回DV-Xα研究協会
|
|
No
|
佐藤宏、中村淳、大坂敏明
|
1992/07
|
|
271 |
Oral presentation for an academic conference
|
四面体型CX4(X=F,Cl,Br,I)分子における正味の電荷移動
|
第5回DV-Xα研究協会
|
|
No
|
此木秀和、中村淳、大坂敏明
|
1992/07
|
|
272 |
Oral presentation for an academic conference
|
GaAs結晶中の双晶形成に及ぼす諸因子
|
第11回表面科学講演大会
|
|
No
|
芹沢千絵、山本一雄、中村淳、大坂敏明
|
1991/12
|
|
273 |
Oral presentation for an academic conference
|
化学結合の効果を考慮した原子散乱因子の計算
|
第4回DV-Xα研究協会
|
|
No
|
中村淳、山本一雄、芹沢千絵、大坂敏明、早藤貴範、木村仁史、武石玲子
|
1991/08
|
|
274 |
Symposium
|
Stacking effect on oxygen reduction reaction of nitrogen-doped graphene
|
The 9th International Symposium on Surface Science (ISSS-9)
|
|
Yes
|
Taichi Takashima and Jun Nakamura
|
2021/11/30
|
|
275 |
Symposium
|
Structural stability of II-V compound ultrathin films
|
The 9th International Symposium on Surface Science (ISSS-9)
|
|
Yes
|
Lucia G. Arellano Sartorius , Takayuki Suga, Miguel Cruz-Irisson, and Jun Nakamura
|
2021/11/30
|
|
276 |
Symposium
|
Derivatization Effect of Cobalt Phthalocyanine on the Catalytic Activity for Carbon Monoxide Reduction
|
AVS 67th International Symposium & Exhibition
|
|
Yes
|
Y. Umejima and J.Nakamura
|
2021/10/25
|
|
277 |
Symposium
|
Theoretical study of li-decorated b-doped silicon carbide monolayer for hydrogen storage
|
12th International Conference on Hydrogen Production (ICH2P-2021)
|
|
Yes
|
Lucia G. Arellano Sartorius , Miguel Cruz-Irisson, and Jun Nakamura
|
2021/09/19
|
|
278 |
Symposium
|
Stacking effect of double-layered zigzag graphene nanoribbons
|
Virtual Irago Conference 2020
|
P0061
|
Yes
|
R.Sun and J. Nakamura
|
2020/12/11
|
|
279 |
Symposium
|
Oxygen Reduction Reaction Activity of Nitrogen-Doped Graphene with a Stone-Wales Defect
|
Virtual Irago Conference 2020
|
P0055
|
Yes
|
X.Lu and J. Nakamura
|
2020/12/11
|
|
280 |
Symposium
|
Derivatization effect of Metal Phthalocyanine on the catalytic activity for carbon monoxide reduction
|
Virtual Irago Conference 2020
|
P0047
|
Yes
|
Y.Umejima and J. Nakamura
|
2020/12/11
|
|
281 |
Symposium
|
2D II-V compounds: A mechanism of structural stabilization
|
Virtual Irago Conference 2020
|
P0037
|
Yes
|
T.Suga and J. Nakamura
|
2020/12/11
|
|
282 |
Symposium
|
Hydrogen Storage on Metal Decorated GeC Monolayer
|
Virtual Irago Conference 2020
|
P0060
|
Yes
|
L.G. Arellano, A. Miranda, M. Cruz-Irisson and J. Nakamura
|
2020/12/11
|
|
283 |
Symposium
|
Chalcogen passivation of GaAs(111)B surfaces
|
Irago Conference 2019
|
|
Yes
|
T.Suga, S.Goto, A.Ohtake, and J.Nakamura
|
2019/10/28
|
|
284 |
Symposium
|
Structural stability of twisted bilayer graphene nano ribbons
|
Irago Conference 2019
|
|
Yes
|
S.Chiba and J.Nakamura
|
2019/10/28
|
|
285 |
Symposium
|
Edge-edge interaction in bilayer zigzag graphene nanoribbons
|
Irago Conference 2019
|
|
Yes
|
T.Asano and J.Nakamura
|
2019/10/28
|
|
286 |
Symposium
|
Oxygen reduction reaction for Fe phthalocyanine derivative
|
Irago Conference 2019
|
|
Yes
|
H.Matsuyama, H.Abe, K.Ito, H.Yabu, and J.Nakamura
|
2019/10/28
|
|
287 |
Symposium
|
Mechanism of chalcogen passivation of GaAs surfaces
|
AVS 66th International Symposium & Exhibition
|
|
Yes
|
T. Suga, S. Goto, A. Ohtake, and J. Nakamura
|
2019/10/22
|
|
288 |
Symposium
|
Structural stability of graphene nanoflakes: From the view point of aromaticity
|
AVS 66th International Symposium & Exhibition
|
|
Yes
|
M. Ushirozako, H. Matsuyama, A. Akaishi, and J. Nakamura
|
2019/10/21
|
|
289 |
Symposium
|
Edge-state-induced stacking of zigzag graphene nano-ribbons
|
The 17th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-17)
|
|
Yes
|
T.Asano and J.Nakamura
|
2019/06/25
|
|
290 |
Symposium
|
Functionalization of graphene by N doping: Application to the oxygen reduction reaction
|
The 17th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-17)
|
|
Yes
|
H.Matsuyama and J.Nakamura
|
2019/06/24
|
|
291 |
Symposium
|
Bi-layer formation of water on graphene
|
The 17th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-17)
|
|
Yes
|
A.Akaishi, T.Yonemaru, and J.Nakamura
|
2019/06/24
|
|
292 |
Symposium
|
Chalcogen passivation of GaAs(111)B surfaces
|
Compound Semiconductor Week 2019
|
|
Yes
|
T.Suga, S.Goto, A.Ohtake, and J.Nakamura
|
2019/05/20
|
URL
|
293 |
Symposium
|
Oxygen Reduction Reaction Mechanism for N-doped Graphene Nanoribbons
|
Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings & Interfaces (pacsurf2018)
|
|
Yes
|
H. Matsuyama, S. Gomi, and J.Nakamura
|
2018/12/05
|
|
294 |
Symposium
|
Edge-state-induced stacking of zigzag graphene nano-ribbons
|
The Irago Conference 2018
|
|
Yes
|
T. Asano and J. Nakamura
|
2018/11/01
|
|
295 |
Symposium
|
Na- and Be-decorated silicon carbide monolayer for H2 storage: a DFT study
|
The Irago Conference 2018
|
|
Yes
|
L. G. Arellano, F. de Santiago, A. Miranda, M. Cruz-Irisson, and J. Nakamura
|
2018/11/01
|
|
296 |
Symposium
|
Oxygen Reduction Reaction on fullerene
|
The Irago Conference 2018
|
|
Yes
|
Y. Kikuchi and J. Nakamura
|
2018/11/01
|
|
297 |
Symposium
|
Systematic evaluation of the structural stability of nitrogen-doped graphene
|
The Irago Conference 2018
|
|
Yes
|
S. Goto, A. Ohtake, and J. Nakamura
|
2018/11/01
|
|
298 |
Symposium
|
Structural stability of the Se- or S-treated GaAs (111) B surface
|
The Irago Conference 2018
|
|
Yes
|
S. Chiba and J. Nakamura
|
2018/11/01
|
|
299 |
Symposium
|
Oxygen reduction reaction activity for N-doped graphene nanoclusters
|
The Irago Conference 2018
|
|
Yes
|
H. Matsuyama and J. Nakamura
|
2018/11/01
|
|
300 |
Symposium
|
Stabilization Mechanism of the Se- or S-treated GaAs(111)B Surface
|
American Vacuum Society 65th International Symposium & Exhibition (AVS-65)
|
|
Yes
|
S. Goto, A. Ohtake, and J. Nakamura
|
2018/10/24
|
|
301 |
Symposium
|
Double Layer Formation of Water Molecules on Graphene
|
American Vacuum Society 65th International Symposium & Exhibition (AVS-65)
|
|
Yes
|
A. Akaishi, T. Yonemaru, and J. Nakamura
|
2018/10/24
|
|
302 |
Symposium
|
Oxygen Reduction Reaction on Fullerene
|
American Vacuum Society 65th International Symposium & Exhibition (AVS-65)
|
|
Yes
|
Y. Kikuchi and J. Nakamura
|
2018/10/23
|
|
303 |
Symposium
|
Intra- and inter-layer magnetic interactions in a van der Waals crystal
|
2018 DPG Joint meeting of the DPG and EPS Condesed Matter Divisions
|
|
No
|
M. Kawashima, A. Akaishi, and J. Nakamura
|
2018/03/13
|
|
304 |
Symposium
|
InGaN混晶中におけるIn-In相互作用
|
電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第2回シンポジウム「物性科学から工学へ」
|
|
No
|
畑木尚、中村淳
|
2018/03/07
|
|
305 |
Symposium
|
窒素ドープグラフェンの構造安定性に局所的窒素配列が及ぼす影響
|
電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第2回シンポジウム「物性科学から工学へ」
|
|
No
|
千葉紗彩、赤石暁、中村淳
|
2018/03/07
|
|
306 |
Symposium
|
窒素ドープグラフェン上の酸素還元反応の窒素配位依存性
|
電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第2回シンポジウム「物性科学から工学へ」
|
|
No
|
松山治薫、赤石暁、中村淳
|
2018/03/07
|
|
307 |
Symposium
|
Structural stability of the Se-treated GaAs(111)B surface
|
電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第2回シンポジウム「物性科学から工学へ」
|
|
No
|
後藤俊治、中村淳
|
2018/03/07
|
|
308 |
Symposium
|
LiMO2(M=Mn,Co,Ni)の熱力学的安定性および磁気的特性の第一原理計算による評価
|
電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第2回シンポジウム「物性科学から工学へ」
|
|
No
|
宮本惇、中村淳
|
2018/03/07
|
|
309 |
Symposium
|
Formation of Water Bilayer on Graphene Surfaces
|
45th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-45)
|
|
Yes
|
A. Akaishi and J. Nakamura
|
2018/01/16
|
|
310 |
Symposium
|
Quantitative Relation between the Structural Stability and the Aromaticity of Graphene Nanoflakes
|
45th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-45)
|
|
Yes
|
M.Ushirozako, H. Matsuyama, A. Akaishi, and J. Nakamura
|
2018/01/16
|
|
311 |
Symposium
|
Effect s of Edge Structures on the Oxygen Reduction Reaction Activity of Nitrogen-doped Graphene Nanoribbons
|
45th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-45)
|
|
Yes
|
S. Gomi, H. Matsuyama, A. Akaishi, and J. Nakamura
|
2018/01/16
|
|
312 |
Symposium
|
Effect of edge structures on the oxygen reduction reaction activity of nitrogen-doped graphene nanoribbons
|
The Irago Conference 2017
|
|
Yes
|
S. Gomi, H. Matsuyama, A. Akaishi, and J. Nakamura
|
2017/11/01
|
|
313 |
Symposium
|
Relationship between Stability and Aromaticity of Graphene Nanoflakes
|
The Irago Conference 2017
|
|
Yes
|
A. Akaishi, M. Ushirozako, H. Matsuyama, and J. Nakamura
|
2017/11/01
|
|
314 |
Symposium
|
Softly-confined water cluster between free standing graphene sheets
|
The Irago Conference 2017
|
|
Yes
|
R. Agustian, A. Akaishi, and J. Nakamura
|
2017/11/01
|
|
315 |
Symposium
|
Structural stability of the Se-treated GaAs(111)B surface
|
The Irago Conference 2017
|
|
Yes
|
S. Goto, A. Ohtake, A. Akaishi, and J. Nakamura
|
2017/11/01
|
|
316 |
Symposium
|
Oxygen Reduction Reaction on N-doped Graphene Nanoclusters: Dependence on Nitrogen Configuration
|
International Symposium on Novel Energy Nanomaterials, Catalysts and Surfaces for Future Earth (NENCS)
|
|
Yes
|
H. Matsuyama, A. Akaishi, and J. Nakamura
|
2017/10/29
|
|
317 |
Symposium
|
Anomalous Enhancement of Seebeck Coefficients fo the Graphene/h-BN Composites
|
International Symposium on Novel Energy Nanomaterials, Catalysts and Surfaces for Future Earth (NENCS)
|
|
Yes
|
J. Nakamura, and A. Akaishi
|
2017/10/28
|
|
318 |
Symposium
|
Reaction Selectivity for Oxygen Reduction of N-Doped Graphene Nanoclusters
|
232nd ECS Meeting
|
|
Yes
|
H. Matsuyama, A. Akaishi, and J. Nakamura
|
2017/10/01
|
|
319 |
Symposium
|
グラフェン界面の水のダイナミクス
|
電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第1回シンポジウム「表面界面の科学と摩擦」
|
|
No
|
赤石暁、中村淳
|
2017/09/30
|
|
320 |
Symposium
|
Se処理したGaAs(111)B表面の構造安定性
|
電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第1回シンポジウム「表面界面の科学と摩擦」
|
|
No
|
後藤俊治、中村淳
|
2017/09/30
|
|
321 |
Symposium
|
グラフェン層間に拘束された水分子クラスターの動的構造評価
|
電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第1回シンポジウム「表面界面の科学と摩擦」
|
|
No
|
Rifan Agustian、中村淳
|
2017/09/30
|
|
322 |
Symposium
|
窒素ドープグラフェンナノリボンの酸素還元触媒能に及ぼすエッジの効果
|
電気通信大学ナノトライボロジー研究センター第1回シンポジウム「表面界面の科学と摩擦」
|
|
No
|
五味駿一、中村淳
|
2017/09/30
|
|
323 |
Symposium
|
曲率を有するグラフェン表面における水ナノクラスターの吸着特性
|
ナノトライボロジー研究センター開設シンポジウム
|
|
No
|
玉村優佳、赤石暁、中村淳
|
2017/03/08
|
|
324 |
Symposium
|
Se吸着GaAs(111)B表面の構造安定性
|
ナノトライボロジー研究センター開設シンポジウム
|
|
No
|
後藤俊治、赤石暁、中村淳
|
2017/03/08
|
|
325 |
Symposium
|
窒素ドープカイラルエッジグラフェンナノリボンの構造安定性
|
ナノトライボロジー研究センター開設シンポジウム
|
|
No
|
菊地庸介、赤石暁、中村淳
|
2017/03/08
|
|
326 |
Symposium
|
窒素ドープグラフェンナノクラスター上における酸素還元反応の窒素原子位置依存性
|
ナノトライボロジー研究センター開設シンポジウム
|
|
No
|
松山治薫、赤石暁、中村淳
|
2017/03/08
|
|
327 |
Symposium
|
グラフェン上の水2重層構造
|
ナノトライボロジー研究センター開設シンポジウム
|
|
No
|
赤石暁、中村淳
|
2017/03/08
|
|
328 |
Symposium
|
Site-dependent Oxygen Reduction Reaction of N-doped Graphene Nanoclusters
|
44th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-44)
|
|
Yes
|
H. Matsuyama, S.-I. Gomi, M. Ushirozako, A. Akaishi, and J. Nakamura
|
2017/01/16
|
|
329 |
Symposium
|
Mechanism of Stabilization and Magnetization of Impurity-doped Zigzag Graphene Naoribbons
|
44th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-44)
|
|
Yes
|
Y. Uchida, S.-I. Gomi, H. Matsuyama, A. Akaishi, and J. Nakamura
|
2017/01/16
|
|
330 |
Symposium
|
Structural stability of graphene nanoflakes
|
The Irago Conference 2016
|
|
Yes
|
M. Ushirozako, A. Akaishi, and J. Nakamura
|
2016/11/01
|
|
331 |
Symposium
|
Formation of water layers on graphene surfaces
|
The Irago Conference 2016
|
|
Yes
|
A. Akaishi and J. Nakamura
|
2016/11/01
|
|
332 |
Symposium
|
Oxygen reduction reaction on nitrogen-doped graphene nanoribbons
|
The Irago Conference 2016
|
|
Yes
|
S.-I. Gomi, H. Matsuyama, A. Akaishi, and J. Nakamura
|
2016/11/01
|
|
333 |
Symposium
|
Oxygen reduction reaction on nitrogen-doped graphene nanoclusters
|
The Irago Conference 2016
|
|
Yes
|
H. Matsuyama, S. Tanaka, A. Akaishi, and J. Nakamura
|
2016/11/01
|
|
334 |
Symposium
|
Electrical conductivity of the biaxally-strained GaSb
|
The Irago Conference 2016
|
|
Yes
|
H. Kishimoto, T. Hatayama, A. Akaishi, and J. Nakamura
|
2016/11/01
|
|
335 |
Symposium
|
Interfacial water layer on doped graphene surfaces
|
13th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 2016)
|
|
Yes
|
A. Akaishi and J.Nakamura
|
2016/10/12
|
|
336 |
Symposium
|
Structural stability of graphene nanoflakes
|
13th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 2016)
|
|
Yes
|
M.Ushirozako, A. Akaishi, and J.Nakamura
|
2016/10/12
|
|
337 |
Symposium
|
Electrical conductivity of the biaxially-strained GaSb(111) and GaSb(001)
|
13th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN 2016)
|
|
Yes
|
H. Kishimoto, T. Hatayama, A. Akaishi, and J.Nakamura
|
2016/10/12
|
|
338 |
Symposium
|
Electrical conductivity of the biaxially-strained GaSb(111) films
|
The 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2016)
|
|
Yes
|
T. Hatayama, H. Kishimoto, A. Akaishi, and J.Nakamura
|
2016/06/27
|
|
339 |
Symposium
|
窒素ドープグラフェン上における酸素還元反応
|
合同若手研究会 -表面・界面現象の新展開:吸着・物質移動・エネルギー散逸-
|
|
No
|
松山治薫、田中崇太郎、赤石暁、中村淳
|
2016/03/14
|
|
340 |
Symposium
|
GaSb(111)薄膜の電気伝導率の歪み依存性
|
合同若手研究会 -表面・界面現象の新展開:吸着・物質移動・エネルギー散逸-
|
|
No
|
岸本秀輝、畑山拓也、赤石暁、中村淳
|
2016/03/14
|
|
341 |
Symposium
|
Mn吸着GaAs(001)-(2x2)表面の局所無秩序構造
|
合同若手研究会 -表面・界面現象の新展開:吸着・物質移動・エネルギー散逸-
|
|
No
|
船附顕汰、赤石暁、中村淳
|
2016/03/14
|
|
342 |
Symposium
|
Strain effect on the hole effective mass of GaSb: A first-priciples study
|
The Irago Conference 2015
|
|
Yes
|
H.Kishimoto, T.Hatayama, A.Akaishi, and J.Nakamura
|
2015/10/23
|
|
343 |
Symposium
|
First-principles study on locally-disordered structures of the Mn-induced GaAs(001)-(2 x 2) surface
|
The Irago Conference 2015
|
|
Yes
|
K.Funatsuki, A.Akaishi, and J.Nakamura
|
2015/10/23
|
|
344 |
Symposium
|
Conformational stabilization of graphene nanoflakes
|
The Irago Conference 2015
|
|
Yes
|
M.Ushirozako, A.Akaishi, and J.Nakamura
|
2015/10/23
|
|
345 |
Symposium
|
Oxygen reduction reaction on the basal plane of nitrogen-doped graphene: Effects of local arrangement of dopants
|
The Irago Conference 2015
|
|
Yes
|
H.Matsuyama, A.Ichikawa, A.Akaishi, and J.Nakamura
|
2015/10/23
|
|
346 |
Symposium
|
Oxygen Reduction Reaction on Nitrogen-doped Graphene
|
American Vacuum Society 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62)
|
|
Yes
|
J.Nakamura, A.Ichikawa, H.Matsuyama, and A.Akaishi
|
2015/10/21
|
|
347 |
Symposium
|
Edge-state-induced Stabilization of Dopants in Graphene
|
American Vacuum Society 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62)
|
|
Yes
|
Y.Uchida, A.Akaishi, and J.Nakamura
|
2015/10/21
|
|
348 |
Symposium
|
Electronic Structures of the Biaxiallystrained GaSb(111) Films
|
American Vacuum Society 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62)
|
|
Yes
|
T.Hatayama, A.Akaishi, and J.Nakamura
|
2015/10/19
|
|
349 |
Symposium
|
男女共同参画委員会活動報告
|
第13回男女共同参画学協会連絡会シンポジウム
|
|
No
|
小川賀代、近藤高志、沈青、中村淳
|
2015/10/17
|
|
350 |
Symposium
|
Oxygen reduction reaction on the basal plane of nitrogen- doped graphene
|
31st European Conference on Surface Science (ECOSS-2015)
|
|
Yes
|
J.Nakamura, A.Ichikawa, H.Matsuyama, and A.Akaishi
|
2015/09/03
|
|
351 |
Symposium
|
Wettability of graphene surface
|
31st European Conference on Surface Science (ECOSS-2015)
|
|
Yes
|
A.Akaishi and J.Nakamura
|
2015/09/01
|
|
352 |
Symposium
|
Oxygen reduction reaction on the basal plane of nitrogen-doped graphene
|
Graphene Week 2015
|
|
Yes
|
J.Nakamura, A.Ichikawa, H.Matsuyama, and A.Akaishi
|
2015/06/24
|
|
353 |
Symposium
|
Water layers on graphene surface
|
Graphene Week 2015
|
|
Yes
|
A.Akaishi and J.Nakamura
|
2015/06/24
|
|
354 |
Symposium
|
Structural Stability of B-, N-Doped Graphene Nanoribbons
|
7th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, (ISPlasma 2015)
|
|
Yes
|
Y.Uchida, A.Akaishi, and J.Nakamura
|
2015/03/30
|
|
355 |
Symposium
|
Universal Feature of Seebeck Coefficients in Graphene/h-BN Nano-Composites
|
7th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, (ISPlasma 2015)
|
|
Yes
|
Y.Ayako, A.Akaishi, and J.Nakamura
|
2015/03/30
|
|
356 |
Symposium
|
Electrocatalytic Activity for Oxygen Reduction on Nitrogen-Doped Graphene
|
7th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, (ISPlasma 2015)
|
|
Yes
|
A.Ichikawa, A.Akaishi, and J.Nakamura
|
2015/03/30
|
|
357 |
Symposium
|
Giant Seebeck Coefficiens for the Graphene/h-BN Superlattices
|
7th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, (ISPlasma 2015)
|
|
Yes
|
Nakamura and Y.Yokomizo
|
2015/03/28
|
|
358 |
Symposium
|
Catalytic Reduction of Oxygen on Nitrogen-doped Graphene
|
42nd Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces (PCSI-42)
|
|
Yes
|
A.Ichikawa, A.Akaishi, and J.Nakamura
|
2015/01/19
|
|
359 |
Symposium
|
Anomalous Enhancement of Seebeck Coefficients for the Graphene/h-BN Superlattices
|
Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings & Interfaces (pacsurf2014)
|
|
Yes
|
J.Nakamura and Y.Yokomizo
|
2014/12/11
|
|
360 |
Symposium
|
On the Wettability of Graphene
|
Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings & Interfaces (pacsurf2014)
|
|
Yes
|
A.Akaishi, T.Yonemaru, and J.Nakamura
|
2014/12/11
|
|
361 |
Symposium
|
Reduction of Oxygen on Nitrogen-Doped Graphene
|
Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings & Interfaces (pacsurf2014)
|
|
Yes
|
A.Ichikawa, A.Akaishi, and J.Nakamura
|
2014/12/08
|
|
362 |
Symposium
|
Universality of Seebeck Coefficients in Graphene/h-BN Nano-Composites
|
Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings & Interfaces (pacsurf2014)
|
|
Yes
|
Y.Ayako, A.Akaishi, and J.Nakamura
|
2014/12/08
|
|
363 |
Symposium
|
Configurational Disorder of Mn-induced (2x2) Reconstruction on GaAs(001)
|
18th International Conference on Molecular Beam Expitaxy (MBE2014)
|
|
Yes
|
A.Hagiwara, A.Ohtake, and J.Nakamura
|
2014/09/11
|
|
364 |
Symposium
|
Giant Seebeck Coefficients of the Graphene/h-BN Superlattices
|
41st Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces (PCSI-41)
|
|
Yes
|
Y.Yokomizo and J.Nakamura
|
2014/01
|
|
365 |
Symposium
|
Structural stability and electronic structure of boron- or nitrogen-doped graphene
|
American Vacuum Society 60th International Symposium & Exhibition (AVS-60)
|
|
Yes
|
T.Umeki and J.Nakamura
|
2013/10
|
|
366 |
Symposium
|
Giant Seebeck coefficients of graphene/BN superlattices
|
The 7th International Conference on the Fundamental Science of Graphene and Applications of Graphene-Based Devices (Graphene Week 2013)
|
|
Yes
|
Y.Yokomizo and J.Nakamura
|
2013/06
|
|
367 |
Symposium
|
Ferromagnetic coupling between Mn atoms on the GaAs(110) surface
|
The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-2013)
|
|
Yes
|
M.Hirayama, J.Nakamura, and S.Tsukamoto
|
2013/05
|
|
368 |
Symposium
|
Effects of surface geometry on the wettability of water on graphene
|
40th Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces (PCSI-40)
|
|
Yes
|
H.Yonemaru, H.Shimizu, and J.Nakamura
|
2013/01
|
|
369 |
Symposium
|
Incorporation of Cr or Mn at the GaAs(001)-c(4x4)a surface
|
40th Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces (PCSI-40)
|
|
Yes
|
K.Okukita, A.Hagiwara, A.Ohtake, and J.Nakamura
|
2013/01
|
|
370 |
Symposium
|
Ballistic phonon thermal conductance in graphene nano-ribbon
|
40th Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces (PCSI-40)
|
|
Yes
|
H.Tomita and J.Nakamura
|
2013/01
|
|
371 |
Symposium
|
Atomic Arrangements and structural stability of the Mn adsorbed GaAs(001) surfaces
|
American Vacuum Society 59th International Symposium & Exhibition (AVS-59)
|
|
Yes
|
A.Hagiwara, A.Ohtake, Y.Kanno, S.Yasumura, and J.Nakamura
|
2012/10
|
|
372 |
Symposium
|
Structural stability and electronic states of Cr or Mn on GaAs(001)-c(4x4)
|
The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012)
|
|
Yes
|
K.Okukita and J.Nakamura
|
2012/09
|
|
373 |
Symposium
|
Ballistic phonon thermal conductancein Graphene Nano-Ribbon: First-principles calculations
|
31st International conference on the physics of Semiconductors (ICPS 2012)
|
|
Yes
|
Jun Nakamura and Hiroki Tomita
|
2012/07
|
|
374 |
Symposium
|
Ballistic phonon thermal conductivity of graphene nano-ribbons
|
International Conference of New Science Created by Materials with Nano Spaces: from Fundamentals to Applications
|
|
No
|
H.Tomita and J.Nakamura
|
2011/11
|
|
375 |
Symposium
|
Optical characteristics of novel two-dimensional carbon materials; A possibility of ultra-transparent materials
|
2011 MRS Fall Meeting
|
|
Yes
|
Y.Yokomizo and J.Nakamura
|
2011/11
|
|
376 |
Symposium
|
First-principles approach to ballistic phonon thermal conductivity in Graphene Nano-Ribbon
|
2011 MRS Fall Meeting
|
|
Yes
|
H.Tomita and J.Nakamura
|
2011/11
|
|
377 |
Symposium
|
Local profile of the dielectric constant near the oxygen vacancy in the GeO2 films
|
AVS 58th International Symposium & Exhibition
|
|
Yes
|
Jun Nakamura and Masahiro Tamura
|
2011/11
|
|
378 |
Symposium
|
Electronic and magnetic properties of chemically‐derived graphene nano-ribbon
|
22nd European Conference on Diamond (Diamond 2011)
|
|
No
|
Y.Fujii, H.Tomita, and J.Nakamura
|
2011/09
|
|
379 |
Symposium
|
Mn-induced surface reconstructions on GaAs(001)
|
38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-2011)
|
|
Yes
|
A.Ohtake, M.Hirayama, Y.Kanno, and J.Nakamura
|
2011/05
|
|
380 |
Symposium
|
Band and Dielectric Discontinuities of the Si1-xGe/Si1-yCy Superlattices
|
American Vacuum Society 57th International Symposium & Exhibition (AVS-57)
|
|
Yes
|
T.Ohsugi and J.Nakamura
|
2010/10
|
|
381 |
Symposium
|
Electronic and Magnetic Properties of Functionalized Graphene
|
American Vacuum Society 57th International Symposium & Exhibition (AVS-57)
|
|
Yes
|
Y.Fujii and J.Nakamura
|
2010/10
|
|
382 |
Symposium
|
Percolation properties of nanotube/polymer composites
|
18th International Vacuum Congress (IVC-18)
|
|
Yes
|
N.Ainoya, J.Nakamura, and A.Natori
|
2010/08
|
|
383 |
Symposium
|
Local profile of dielectric constants near the oxygen vacancy in GeO2
|
International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics (ISTESNE)
|
|
Yes
|
M.Tamura, J.Nakamura, and A.Natori
|
2010/06
|
|
384 |
Symposium
|
Magnetic coupling between Mn atoms on GaAs(110)
|
The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-37)
|
|
Yes
|
M.Hirayama, J.Nakamura, and A.Natori
|
2010/06
|
|
385 |
Symposium
|
Evaluation of the local dielectric constant near the oxygen vacancy for the defective HfO2 and SiO2 films
|
The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-37)
|
|
Yes
|
S.Wakui, J.Nakamura, and A.Natori
|
2010/06
|
|
386 |
Symposium
|
Structural and electronic properties of “oxidized” carbon-nanocylinder
|
The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-37)
|
|
Yes
|
Y.Fujii, J.Nakamura, and A.Natori
|
2010/06
|
|
387 |
Symposium
|
HfO2/La2O3超薄膜の誘電特性
|
シリコンナノエレクトロニクスの新展開-ポストスケーリングテクノロジー第3回成果報告会
|
|
No
|
涌井貞一、谷内良亮、中村淳 、名取晃子
|
2009/01
|
|
388 |
Symposium
|
GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子鎖のスピン状態と電子状態
|
The 13th Symposium on the Physics and Application of Spin-Related Phenomena in Semiconductors (PASPS13)
|
|
No
|
平山基、中村淳、名取晃子
|
2009/01
|
|
389 |
Symposium
|
Activities of the Japan Society of Applied Physics (JSAP)
|
The 3rd IUPAP International Conference on Women in Physics 2008
|
|
No
|
Activities of the Japan Society of Applied Physics (JSAP) The 3rd IUPAP International Conference on Women in Physics 2008, Oct. 2008 (Seoul, Korea) K.Ishikawa, M.N-.Gamo, K.Ishikawa, M.O.Watanabe, Y.Toyama, H.Iijima, K.Ito, J.Nakamura, and K.Kodate
|
2008/10
|
|
390 |
Symposium
|
Polytype dependence of permittivity of SiC films
|
14th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-14)
|
|
Yes
|
J.Nakamura, K-H.Sato, Y.Iwasaki, S.Wakui, and A.Natori
|
2008/07
|
|
391 |
Symposium
|
Anomalous enhancement of the local dielectric constant near defects in SiO2
|
14th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-14)
|
|
Yes
|
S.Wakui, J.Nakamura, and A.Natori
|
2008/07
|
|
392 |
Symposium
|
First-principles calculations on STM images for subsurface dopants: tip-induced band-bending and dependence on dopant species
|
14th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-14)
|
|
Yes
|
M.Hirayama, J.Nakamura, and A.Natori
|
2008/06
|
|
393 |
Symposium
|
Atomic-scale friction of nanometer-sized contacts
|
14th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-14)
|
|
Yes
|
M.Igarashi, J.Nakamura, and A.Natori
|
2008/06
|
|
394 |
Symposium
|
欠陥のあるSiO2/Si(001)界面・SiO2超薄膜の局所誘電率評価
|
シリコンナノエレクトロニクスの新展開-特定領域研究ポストスケール第2回成果報告会
|
|
No
|
涌井貞一、中村淳 、名取晃子
|
2008/03
|
|
395 |
Symposium
|
Band-bending effects on STM images for subsurface dopants
|
15th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy
|
|
Yes
|
Motoi Hirayama, Jun Nakamura, Akiko Natori
|
2007/12
|
|
396 |
Symposium
|
Dielectic properties of the interface between Si adn SiO2
|
5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI2007)
|
|
Yes
|
S.Wakui, J.Nakamura, and A.Natori
|
2007/11
|
|
397 |
Symposium
|
Mechanism of velocity saturation of atomic friction force and the dynamic superlubricity
|
International Conference on Nano Science and Technology (ICN+T 2007)
|
|
Yes
|
J.Nakamura, J.Ito, and A.Natori
|
2007/07
|
|
398 |
Symposium
|
STM simulations for B- and P-doped Si(111) surfaces
|
International Conference on Nano Science and Technology (ICN+T 2007)
|
|
Yes
|
M.Hirayama, J.Nakamura and A.Natori
|
2007/07
|
|
399 |
Symposium
|
Mechanism of velocity saturation and lateral resonance in atomic-scale sliding friction
|
International Conference on Nano Science and Technology (ICN+T 2007)
|
|
Yes
|
M.Igarashi, J.Nakamura and A.Natori
|
2007/07
|
|
400 |
Symposium
|
ac conductivity and dielectric constant of conductor-insulator composites
|
6th International IEEE Conference on Polymers and Adhesives in Microelectronics and Photonics (Polytronic 2006)
|
|
Yes
|
Y.Koyama, T.B.Murutanto, J.Nakamura, A.Natori
|
2007/01
|
|
401 |
Symposium
|
Mechanism of velocity saturation of atomic friction force and the dynamic superlubricity at torsional resonance
|
The 14th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM-14)
|
|
Yes
|
M.Igarashi, J.Nakamura and A.Natori
|
2006/12
|
|
402 |
Symposium
|
STM simulations for B- and P-doped Si(111) surfaces
|
The 14th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM-14)
|
|
Yes
|
H.Hirayama, J.Nakamura and A.Natori
|
2006/12
|
|
403 |
Symposium
|
Charge correlation and spin coupling in double quantum dots
|
ICPS-28 (28th International Conference on the Physics of Semiconductors)
|
|
Yes
|
Hyuga Masu, Jun Nakamura, and Akiko Natori
|
2006/07
|
|
404 |
Symposium
|
Dielectric discontinuity at a twin boundary in Si(111)
|
ICPS-28 (28th International Conference on the Physics of Semiconductors)
|
|
Yes
|
Jun Nakamura and Akiko Natori
|
2006/07
|
|
405 |
Workshop
|
Carbonaceous material derived from bagasse-waste as anode for Li-ion batteries
|
The 2nd ECTI Workshop on BEC and the 3rd ASEAN-UEC Workshop
|
|
Yes
|
Arikasuci Fitonna Ridassepri, Fitria Rahmawati, Agung Tri Wijayanta, and Jun Nakamura
|
2021/12/10
|
|
406 |
Workshop
|
カルコゲンによるGaAs表面の不働態化機構
|
東京理科大学ナノカーボン研究部⾨2018年度成果報告会&第4回東京理科大学-電気通信大学合同研究会
|
|
No
|
中村淳
|
2019/03/01
|
|
407 |
Workshop
|
GaAs(111)B表面構造の分子分圧依存性
|
東京理科大学ナノカーボン研究部⾨2018年度成果報告会&第4回東京理科大学-電気通信大学合同研究会
|
|
No
|
須賀隆之、後藤俊治、中村淳
|
2019/03/01
|
|
408 |
Workshop
|
Structural stability of the Se- or S-treated GaAs (111) B surface
|
東京理科大学ナノカーボン研究部⾨2018年度成果報告会&第4回東京理科大学-電気通信大学合同研究会
|
|
No
|
後藤俊治、中村淳
|
2019/03/01
|
|
409 |
Workshop
|
Oxygen Reduction Reaction on Fullerene
|
東京理科大学ナノカーボン研究部⾨2018年度成果報告会&第4回東京理科大学-電気通信大学合同研究会
|
|
No
|
菊地庸介、中村淳
|
2019/03/01
|
|
410 |
Workshop
|
Intra- and inter-layer magnetic interactions in a van der Waals crystal
|
The 6th International Workshop on Solution Plasma and Molecdular Technology (SPM6)
|
|
Yes
|
M. Kawashima, A. Akaishi, and J. Nakamura
|
2018/06/05
|
|
411 |
Workshop
|
Systematic evaluation of the structural stability of N-doped graphene
|
The 6th International Workshop on Solution Plasma and Molecdular Technology (SPM6)
|
|
Yes
|
S. Chiba and J. Nakamura
|
2018/06/05
|
|
412 |
Workshop
|
Edge-state-induced stacking of zigzag graphene nano-ribbons
|
The 6th International Workshop on Solution Plasma and Molecdular Technology (SPM6)
|
|
Yes
|
T. Asano and J. Nakamura
|
2018/06/05
|
|
413 |
Workshop
|
Two- to Three-Dimentional Transition of Softly Confined Water Between Graphene Sheets
|
The 5th International Workshop on Solution Plasma and Molecdular Technology (SPM5)
|
|
No
|
R. Agustian, A. Akaishi, and J. Nakamura
|
2017/06/27
|
|
414 |
Workshop
|
Water adsorption on doped graphene surfaces
|
4th International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-4)
|
O3
|
Yes
|
A. Akaishi and J.Nakamura
|
2016/06/09
|
|
415 |
Workshop
|
Effects of edge structures on oxygen reduction reaction for nitrogen-doped graphene nanoclusters
|
4th International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-4)
|
MN5
|
Yes
|
H.Matsuyama, S.Tanaka, A.Akaishi and J.Nakamura
|
2016/06/08
|
|
416 |
Workshop
|
Double-layer structure of water molecules on the graphene surface
|
3rd International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-3)
|
|
No
|
A.Akaishi and J.Nakamura
|
2015/05/08
|
|
417 |
Workshop
|
Catalytic reaction of oxygen on nitrogen-doped graphene
|
3rd International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-3)
|
|
No
|
H.Matsuyama, A.Ichikawa, A.Akaishi, and J.Nakamura
|
2015/05/06
|
|
418 |
Workshop
|
Structural stability of B-, N-doped zigzag graphene nanoribbons
|
2nd International Workshop on Solution Pasma and Molecular Technologies (SPM-2),
|
P7
|
No
|
Y. Uchida, A. Akaishi, and J.Nakamura
|
2014/05/15
|
|
419 |
Workshop
|
Seebeck coefficients of graphene/h-BN nano-composites
|
2nd International Workshop on Solution Pasma and Molecular Technologies (SPM-2)
|
P5
|
No
|
Y. Ayako, A. Akaishi, and J.Nakamura
|
2014/05/15
|
|
420 |
Workshop
|
Graphite is hydrophobic, or not?
|
2nd International Workshop on Solution Pasma and Molecular Technologies (SPM-2)
|
P2
|
No
|
T. Yonemaru, A. Akaishi, and J.Nakamura
|
2014/05/15
|
|
421 |
Workshop
|
Adsorption profiles of oxygen molecule on nitrogen-doped graphne
|
2nd International Workshop on Solution Pasma and Molecular Technologies (SPM-2)
|
P1
|
No
|
A. Ichikawa, A. Akaishi, and J.Nakamura
|
2014/05/15
|
|
422 |
Workshop
|
Giant Seebeck effect of graphene/BN superlattices
|
1st International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-1)
|
|
No
|
Y.Yokomizo and J.Nakamura
|
2013/03
|
|
423 |
Workshop
|
First-pinciples study on the structural stability of boron- and nitrogen-doped graphene
|
1st International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-1)
|
|
No
|
T.Umeki and J.Nakamura
|
2013/03
|
|
424 |
Workshop
|
Effects of surface geometry on the wettability of water on graphene
|
1st International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-1)
|
|
No
|
H.Yonemaru, H.Shimizu, and J.Nakamura
|
2013/03
|
|
425 |
Workshop
|
SiCポリタイプにおける誘電率の空間的変調
|
配列ナノ空間を利用した新物質科学 ユビキタス元素戦略 第7回領域会議
|
|
No
|
大杉拓也、中村淳
|
2011/01
|
|
426 |
Workshop
|
ホモマテリアルヘテロ界面の周期配列制御によるメタマテリアルの創製
|
「配列ナノ空間を利用した新物質科学 ユビキタス元素戦略」第6回領域会議
|
|
No
|
中村淳
|
2010/05
|
|
427 |
Workshop
|
BN結晶多形を利用したホモマテリアル・ヘテロ構造の電子状態
|
「配列ナノ空間を利用した新物質科学 ユビキタス元素戦略」第6回領域会議
|
|
No
|
加藤豪、中村淳
|
2010/05
|
|
428 |
Workshop
|
GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子鎖のスピン状態
|
第4回量子ナノ材料セミナー
|
|
No
|
平山基、中村淳、名取晃子
|
2008/07
|
|
429 |
Workshop
|
不純物ドープSi(111)表面の第一原理STMシミュレーション:探針誘起バンドベンディング効果と不純物種依存性
|
第7回ドーパント計測研究会
|
|
No
|
平山基、中村淳、名取晃子
|
2008/03
|
|
430 |
Workshop
|
SiO2/Si(001)界面のナノスケール誘電特性
|
ゲートスタック研究会第12回研究会
|
|
Yes
|
涌井貞一、中村淳、名取晃子
|
2007/02
|
|
431 |
Workshop
|
B/PドープSi(111)表面のSTM像の第一原理シミュレーション
|
第6回ドーパント計測研究会
|
|
No
|
平山基、中村淳、名取晃子
|
2007/01
|
|
432 |
Workshop
|
First-principles calculation of electrostatic property of the interface: Ultra-thin Al/Si(111)
|
2006 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices - Science and Technology
|
|
Yes
|
Tomo Shimizu, Kenji Natori, Jun Nakamura, and Akiko Natori
|
2006/11
|
|
433 |
Workshop
|
Deielectproperties of the interface between Si and SiO2
|
2006 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices - Science and Technology
|
|
Yes
|
Sadakazu Wakui, Jun Nakamura, Akiko Natori
|
2006/11
|
|
434 |
Workshop
|
原子摩擦力の速度飽和と共鳴減少
|
第二回摩擦、トライボロジー、ダイナミクス若手夏の学校
|
|
No
|
五十嵐正典、中村淳、名取晃子
|
2006/09
|
|
435 |
Workshop
|
超薄膜の誘電特性
|
|
|
No
|
中村淳
|
2004/06
|
|
436 |
Keynote speech for an international conference
|
Structural stability of graphene nanoflakes: from the view point of aromaticity
|
Sociedad Mexicana de Física, LXII Congreso Nacional de Física
|
|
No
|
Jun Nakamura
|
2019/10/11
|
|
437 |
Keynote speech for an international conference
|
Water wettability of graphene
|
Sociedad Mexicana de Física Reunión Anual de la División de Estado Sólido 2019
|
|
No
|
Jun Nakamura
|
2019/05/02
|
|
438 |
Invited lecture for an international conference
|
Formation of Water Layer on Graphene Surfaces
|
International Symposium of Water Frontier Science & Technology Research Center, Water on Materials Surface 2018 (WMS2018)
|
|
No
|
Jun Nakamura
|
2018/07/27
|
URL
|
439 |
Invited lecture for an international conference
|
Water layer formation on graphene
|
The 6th International Workshop on Solution Plasma and Molecdular Technology (SPM6)
|
|
Yes
|
Jun Nakamura
|
2018/06/05
|
|
440 |
Invited lecture for an international conference
|
Structural Stability of Graphene Nanoflakes: from the View Point of Aromaticity
|
The 5th International Workshop on Solution Plasma and Molecdular Technology (SPM5)
|
|
No
|
J. Nakamura, M. Ushirozako, H. Matsuyama, and A. Akaishi
|
2017/06/29
|
|
441 |
Invited lecture for an international conference
|
Mechanism of Stabilization and Magnetization of Impurity-doped Zigzag Graphene Nanoribbons
|
4th International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-4)
|
|
No
|
J.Nakamura, Y.Uchida, S.Gomi, H.Matsuyama, and A.Akaishi
|
2016/06/09
|
|
442 |
Invited lecture for an international conference
|
Anomalous enhancement of Seebeck coefficients for the graphene/h-BN composites
|
EMN Meeting on Carbon Nanostructures
|
|
No
|
Jun Nakamura and Yushi Yokomizo
|
2016/03/29
|
|
443 |
Invited lecture for an international conference
|
Layered Water on Graphene Surfaces
|
2015 EMN Bangkok Meeting
|
|
No
|
A.Akaishi and J.Nakamura
|
2015/11/10
|
|
444 |
Invited lecture for an international conference
|
First-principles Evaluation of The Oxygen Reduction Reaction on Nitrogen-doped Graphene
|
2015 EMN Bangkok Meeting
|
|
No
|
J.Nakamura, A.Ichikawa, H.Matsuyama, and A.Akaishi
|
2015/11/10
|
|
445 |
Invited lecture for an international conference
|
Oxygen reduction reaction on nitrogen-doped graphene
|
3rd International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-3)
|
|
No
|
Jun Nakamura
|
2015/05/07
|
|
446 |
Invited lecture for an international conference
|
Recent development of droplet epitaxy in NIMS: InAs QDs on InP(111)A for telecom-application and reconstruction-dependent Ga droplet formation on GaAs (100)
|
2nd Workshop Droplet Epitaxy of Semiconductor Nanostructures
|
|
No
|
T.Mano, A.Ohtake, T.Kuroda, H.Neul, X.Liu, K.Mitsuishi, A.Hagiwara, J.Nakamura, A.Castellano, S.Sanguinetti, T.Noda, Y. Sakuma, and K.Sakoda
|
2014/05/16
|
|
447 |
Invited lecture for an international conference
|
Anomalous enhancement of Seebeck coefficients for the graphene/h-BN superlattices
|
2nd International Workshop on Solution Pasma and Molecular Technologies (SPM-2)
|
|
Yes
|
J. Nakamura and Y. Yokomizo
|
2014/05/16
|
|
448 |
Invited lecture for an international conference
|
First-principles approach to the ballistic phonon thermal transport in graphene nano-ribbons
|
1st International Workshop on Solution Plasma and Molecular Technologies (SPM-1)
|
|
No
|
J.Nakamura and H.Tomita
|
2013/03
|
|
449 |
Invited lecture for an international conference
|
First-principles evaluation of the local dielectric properties of GeO2 ultrathin films
|
15th International Conference on Thin Films (ICTF-15)
|
|
No
|
Jun Nakamura
|
2011/11
|
|
450 |
Invited lecture for an international conference
|
Nano-materials design by first-principles calculations
|
5th Japanese-French Frontiers of Science Symposium (JFFoS-5)
|
|
No
|
Jun Nakamura
|
2011/01
|
|
451 |
Invited lecture for an international conference
|
Inter-wire coupling of the Ga-substituted Mn atomic wire on GaAs(110)
|
2nd International Workshop on Epitaxial growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano 2009)
|
|
No
|
Motoi Hirayama, Jun Nakamura, and Akiko Natori
|
2009/08
|
|
452 |
Invited lecture for an international conference
|
Nano-scale profile of the dielectric constant near surfaces and interfaces: A first-principles approach
|
2nd International Workshop on Epitaxial growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano 2009)
|
|
No
|
Jun Nakamura
|
2009/08
|
|
453 |
Invited lecture for an international conference
|
Nano-scale profile of the dielectric constant near the Si/Oxide interface: A first-principles approach
|
212th Electrochemical society (ECS-212)
|
|
No
|
Jun Nakamura
|
2007/10
|
|
454 |
Invited lecture for an international conference
|
First-principles evaluations of dielectric properties from nano-scale of points of view
|
8th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT-8)
|
|
No
|
Jun Nakamura, Sadakazu Wakui, Akiko Natori
|
2006/10
|
|
455 |
Invited lecture for an international conference
|
First-Principles evaluations of dielectric constants
|
IEEE-EDS International Workshop on Nano CMOS
|
|
No
|
J.Nakamura, S.Wakui, and A.Natori
|
2006/01
|
|
456 |
Invited lecture for an international conference
|
Interface Structural analysis using medium-energy coaxial impact-collision ion scattering spectroscopy
|
|
|
No
|
H.Sone, T.Kobayashi, G.Dorenbos, J.Nakamura, M.Aono, C.F.McConville
|
2000
|
|
457 |
Invited lecture for an international conference
|
Structure and electronic states for a double strand of Au atoms
|
24th Relativity Workshop: The Society for Discrete Variational Xa
|
|
No
|
J.Nakamura
|
1999/09
|
|
458 |
Keynote speech for a domestic conference
|
グラフェンは疎水性か?
|
第32回ダイヤモンドシンポジウム
|
|
No
|
中村淳
|
2018/11/15
|
|
459 |
Keynote speech for a domestic conference
|
電気通信大学における専門教育としてのキャリア教育実践例 『エンジニアリングデザイン』を通した社会人基礎力養成
|
第4回新任教員研修セミナー
|
|
No
|
中村淳
|
2014/09/01
|
|
460 |
Keynote speech for a domestic conference
|
学会における人材育成
|
シンポジウム:キャリアデザインと学会活動―出会える人・テーマ・チャンス―
|
|
No
|
中村淳
|
2011/03
|
|
461 |
Keynote speech for a domestic conference
|
「博士のキャリア相談会」で考えさせられたこと:若手は学会に何を望む?
|
博士のキャリアデザイン(第71回応用物理学会学術講演会パネル討論会)
|
|
No
|
中村淳
|
2010/09
|
|
462 |
Keynote speech for a domestic conference
|
学会における若手支援の取り組み
|
「医学物理士が切り拓く最新放射線がん治療」(第71回応用物理学会学術講演会シンポジウム)
|
|
No
|
中村淳
|
2010/09
|
|
463 |
Keynote speech for a domestic conference
|
最先端表面研究が切り拓くナノエレクトロニクスのブレークスルー原子レベルから環境にやさしく
|
第28回表面科学学術講演会
|
|
No
|
中村淳
|
2008/11
|
|
464 |
Keynote speech for a domestic conference
|
ポスドク制度の実態報告
|
|
|
No
|
中村淳
|
2004/09
|
|
465 |
Keynote speech for a domestic conference
|
ポスドク・任期付き技術者/研究者の現状と将来像
|
|
|
No
|
中村淳
|
2003/09
|
|
466 |
Invited lecture for a domestic conference
|
有限電場下の第一原理計算による局所誘電率評価の試み
|
東北大学電気通信研究所講演会
|
|
No
|
中村淳
|
2021/07/15
|
|
467 |
Invited lecture for a domestic conference
|
グラフェンは疎水性か?
|
千葉大学物性セミナー
|
|
No
|
中村淳
|
2018/11/08
|
|
468 |
Invited lecture for a domestic conference
|
グラフェン表面における水の吸着と構造化
|
日本化学会第97春季年会
|
|
No
|
赤石暁、中村淳
|
2017/03/16
|
|
469 |
Invited lecture for a domestic conference
|
グラフェンナノリボンの物性
|
日本磁気学会 第62回磁気工学専門研究会
|
|
No
|
中村淳
|
2016/11/18
|
|
470 |
Invited lecture for a domestic conference
|
グラフェン表面における水の吸着と構造
|
合同若手研究会 -表面・界面現象の新展開:吸着・物質移動・エネルギー散逸-
|
|
No
|
赤石暁、中村淳
|
2016/03/14
|
|
471 |
Invited lecture for a domestic conference
|
グラフェンおよびグラフェンナノリボンのバリスティックフォノン熱伝導
|
第35回表面科学学術講演会
|
|
No
|
中村淳
|
2015/12/01
|
|
472 |
Invited lecture for a domestic conference
|
熱電変換材料としてのナノカーボンのポテンシャル
|
東京理科大学総合研究機構ナノカーボン研究部門ワークショップ 実験と理論の強調によるナノ空間・ナノ物質研究の最前線
|
|
No
|
中村淳
|
2014/11/25
|
|
473 |
Invited lecture for a domestic conference
|
グラフェンナノリボンのバリスティック熱伝導特性
|
第1回ナノトライボロジーワークショップ
|
|
No
|
中村淳
|
2014/09/30
|
|
474 |
Invited lecture for a domestic conference
|
第一原理計算の考え方とその応用 〜熱電変換材料としてのグラフェン誘導体の可能性〜
|
日亜化学工業セミナー
|
|
No
|
中村淳
|
2014/09/26
|
|
475 |
Invited lecture for a domestic conference
|
Anomalous enhancement of Seebeck coefficients for the graphene/h-BN superlattices
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日本表面科学会摩擦の科学研究部会
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No
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中村 淳
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2014/05/24
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476 |
Invited lecture for a domestic conference
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グラフェンナノリボンの熱伝導特性:第一原理計算からのアプローチ
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24th International Seminar in Nichia Course, Anan National College of Technology
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No
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中村淳
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2013/01
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477 |
Invited lecture for a domestic conference
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第一原理計算を用いた原子レベル物質設計:計算機シミュレーションで探るナノスケールの世界
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19th International Seminar in Nichia Course, Anan National College of Technology
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No
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中村淳
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2012/06
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478 |
Invited lecture for a domestic conference
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グラフェン誘導体の構造と電子状態:第一原理計算を用いた物質設計
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日亜化学工業セミナー
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No
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中村淳
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2011/03
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479 |
Invited lecture for a domestic conference
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有限電界下の第一原理計算による局所誘電率評価の試み
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物質・材料研究機構第87回QDRセミナー
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No
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中村淳
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2009/12
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480 |
Invited lecture for a domestic conference
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応用物理学会における人材育成と男女共同参画の取り組み
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東京工業大学理工系女性研究者プロモーションプログラム講演会
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No
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中村淳
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2009/01
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481 |
Invited lecture for a domestic conference
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Si/酸化物界面近傍における誘電率の空間分布:第一原理計算による評価
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東京大学物性研究所客員所員講演会
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No
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中村淳
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2008/04
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482 |
Invited lecture for a domestic conference
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(グラフェンの応用物性)グラフェンの酸化とコンポジット材料
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第55回応用物理学関係連合講演会
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No
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中村淳、伊藤潤、尾越勇太、名取晃子
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2008/03
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483 |
Invited lecture for a domestic conference
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1次元Tomlinsonモデルを用いた原子レベル摩擦機構の解明
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豊田理化学研究所・特定課題研究「ナノトライボロジー」平成19年度第一回研究会
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No
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中村淳
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2007/06
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484 |
Invited lecture for a domestic conference
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有限温度原子レベル摩擦機構~1次元Tomlinsonモデルによる解析~
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日本物理学会2007年春季大会シンポジウム:ナノスコピック系の摩擦の物理:摩擦の素過程と制御
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No
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中村淳
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2007/03
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485 |
Invited lecture for a domestic conference
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外部電場はSi(001)面の表面超構造を変化させるか?
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第1回NIMSナノ計測センターシンポジウム「半導体表面における構造と物性の新展開 - Si(001)とGe(001)表面を中心として -」
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No
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中村淳
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2007/02
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486 |
Invited lecture for a domestic conference
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第一原理計算に基づく絶縁超薄膜誘電率の理論的解析
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Nano CMOS 今後15年の展望とその技術課題
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No
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中村淳
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2006/09
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487 |
Invited lecture for a domestic conference
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科学技術人材のキャリアパス
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No
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中村淳
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2004/11
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488 |
Invited lecture for a domestic conference
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超薄膜の誘電特性
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No
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中村淳
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2004/06
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489 |
Invited lecture for a domestic conference
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MEISとSTMによる表面応力・歪の異方性の観察
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No
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住友弘二、Zhaohui Zhang、中村淳、尾身博雄、荻野俊郎、名取晃子
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2003/12
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490 |
Invited lecture for a domestic conference
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GaAs(111)A-2x2表面の構造安定性とその電子論的起源
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No
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中村淳、大坂敏明
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1996/08
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491 |
Other committee report, or the like
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「学会における若手人材育成―ト応物があなたのキャリアデザインを応援します―」報告
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人材育成・男女共同参画委員会、刊行委員会、JJAP/APEX編集委員会,応用物理
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No
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庄司一郎、石榑崇明、中村淳、小舘香椎子、岩本光正、河野明廣
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2009/04
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492 |
Other committee report, or the like
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博士のキャリア相談会―トライアル開催の報告―
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応用物理学会人材育成・男女共同参画委員会,応用物理
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No
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中村淳、小舘香椎子
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2008/11
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493 |
Other committee report, or the like
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人材育成・男女共同参画第8回ミーティング報告「博士『後』のキャリアを考える2」
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応用物理学会 人材育成・男女共同参画委員会,応用物理 77, 581 (2008)
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No
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津村徳道、中村淳、庄司一郎、坂野井和代
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2008/05
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494 |
Other committee report, or the like
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人材育成・男女共同参画第8回ミーティング報告「博士『後』のキャリアを考える」
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応用物理学会 人材育成・男女共同参画委員会,応用物理
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No
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坂野井和代、中村淳、庄司一郎、近藤高志
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2006/12
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495 |
Other committee report, or the like
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若手からの提言「多様化するライフスタイルとキャリアプラン」
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応用物理
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73/ 12
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Yes
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中村淳、青木画奈
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2004/12
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496 |
Other committee report, or the like
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男女共同参画第5回ミーティング「若手技術者・研究者の多様なキャリアパス」を通して
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応用物理
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73/ 2
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No
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高井まどか、川原田洋、中村淳、青木画奈
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2004/02
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497 |
Other committee report, or the like
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男女共同参画学協会連絡会1周年記念行事 分科会「任期付きポストに関して」報告
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応用物理
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73/ 1
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No
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近藤高志、高井まどか、中村淳、青木画奈、辻佳子
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2004/01
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498 |
Other committee report, or the like
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Structural stability and its electronic origin of the GaAs(111)A-2x2 surface
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Bulletin of the Society for Discrete Variational Xa
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9
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No
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J.Nakamura, H.Nakajima, and T.Osaka
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1996
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499 |
Other committee report, or the like
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Chemical bonding features of the GaAs{111} polar interface
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Bulletin of the Society for Discrete Variational Xa
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8
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No
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J.Nakamura and T.Osaka
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1995
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500 |
Other committee report, or the like
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Effect of Sb on pseudomorphic growth of Ge on Si(111)
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Bulletin of the Society for Discrete Variational Xa
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7
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No
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J.Nakamura, H.Konogi, and T.Osaka
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1994
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501 |
Other committee report, or the like
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Charge transfer mechanism in the incommensurately grown monolayer graphite on the Si-terminated SiC(111) surface
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Bulletin of the Society for Discrete Variational Xa
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6
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No
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J.Nakamura, H.Konogi, and T.Osaka
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1993
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502 |
Other committee report, or the like
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四面体型CX4(X=F,Cl,Br,I)分子における正味の電荷移動
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Bulletin of the Society for Discrete Variational Xa
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5
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No
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H.Konogi, J.Nakamura, T.Nakada, K.Yamamoto, and T.Osaka
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1992
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503 |
Other committee report, or the like
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炭素内殻準位シフトに及ぼす電荷移動の効果
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Bulletin of the Society for Discrete Variational Xa
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5
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No
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H.Sato, K.Yamamoto, J.Nakamura, and T.Osaka
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1992
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504 |
Other committee report, or the like
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Ni(111)上の単原子層グラファイトの電子構造
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Bulletin of the Society for Discrete Variational Xa
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4
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No
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K.Yamamoto, F.Fukushima, C.Serizawa, J.Nakamura, C.Oshima, T.Osaka, Y.Hayafuji, H.Kimura, and R.Takeishi
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1991
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505 |
Other committee report, or the like
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化学結合の効果を考慮した原子散乱因子の計算
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Bulletin of the Society for Discrete Variational Xa
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4
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No
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J.Nakamura, K.Yamamoto, C.Serizawa, T.Osaka, Y.Hayafuji, H.Kimura, and R.Takeishi
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1991
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