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電気通信大学  大学院情報理工学研究科、情報理工学域  基盤理工学専攻、Ⅲ類（理工系）

助教  塚本　貴広  ツカモト　タカヒロ  TAKAHIRO TSUKAMOTO

■ 学歴 横浜国立大学  2007  卒業  横浜国立大学  修士  2009  修了  横浜国立大学  博士  2012  修了    ■ 学位 博士（工学）  横浜国立大学  2012/03    ■ 現在の専門分野 電子・電気材料工学  電子デバイス・電子機器    ■ 現在の研究課題 半導体材料の形成技術の開発 高周波デバイスの開発  2018/02-現在    ■ 論文 一般論文  有  Crystallinity control of SiC grown on Si by sputtering method  共著  Watanabe, Ryosuke, Tsukamoto, Takahiro, Kamisako, Koichi, Suda, Yoshiyuki  JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH  463, 67-71  2017/04  0022-0248  10.1016/j.jcrysgro.2017.01.042  一般論文  有  p-Cu2O/SiOx/n-SiC/n-Si memory diode fabricated with room-temperature-sputtered n-SiC and SiOx  共著  Yamashita, Atsushi, Tsukamoto, Takahiro, Suda, Yoshiyuki  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS  55/ 12, 124103-1-124103-5  2016/12  0021-4922  10.7567/JJAP.55.124103  一般論文  有  Control of surface flatness of Ge layers directly grown on Si (001) substrates by DC sputter epitaxy method  共著  Tsukamoto, Takahiro, Hirose, Nobumitsu, Kasamatsu, Akifumi, Mimura, Takashi, Matsui, Toshiaki, Suda, Yoshiyuki  THIN SOLID FILMS  592, 34-38  2015/10  0040-6090  10.1016/j.tsf.2015.08.044  一般論文  有  Low-temperature fabrication technologies of Si solar cell by sputter epitaxy method  共著  Fujimura, Sohei, Someya, Takahiro, Yoshiba, Shuhei, Tsukamoto, Takahiro, Kamisako, Koichi, Suda, Yoshiyuki  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS  54/ 8, 08KD01-1-08KD01-5  2015/08  0021-4922  10.7567/JJAP.54.08KD01  一般論文  有  Formation of GeSn layers on Si (001) substrates at high growth temperature and high deposition rate by sputter epitaxy method  共著  Tsukamoto, Takahiro, Hirose, Nobumitsu, Kasamatsu, Akifumi, Mimura, Takashi, Matsui, Toshiaki, Suda, Yoshiyuki  JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE  50/ 12, 4366-4370  2015/06  0022-2461  10.1007/s10853-015-8990-4  詳細表示...